Patent search ap:("三洋电机株式会社") AND inv:"西塔秀史" Page 3

21.

外观设计
半导体器件失效

公开(公告)号：CN3353789D

公开(公告)日：2004-02-18

申请号：CN03307312.0

申请日：2003-04-03

Applicant: 三洋电机株式会社

Designer： 川口笃 , 铃木丈史 , 西塔秀史

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