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公开(公告)号：CN104818019A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201510061342.9
申请日：2015-02-05
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C09K11/025 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C09K11/70 , Y02E10/52 , Y10S977/773 , Y10S977/892 , Y10S977/95
Abstract: 本发明提供纳米晶体颗粒、其合成方法和包括其的器件。所述纳米晶体颗粒包括半导体材料和硼。
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公开(公告)号：CN102482077B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201080039453.5
申请日：2010-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C09K11/025 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C09K11/703 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L33/502 , H01L51/0092 , H01L51/502 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , Y10S977/774 , Y10S977/892 , Y10S977/896 , Y10S977/95
Abstract: 半导体纳米晶体及其制备方法，其中所述半导体纳米晶体包括裸半导体纳米晶体和直接结合到所述裸半导体纳米晶体的水分子。
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公开(公告)号：CN103080081A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180042256.3
申请日：2011-07-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07C319/18 , H01L51/50 , H01L33/00 , H01L31/042
CPC classification number: C08G75/045 , C08L81/02 , C09K11/02 , C09K11/56 , C09K11/70 , C09K11/883 , H01L33/501 , H01L2224/16145 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 用于制造发光颗粒-聚合物复合物的组合物，所述组合物包含：发光颗粒；第一单体，其包含至少两个各自位于所述第一单体的末端处的硫醇基团；和第二单体，其包含至少两个各自位于所述第二单体的末端处的不饱和碳-碳键。
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公开(公告)号：CN102482077A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080039453.5
申请日：2010-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C09K11/025 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C09K11/703 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L33/502 , H01L51/0092 , H01L51/502 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , Y10S977/774 , Y10S977/892 , Y10S977/896 , Y10S977/95
Abstract: 半导体纳米晶体及其制备方法，其中所述半导体纳米晶体包括裸半导体纳米晶体和直接结合到所述裸半导体纳米晶体的水分子。
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公开(公告)号：CN108219769B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN201711337199.7
申请日：2017-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开发射性纳米晶体颗粒、其制备方法和包括发射性纳米晶体颗粒的器件。所述发射性纳米晶体颗粒包括：包括包含III‑V族化合物的第一半导体纳米晶体的芯和包围所述芯的包含第二半导体纳米晶体的壳，其中所述发射性纳米晶体颗粒包括非发射性I族元素。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109652076B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201811189402.5
申请日：2018-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K11/88 , C09K11/02 , H10K50/115 , G03F7/027 , G03F7/004
Abstract: 公开了组合物、量子点聚合物复合物、以及包括其的层状结构和电子装置。所述组合物包括：多个量子点；多个发光碳纳米颗粒；包含羧酸基团的粘结剂；包括碳‑碳双键的能聚合的单体；和引发剂，其中所述多个量子点包括II‑VI族化合物、III‑V族化合物、IV‑VI族化合物、或其组合，所述多个发光碳纳米颗粒具有小于或等于约10nm的尺寸，并且在其拉曼光谱中呈现出D带和G带两者，和所述多个发光碳纳米颗粒的至少一部分吸收具有大于或等于约400nm的波长的光且其最大发光峰波长大于或等于约480nm。
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公开(公告)号：CN113258012A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110183999.8
申请日：2021-02-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了量子点器件、其制造方法和电子设备，所述量子点器件包括第一电极和第二电极、设置在所述第一电极和所述第二电极之间的量子点层、设置在所述量子点层和所述第二电极之间并且包括第一无机纳米颗粒和第一有机材料的电子传输层、以及设置在所述电子传输层和所述第二电极之间并且包括第二无机纳米颗粒和第二有机材料的电子注入层，其中所述电子注入层中的所述第二有机材料的量对所述第二无机纳米颗粒和所述第二有机材料的总量的按重量计的比率小于所述电子传输层中的所述第一有机材料的量对所述第一无机纳米颗粒和所述第一有机材料的总量的按重量计的比率。
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公开(公告)号：CN110028969A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910027234.8
申请日：2019-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开量子点的群、其制造方法、量子点-聚合物复合物和显示装置。所述量子点的群包括多个不含镉的量子点，所述多个不含镉的量子点包括：包含铟和磷的半导体纳米晶体芯、设置在所述半导体纳米晶体芯上并且包含锌和硒的第一半导体纳米晶体壳、和设置在所述第一半导体纳米晶体壳上并且包含锌和硫的第二半导体纳米晶体壳，其中所述多个不含镉的量子点的平均颗粒尺寸大于或等于约5.5nm，所述多个不含镉的量子点的颗粒尺寸的标准偏差小于或等于所述平均颗粒尺寸的约20％，和所述多个不含镉的量子点的平均实度大于或等于约0.85。
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公开(公告)号：CN108219769A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711337199.7
申请日：2017-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开发射性纳米晶体颗粒、其制备方法和包括发射性纳米晶体颗粒的器件。所述发射性纳米晶体颗粒包括：包括包含III‑V族化合物的第一半导体纳米晶体的芯和包围所述芯的包含第二半导体纳米晶体的壳，其中所述发射性纳米晶体颗粒包括非发射性I族元素。
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