放大电路
    21.
    发明公开
    放大电路 审中-实审

    公开(公告)号:CN115606093A

    公开(公告)日:2023-01-13

    申请号:CN202080100358.5

    申请日:2020-06-08

    Abstract: 将放大电路构成为具有:第1放大器(3),其对放大对象信号进行放大;输出匹配电路(4),其传输由第1放大器(3)放大后的信号;以及第2放大器(7),其对在输出匹配电路(4)中传输来的信号进行放大,输出匹配电路(4)是具有多个集中常数元件的集中常数电路,通过多个集中常数元件,使第2放大器(7)的输出功率低于饱和功率时的从第1放大器(3)看向第2放大器(7)侧的阻抗,变成比第2放大器(7)的输出功率为饱和功率时的从第1放大器(3)看向第2放大器(7)侧的阻抗大的阻抗。

    多尔蒂放大器
    22.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109155612B

    公开(公告)日:2022-05-10

    申请号:CN201680085698.9

    申请日:2016-05-18

    Abstract: 在载波放大器(6)和峰值放大器(8)并联连接的多尔蒂放大器中,构成为,补偿电路(9)连接于峰值放大器(8)和合成器(10)之间,该补偿电路(9)构成为,在峰值放大器(8)停止动作的状态下,将从自身的输出端(9a)观察峰值放大器(8)侧时的阻抗在使用频率内设为开路,并且对从合成器(10)的输出侧观察合成器(10)时的阻抗的频率依赖性进行补偿。由此,不会导致电路的大型化、复杂化,就能够实现宽频带化。

    负载调制放大器
    23.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113949347A

    公开(公告)日:2022-01-18

    申请号:CN202111202844.0

    申请日:2016-02-23

    Abstract: 负载调制放大器具有:高频电路基板;输入分配电路部,其具有分配器和相位延迟电路,该分配器将1个输入信号分配成第1输入信号及第2输入信号,该相位延迟电路构成于被分配后的所述第2输入信号的信号线路之上;载波放大器,其通过第1高频晶体管对所述第1输入信号进行放大;峰值放大器,其通过第2高频晶体管对所述第2输入信号进行放大;以及输出合成电路部,其具有90度相位延迟电路、合成器和阻抗变换电路,该90度相位延迟电路构成于所述载波放大器的输出的信号线路之上,该合成器将所述90度相位延迟电路的输出和所述峰值放大器的输出进行合成,该阻抗变换电路对所述合成器的输出阻抗进行变换,输入分配电路部、载波放大器、峰值放大器、输出合成电路部分别形成在所述高频电路基板之上,所述载波放大器及所述峰值放大器在没有对输出阻抗进行变换的状态下直接与所述输出合成电路部连接。

    多尔蒂放大器
    24.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108432128B

    公开(公告)日:2021-08-06

    申请号:CN201680077310.0

    申请日:2016-01-05

    Abstract: 威尔金森型分配器(2)由π型LPF(2a、2c)、T型LPF(2b)、T型HPF(2d)以及隔离电阻(2e)构成,该π型LPF(2a、2c)与输入端子(1)连接,该T型HPF(2b)的一端与π型LPF(2a)的另一端连接,另一端与载波放大器(6)连接,该T型HPF(2d)的一端与π型LPF(2c)的另一端连接,另一端与λ/4线路(9)的一端连接,该隔离电阻(2e)与连接点(2f)和连接点(2g)连接。

    多尔蒂放大器
    26.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109155612A

    公开(公告)日:2019-01-04

    申请号:CN201680085698.9

    申请日:2016-05-18

    Abstract: 在载波放大器(6)和峰值放大器(8)并联连接的多尔蒂放大器中,构成为,补偿电路(9)连接于峰值放大器(8)和合成器(10)之间,该补偿电路(9)构成为,在峰值放大器(8)停止动作的状态下,将从自身的输出端(9a)观察峰值放大器(8)侧时的阻抗在使用频率内设为开路,并且对从合成器(10)的输出侧观察合成器(10)时的阻抗的频率依赖性进行补偿。由此,不会导致电路的大型化、复杂化,就能够实现宽频带化。

