Patent search ap:("三星电子株式会社" OR "成均馆大学校产学协力团") AND inv:"卢昶佑" Page 3

21.

发明公开
半导体器件有权

公开(公告)号：CN110875375A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910466683.2

申请日：2019-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢昶佑 , 姜明吉 , 金昊俊 , 裵金钟 , 裵东一

IPC: H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/78

Abstract: 根据示例实施例的半导体器件包括：衬底，在彼此相交的第一方向和第二方向上延伸；纳米线，在所述衬底上并在所述第二方向上彼此间隔开；栅电极，在所述第一方向上延伸且在所述第二方向上彼此间隔开，并围绕所述纳米线以与所述纳米线竖直地叠置；外部隔墙，在所述衬底上并覆盖所述纳米线上的所述栅电极的侧壁；以及隔离层，在所述栅电极之间并在所述第一方向上延伸，其中，所述隔离层的上表面与所述栅电极的上表面齐平。

Patent Agency Ranking