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公开(公告)号：CN103137670A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110395462.4
申请日：2011-12-03
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了纳米工艺下非对称MOS结构及其设计方法。其中该结构包括：对于NMOS，栅到源端STI的距离小于栅到漏端STI的距离；对于PMOS，栅到漏端STI的距离小于栅到源端STI的距离。其中该方法包括：对于NMOS，将器件的栅到源端STI的距离缩小而将其栅到漏端STI的距离增大，这样可以在不增加器件面积的情况下提高器件性能；对于PMOS，将器件的栅到漏端STI的距离缩小而保持栅到源端STI的距离不变，这样可以在减小器件面积的情况下提高器件性能。
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公开(公告)号：CN103134993A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110397748.6
申请日：2011-12-05
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: G01R27/26
CPC classification number: G01R27/26 , G01R31/2648 , G01R31/2882 , H01L22/14 , H01L22/34
Abstract: 本发明提出了一种金属层间层内电容的分离方法，以有效的分离金属层间、层内电容。该分离方法主要包括：测量平行金属板结构和combmeander结构的层间电容，测量金属结构combmeander的层内电容，测量平行金属板结构和金属结构comb之间的层间电容，测量平行金属板结构和金属结构meander之间的层间电容；combmeander的层内电容乘二再加上平行金属板结构各与结构comb、meander之间的层间电容，再减去平行金属板结构和combmeander结构之间的总电容，便分离出金属结构combmeander的层内电容。这种金属层间层内电容的分离方法能够更加精确有效的分离出层内电容。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102169141A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010113495.0
申请日：2010-02-25
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明公开了多层互连线系统中电容测试方法，以提高电容测试的精确度，其中该方法包括步骤：依照测试信号施加方式，给多层互连线系统中各互连线均施加测试信号；在每次施加测试信号后，测试该多层互连线系统的整体电容值；根据测试出的整体电容值，以及整体电容值和待测电容值的数量关系，计算出待测电容值。
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公开(公告)号：CN113133159A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911390970.6
申请日：2019-12-30
Applicant: 海安集成电路技术创新中心 , 海安芯润集成电路科技有限公司 , 上海北京大学微电子研究院
IPC: H05B47/10
Abstract: 本发明提供了一种适用于发光二极管(LED)驱动的原边控制恒流实现电路，以消除传统恒流实现电路中的光藕和分离运算放大器。对于工作于不连续模式的芯片来说，原边控制技术直接在变压器的辅助绕组采样输出电压，用电路采样输出端续流二极管放电的时间和芯片的工作周期，通过设定这两个时间的比值为常数以实现恒流。其中所述原边控制电路包括：电流基准产生模块，电流镜模块，采集输出二极管放电时间的模块，采集芯片工作周期的模块和比较器模块。电流基准产生模块产生电流基准，电流镜模块镜像不同的电流对两个电容充电，这两个电容分别采集续流二级管放电时间和工作周期，当两个电容的电压相等的时候打开功率开关管以实现恒流。
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公开(公告)号：CN113131944A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911392641.5
申请日：2019-12-30
Applicant: 海安集成电路技术创新中心 , 海安芯润集成电路科技有限公司 , 上海北京大学微电子研究院
IPC: H03M3/00
Abstract: 本发明公开了一种新型的减少开关电容采样噪声的技术，基于开关电容的采样技术，与传统的采样技术相比，该发明通过额外增加一个采样阶段的电容，大幅度降低采样过程中由于开关电阻引入的热噪声，该热噪声往往是电路精度的瓶颈，另一方面，该额外引入的采样电容并不会对开关电容的积分阶段产生影响。
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公开(公告)号：CN113128161A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911392661.2
申请日：2019-12-30
Applicant: 海安集成电路技术创新中心 , 海安芯润集成电路科技有限公司 , 上海北京大学微电子研究院
IPC: G06F30/39 , G06F30/20 , G06F111/06 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种集成电路封装的电、热特性协同设计方法与流程。其特征在于在设计阶段充分考虑封装设计的热、电学特性对集成电路性能的影响，同时与核心的集成电路设计进行协同优化，可以根据成本和实现复杂度等因素从封装设计和电路设计两方面优化系统性能，提高封装设计的灵活性。设计方法及流程主要包括封装的物理设计，电学参数提取，热学参数提取，集成电路设计，考虑封装和集成电路的混合模式仿真，输出满足设计要求的集成电路设计及封装的物理设计。
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公开(公告)号：CN113125829A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911392656.1
申请日：2019-12-30
Applicant: 海安集成电路技术创新中心 , 海安芯润集成电路科技有限公司 , 上海北京大学微电子研究院
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明公开了一种高精度片上功率管电流检测电路的新结构。该结构首先采集待检测MOS管的电流；采用片上MOS管检测结构，将采集到的电流进行三级以上缩小，获得检测电流，所获得的检测电流与MOS管上的电流有很好的相关线性度，精度高。该结构包括：电流采集模块，用于采集待检测MOS管的电流；片上MOS管检测模块，用于将电流采集模块采集的电流进行三级以上缩小，获得检测电流。
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