公开(公告)号：CN105283962A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201380077391.0

申请日：2013-06-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 增冈史仁 ,  中村胜光 ,  西井昭人

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/36 ,  H01L29/417 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/868

Abstract: 在n－型漂移层(1)的顶面设置有p型正极层(2)。在n－型漂移层(1)的底面设置有n型负极层(3)。在n－型漂移层(1)与n型负极层(3)之间设置有n型缓冲层(4)。n型缓冲层(4)的峰值浓度高于n－型漂移层(1)，低于n型负极层(3)。n－型漂移层(1)与n型缓冲层(4)的连接部分处的载流子浓度的梯度为20～2000cm-4。

公开(公告)号：CN104756258A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201380052950.2

申请日：2013-05-01

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 川上刚史 ,  陈则 ,  西井昭人 ,  增冈史仁 ,  中村胜光 ,  古川彰彦 ,  村上裕二

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/47 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/0619 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/266 ,  H01L21/324 ,  H01L21/765 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/063 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66363 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/74 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

Abstract: 从活性区域(12)的外周缘部朝向半导体基板(11)的外周缘部，以围绕活性区域(12)的方式形成电场缓和层(13)。电场缓和层(13)具备多个P型杂质层(21～25)。各P型杂质层(21～25)具备：P型注入层(21a～25a)；以及P型扩散层(21b～25b)，以围绕P型注入层(21a～25a)的方式形成，P型杂质的浓度比P型注入层(21a～25a)低。第一P型注入层(21a)与活性区域(12)相接或者一部分重叠地形成。各P型扩散层(21b～25b)形成为具有第一P型扩散层(21b)和第二P型扩散层(22b)相接或者重叠的程度的宽度。P型注入层(21a～25a)彼此的间隔(s2～s5)随着从活性区域(12)朝向半导体基板(11)的外周缘部变大。

公开(公告)号：CN103050546A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210383444.9

申请日：2012-10-11

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 加地考男 ,  吉浦康博 ,  增冈史仁

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/861 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36

Abstract: 本发明的课题在于得到一种半导体装置，其能够在降低反向恢复功耗的同时提高耐压并抑制浪涌电压。在N－型漂移层（1）的上侧设置有P型阳极层（2）。在N－型漂移层（1）的下侧设置有N+型阴极层（3）。在N－型漂移层（1）与P型阳极层（2）之间设置有第1短寿命层（4）。在N－型漂移层（1）与N+型阴极层（3）之间设置有第2短寿命层（5）。载流子在第1短寿命层（4）及第2短寿命层（5）中的寿命τ2短于在N－型漂移层（1）中的寿命τ1(τ2＜τ1)。在N+型阴极层（3）中的寿命τ3长于在N－型漂移层（1）中的寿命τ1(τ1＜τ3)。