    半导体装置
    27.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN119096364A

    公开(公告)日:2024-12-06

    申请号:CN202280095218.2

    申请日:2022-04-28

    Abstract: 半导体装置具备:第1基板(100),其具有第1绝缘基板(101)、形成于第1绝缘基板(101)的正面的第1布线图案层和多个第1正面侧焊盘、以及背面的由厚铜形成的第1基部(130),并在第1绝缘基板(101)形成有到达第1基部(130)的正面的第1开口部(101);第1半导体元件(10),其固定于第1开口部(101)内;第2基板(201),其具有第2绝缘基板(201)、形成于第2绝缘基板(201)的正面的第2布线图案层和多个第2正面侧焊盘、以及背面的由厚铜形成的第2基部230,并在第2绝缘基板(201)形成有到达第2基部230的正面的第2开口部(201);第2半导体元件20,其固定于第2开口部(201)内;以及第3基板(300),其对置配置在第1基板(101)与第2基板(201)之间,在背面具有通过连接部件(50)与多个第1正面侧焊盘分别连接的多个第3背面侧焊盘,在正面具有通过连接部件(70)与多个第2正面侧焊盘分别连接的多个第3正面侧焊盘。

    多尔蒂放大器
    28.
    发明公开
    多尔蒂放大器 审中-实审

    公开(公告)号:CN119013891A

    公开(公告)日:2024-11-22

    申请号:CN202280094925.X

    申请日:2022-04-22

    Abstract: 多尔蒂放大器(1000)是对放大工作做出贡献的放大器的数量根据输入信号的功率而变化的多尔蒂放大器,具备至少4个以上的多个放大器(1、2、3、4),多个放大器构成为,对放大工作做出贡献的顺序根据输入信号的频率而不同。

    多赫蒂放大器
    29.
    发明公开
    多赫蒂放大器 审中-实审

    公开(公告)号:CN117121372A

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN202180096925.9

    申请日:2021-04-16

    Abstract: 多赫蒂放大器具有:第1滤波器电路(6a),其在被输入第1频带的输入信号时,输出使输入信号衰减了第1衰减量的第1输入信号,在被输入与第1频带不同的第2频带的输入信号时,输出使输入信号通过的第2输入信号;第2滤波器电路(6b),其在被输入第1频带的输入信号时,输出使输入信号衰减了衰减量比第1衰减量小的第2衰减量的第3输入信号,在被输入第2频带的输入信号时,输出使输入信号衰减了第1衰减量的衰减量以上的第3衰减量的第4输入信号;第1放大器(8a),其栅极偏置电压被固定,在被输入来自第1滤波器电路(6a)的第1输入信号时作为辅助放大器进行动作,在被输入来自第1滤波器电路(6a)的第2输入信号时作为主放大器进行动作;以及第2放大器(8b),其栅极偏置电压被固定,在被输入来自第2滤波器电路(6b)的第3输入信号时作为主放大器进行动作,在被输入来自第2滤波器电路(6b)的第4输入信号时作为辅助放大器进行动作。

    数模转换器
    30.
    发明公开
    数模转换器 审中-实审

    公开(公告)号:CN116982261A

    公开(公告)日:2023-10-31

    申请号:CN202180095391.8

    申请日:2021-03-16

    Abstract: 数模转换器(1)具有在输入了数字信号时分别输出与数字信号所表示的值相应的电流的多个一比特元件(10‑n)、以及与多个一比特元件(10‑n)连接的容性负载(70),经由接受从多个一比特元件(10‑n)输出的电流的容性负载(70)而生成模拟电压波形,其中,一比特元件(10‑n)具备开关电路,该开关电路根据输入的数字信号所表示的值而使一比特元件内的电压的偏置变化,通过偏置的变化来切换与电源的连接和非连接。

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