公开(公告)号：CN107026072A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201610986776.4

申请日：2016-11-09

Applicant: 三星电子株式会社 ,  乔治·克劳德方法的研究开发液气股份有限公司

Inventor： 林载顺 ,  朴圭熙 ,  曹仑延 ,  克雷门.兰萨洛 ,  卢沅泰 ,  J.利弗莱格 ,  李柱澔

IPC: H01L21/02

CPC classification number: C07F17/00 ,  C09D5/24 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568 ,  H01L27/1085 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10879 ,  H01L28/60 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66795 ,  H01L21/02104

Abstract: 本文中公开了形成薄膜的方法、制造集成电路器件的方法和形成半导体器件的方法。所述形成薄膜的方法包括通过使用铌前体成分和反应物形成含铌的膜，所述铌前体成分包括由式(1)表示的铌化合物，其中R各自独立地为H、C1‑C6烷基或R13Si，其中R1各自独立地为H或C1‑C6烷基，Cp为环戊二烯基，和L选自甲脒化物(NR,R'‑fmd)、脒化物(NR,R',R″‑amd)、和胍化物(NR,R',NR″,R″′‑gnd)。式(1)Nb(R5Cp)2(L)。