公开(公告)号：CN104377197B

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201410393679.5

申请日：2014-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁正吉 ,  金相秀 ,  权兑勇 ,  许盛祺

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底，包括第一区和第二区；第一晶体管，提供在第一区上以包括从衬底突出的第一沟道区；以及第二晶体管，提供在第二区上以包括第二沟道区和在衬底与第二沟道区之间延伸的栅电极。第一沟道区可以包括包含与第二沟道区不同的材料的下半导体图案和包含与第二沟道区相同的材料的上半导体图案。

公开(公告)号：CN104241270A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410232029.2

申请日：2014-05-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权兑勇 ,  金相秀 ,  梁正吉 ,  崔正达

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/1054 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/165 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/6681 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，其包括衬底、化合物半导体层和第一半导体图案和第二半导体图案。衬底包括第一区和第二区。第一半导体图案位于第一区的化合物半导体层上，并包括元素半导体。第二半导体图案位于第二区的化合物半导体层上，并包括III-V族半导体材料。