公开(公告)号：CN1413365A

公开(公告)日：2003-04-23

申请号：CN00817739.2

申请日：2000-10-20

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 池田博昭 ,  藤本正久 ,  藤谷伸 ,  岛正树 ,  八木弘雅 ,  樽井久树 ,  黑河宏史 ,  浅冈贤司 ,  松田茂树 ,  堂本洋一 ,  大下竜司 ,  加藤善雄 ,  中岛宏 ,  樟本靖宏

IPC: H01M4/66 ,  H01M4/02 ,  H01M4/04 ,  H01M4/38 ,  H01M4/48 ,  H01M4/58 ,  H01M10/40

CPC classification number: H01M4/13 ,  H01M2/0207 ,  H01M4/04 ,  H01M4/131 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/366 ,  H01M4/38 ,  H01M4/386 ,  H01M4/387 ,  H01M4/40 ,  H01M4/405 ,  H01M4/485 ,  H01M4/525 ,  H01M4/661 ,  H01M4/667 ,  H01M4/70 ,  H01M6/40 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0587 ,  H01M10/44 ,  H01M2010/4292

Abstract: 一种用于可再用锂电池的电极，具有诸如微晶或无定形硅薄膜之类的活性材料薄膜，所述薄膜在集电器上吸收/释放锂时膨胀和收缩，其特征在于，集电器的强度(＝集电器材料的每横截面的拉伸强度(N/mm2)×集电器的厚度(mm))是3.82N/mm或更大。

公开(公告)号：CN1382309A

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：CN00814646.2

申请日：2000-10-20

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 池田博昭 ,  藤本正久 ,  藤谷伸 ,  岛正树 ,  八木弘雅 ,  樽井久树 ,  黑河宏史 ,  浅冈贤司 ,  松田茂树 ,  堂本洋一 ,  大下竜司 ,  加藤善雄 ,  中岛宏

IPC: H01M4/02 ,  H01M4/04 ,  H01M4/38 ,  H01M4/48 ,  H01M4/58 ,  H01M4/66 ,  H01M10/40

CPC classification number: H01M4/134 ,  H01M2/0207 ,  H01M4/04 ,  H01M4/131 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/366 ,  H01M4/38 ,  H01M4/386 ,  H01M4/387 ,  H01M4/40 ,  H01M4/405 ,  H01M4/525 ,  H01M4/58 ,  H01M4/661 ,  H01M4/667 ,  H01M4/70 ,  H01M6/10 ,  H01M6/40 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0587 ,  H01M10/44 ,  H01M2010/4292

Abstract: 用于锂电池的一种电极,具有吸收/放出锂的活性材料薄膜,诸如在集电器上提供的微晶硅薄膜或无定形硅薄膜,其特征在于,通过在厚度方向切割成柱而分割薄膜,并且每个柱的底部与集电器紧密接触。

公开(公告)号：CN103597604B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201280027090.2

申请日：2012-05-24

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 中井拓夫 ,  吉村直记 ,  岛正树

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/18 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L31/02363 ,  H01L31/0747 ,  Y02E10/50

Abstract: 缩短制造太阳能电池所需要的时间。使用蚀刻液对结晶硅基板（10B）的主面（10B1）、（10B2）进行蚀刻，之后使用蚀刻成分的浓度高于上述蚀刻液的其他蚀刻液，以比使用上述蚀刻液进行的蚀刻低的蚀刻速度，进行结晶硅基板（10B）的主面（10B1）、（10B2）的蚀刻，从而在结晶硅基板（10B）的主面（10B1）、（10B2）形成纹理结构。

公开(公告)号：CN102575343A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080044569.8

申请日：2010-10-01

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  株式会社爱发科

Inventor： 岛正树 ,  若宫要范 ,  大园修司 ,  冈山智彦 ,  小形英之

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/24 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/44 ,  C23C16/24 ,  C23C16/325 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/481 ,  H01L21/68757

Abstract: 在催化CVD装置(100)中，保持体300)具有用于防止从催化剂丝(11)所放出的辐射线向基材(200)侧反射的防反射结构。

公开(公告)号：CN1855553B

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200610076165.2

申请日：2006-04-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 岛正树 ,  斋藤真知绘

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/076 ,  H01L31/0547 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/548

