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公开(公告)号：CN119370883A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411004299.8
申请日：2024-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 半导体纳米颗粒、制备半导体纳米颗粒的方法、和包括半导体纳米颗粒的电致发光器件和显示设备。制备半导体纳米颗粒的方法包括使锌前体和硫前体在第一颗粒的存在下以在预定的温度下接触在所述第一颗粒上形成含有硫化锌的半导体纳米晶体层，其中所述第一颗粒包括包含锌、硒、和任选地碲的II‑VI族化合物，或者所述第一颗粒包括包含铟和磷的III‑V族化合物。所述预定的温度包括(例如，为)大于300℃且小于或等于约380℃的温度(例如，反应温度)，并且所述硫前体包括C3(例如C9)至C50的硫醇化合物或其组合。
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公开(公告)号：CN110746958B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN201910665612.5
申请日：2019-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K11/02 , C09K11/88 , G02F1/1335 , H01L33/50
Abstract: 量子点、其制造方法、以及包括其的组合物、复合物和电子设备，所述量子点包括半导体纳米晶体芯和设置在所述芯上的半导体纳米晶体壳，所述量子点不包括镉，其中所述芯包括III‑V族化合物，所述量子点具有在绿色光波长区域中的最大光致发光峰，所述最大光致发光峰的半宽度(FWHM)小于约50纳米(nm)，并且在所述最大光致发光峰的波长和所述量子点的第一吸收峰波长之间的差异小于或等于约25纳米。
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公开(公告)号：CN114686211A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202111624492.8
申请日：2021-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及发光膜、发光器件、电致发光器件和制备发光纳米结构体的方法。发光器件包括第一导电层、第二导电层、以及设置在所述第一导电层和所述第二导电层之间的发光层，所述发光层包括发光纳米结构体，其中所述发光层配置成发射绿色光，所述发光层不包括镉、铅、或其组合，所述发光纳米结构体包括第一半导体纳米晶体和第二半导体纳米晶体，所述第一半导体纳米晶体包括III‑V族化合物，所述第二半导体纳米晶体包括锌硫属化物，III‑V族化合物包括铟、磷、和任选地锌，锌硫属化物包括锌、硒和硫，所述发光纳米结构体呈现出闪锌矿结构，并且在通过电子显微镜法分析获得的发光纳米结构体的二维图像中，所述发光纳米结构体的正方度的平均值大于或等于约0.8。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114605995A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210215693.0
申请日：2016-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及量子点、其制造方法、量子点‑聚合物复合物和包括其电子装置。量子点具有钙钛矿晶体结构和包括由化学式1表示的化合物，其中，A为选自Rb、Cs、Fr、及其组合的IA族金属，B为选自Si、Ge、Sn、Pb、及其组合的IVA族金属，X为选自F、Cl、Br、和I的卤素、BF4‑、或其组合，和α大于0且小于或等于约3；和其中所述量子点具有约1纳米‑约50纳米的尺寸。化学式1ABX3+α。
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公开(公告)号：CN106957652B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201611195503.4
申请日：2016-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及量子点、制造其的方法，包括其的量子点聚合物复合物和器件。量子点包括芯‑壳结构，所述芯‑壳结构包括：包括第一半导体纳米晶体的芯、和设置在所述芯上并且包括结晶或无定形材料和至少两种不同的卤素的壳，且所述量子点不包括镉。
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公开(公告)号：CN112680211A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011109701.0
申请日：2020-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及芯壳量子点、其制造方法、量子点群、量子点复合物、量子点组合物和显示器件。公开了芯壳量子点及其制造，所述芯壳量子点包括：包括第一半导体纳米晶体的芯，所述第一半导体纳米晶体包括锌、碲、和硒；和设置在所述芯上的半导体纳米晶体壳，所述半导体纳米晶体壳包括锌、以及硒、硫或其组合，其中所述芯壳量子点不包括镉、铅、汞、或其组合，其中所述芯壳量子点包括氯，其中在所述芯壳量子点中，氯相对于碲的摩尔比大于或等于约0.01:1，和其中所述芯壳量子点的量子效率大于或等于约10％。
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公开(公告)号：CN112680210A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011108907.1
申请日：2020-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了芯壳量子点、其制造方法、包括其的量子点复合物、量子点组合物、显示器件和电子器件，所述芯壳量子点包括：包括第一半导体纳米晶体并且包括锌、碲、和硒的芯，和设置在所述芯上并且包括锌硫属化物的半导体纳米晶体壳，其中所述芯壳量子点不包括镉、铅、汞、或其组合，其中在所述量子点的X射线光电子能谱中，作为面积百分比的Te氧化物的峰面积对Te3d5/2的峰面积小于或等于约25％。
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公开(公告)号：CN110746958A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201910665612.5
申请日：2019-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K11/02 , C09K11/88 , G02F1/1335 , H01L33/50
Abstract: 量子点、其制造方法、以及包括其的组合物、复合物和电子设备，所述量子点包括半导体纳米晶体芯和设置在所述芯上的半导体纳米晶体壳，所述量子点不包括镉，其中所述芯包括III-V族化合物，所述量子点具有在绿色光波长区域中的最大光致发光峰，所述最大光致发光峰的半宽度(FWHM)小于约50纳米(nm)，并且在所述最大光致发光峰的波长和所述量子点的第一吸收峰波长之间的差异小于或等于约25纳米。
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