Abstract: 本发明提供一种可以提高输出特性的叠层型光电动势装置。该叠层型光电动势装置包括：第二发电单元，包括具有第一折射率的第二半导体层、由用作光电转换层的非晶半导体层构成第三半导体层；中间层，在第一发电单元和第二发电单元之间形成，具有第二折射率；促进反射层，在中间层和第二发电单元的第二半导体层之间形成，具有第三折射率，其与第一折射率的折射率差，大于第二折射率与第一折射率的折射率差。

公开(公告)号：CN100539204C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200610100509.9

申请日：2006-06-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 岛正树

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/042 ,  H01L31/075

CPC classification number: H01L31/0725 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/076 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548

Abstract: 本发明的光电动势装置，在光入射侧配置有将非晶硅层(8)作为光电变换层的光电动势组件，在其后侧配置有将微晶硅层(5)作为光电变换层的光电动势组件，其特征在于，将利用红外吸收分光法测量作为光电变换层的非晶硅层(8)和微晶硅层(5)所得到的Si-H拉伸模式的峰值面积设定为I[Si-H]，将Si-O拉伸模式的峰值面积设定为I[Si-O]，将它们的比设定为α(＝I[[Si-O]/I[Si-H])时，第二光电动势组件的作为光电变换层的微晶硅层(5)的α2大于第一光电动势组件的作为光电变换层的非晶硅层(8)的α1，而且，第二光电动势组件的短路电流Isc2大于第一光电动势组件的短路电流Isc1。

公开(公告)号：CN100474635C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200410074710.5

申请日：2004-09-13

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 岛正树

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/036

CPC classification number: H01L31/03682 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02363 ,  Y02E10/546

Abstract: 提供了一种可以提高输出特性的光电装置。该光电装置包含至少一个发电单元，该发电单元具有：包含至少一层的第一导电型的第一非单晶半导体层；包含至少一层的实质上为真正的第二非单晶半导体层；和包含至少一层的第二导电型的第三非单晶半导体层；构成上述第一非单晶半导体层的层，构成上述第二非单晶半导体层的层和构成上述第三非单晶半导体层的层中的至少一层，具有与其他层不同的优先结晶取向面。

公开(公告)号：CN1855554A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610078178.3

申请日：2006-04-28

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 岛正树

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/076 ,  H01L31/03767 ,  Y02E10/548

Abstract: 本发明提供一种叠层型光电动势装置，其包括：包含作为光电转换层起作用的第一半导体层的第一发电单元；和在上述第一发电单元上形成，包含作为光电转换层起作用的、实质上的本征非晶半导体的第二半导体层的第二发电单元，其特征在于：构成上述第一发电单元的第一半导体层的主要元素的第一密度，比构成上述第二发电单元的第二半导体层的主要元素的第二密度小。

公开(公告)号：CN1257567C

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN00817738.4

申请日：2000-10-20

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 池田博昭 ,  藤本正久 ,  藤谷伸 ,  岛正树 ,  八木弘雅 ,  樽井久树 ,  黑河宏史 ,  浅冈贤司 ,  松田茂树 ,  堂本洋一 ,  大下竜司 ,  加藤善雄 ,  中岛宏

IPC: H01M4/66 ,  H01M4/02 ,  H01M4/04 ,  H01M4/38 ,  H01M4/48 ,  H01M4/58 ,  H01M10/40

CPC classification number: H01M4/661 ,  H01M4/131 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/366 ,  H01M4/38 ,  H01M4/386 ,  H01M4/40 ,  H01M4/405 ,  H01M4/525 ,  H01M4/58 ,  H01M4/667 ,  H01M4/70 ,  H01M6/40 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0587 ,  H01M10/44 ,  H01M2004/021 ,  H01M2010/4292

Abstract: 一种用于锂电池的电极，具有吸收/放出锂的活性材料薄膜，例如通过隔层在集电器上提供的微晶硅薄膜或无定形硅薄膜，其特征在于，可以使隔层的材料与活性材料薄膜合金。

公开(公告)号：CN1595667A

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN200410074710.5

申请日：2004-09-13

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 岛正树

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/036

CPC classification number: H01L31/03682 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02363 ,  Y02E10/546

Abstract: 提供了一种可以提高输出特性的光电装置。该光电装置包含至少一个发电单元，该发电单元具有：包含至少一层的第一导电型的第一非单晶半导体层；包含至少一层的实质上为真正的第二非单晶半导体层；和包含至少一层的第二导电型的第三非单晶半导体层；构成上述第一非单晶半导体层的层，构成上述第二非单晶半导体层的层和构成上述第三非单晶半导体层的层中的至少一层，具有与其他层不同的优先结晶取向面。