公开(公告)号：CN102956268A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210309222.2

申请日：2012-08-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金燦景 ,  黄泓善 ,  朴哲佑 ,  姜尚范 ,  吴洞録

IPC: G11C16/26 ,  G11C16/06

CPC classification number: G11C13/0033 ,  G11C7/062 ,  G11C7/067 ,  G11C7/08 ,  G11C7/14 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1693 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0023 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0061 ,  G11C2013/0042 ,  G11C2013/0054

Abstract: 一种非易失性存储器件包括单元阵列和感测放大电路，单元阵列包括多个存储单元。感测放大电路被配置成在存储单元的数据读取操作期间接收存储单元的数据电压、以及第一基准电压和第二基准电压，基于数据电压与第一基准电压和第二基准电压之间的电压电平差产生差分输出信号，并输出差分输出信号作为从存储单元读取的数据。

公开(公告)号：CN102800353A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201210167901.0

申请日：2012-05-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴哲佑 ,  崔周善 ,  黄泓善

IPC: G11C11/4063 ,  G11C11/408

CPC classification number: G11C11/406 ,  G11C2211/4061

Abstract: 为了带有刷新调节地刷新存储器器件，以刷新周期产生刷新地址。当刷新地址是第二地址时，在具有第一地址的弱单元上、而非在具有第二地址的第一强单元上执行相应刷新。当刷新地址是第三地址时，在第一强单元和具有第三地址的第二强单元之一上执行相应刷新。只存储用于第一、第二和第三地址之一的地址信息，以使存储器容量可被减小。在替换的方面中，当刷新地址是至少一个预定地址中的任何一个时，取决于标志，在弱单元、第一强单元和第二强单元之一上执行相应刷新，以进行刷新调节。

公开(公告)号：CN102456398A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110319574.1

申请日：2011-10-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴哲佑 ,  白寅圭 ,  孙东贤 ,  黄泓善

IPC: G11C11/56

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C13/00 ,  G11C2013/0083 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/79

Abstract: 提供一种阻性存储器件和初始化的方法。该阻性存储器件包括连接在位线与第一极板之间的第一组阻性存储单元和连接在位线与第二极板之间的第二组阻性存储单元。在与阻性存储单元的正常操作关联的正常路径之外，分别向第一和第二极板施加第一和第二初始化电压。

公开(公告)号：CN102446540A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201110317252.3

申请日：2011-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金秀娥 ,  朴哲佑 ,  黄泓善 ,  柳鹤洙

IPC: G11C7/12

CPC classification number: G11C11/4091 ,  G11C11/4099

Abstract: 本发明提供一种用于数据读出的半导体存储器装置。一种半导体存储器装置，包括存储器单元和第一基准存储器单元。存储器单元包括第一开关元件和用于存储数据的第一电容器。第一开关元件由第一字线来控制，并具有与第一电容器的第一端子相连接的第一端子和与第一位线相连接的第二端子。第一电容器具有用于接收第一板电压的第二端子。第一基准存储器单元包括第一基准开关元件和第一电容器。第一基准开关元件由第一基准字线来控制，并具有与第一基准电容器的第一端子相连接的第一端子和与第二位线相连接的第二端子。第一基准电容器具有接收与第一板电压不同的第一基准板电压的第二端子。

公开(公告)号：CN1822208B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200510129467.7

申请日：2005-12-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴基元 ,  黄泓善 ,  金成律

IPC: G11C7/00 ,  G11C29/00 ,  H01L27/105

CPC classification number: G11C7/18 ,  G11C29/12005 ,  G11C29/24 ,  G11C2029/1204

Abstract: 本发明提供了一种具有开放位线结构的全强度可测试存储器设备以及一种测试该存储器设备的方法。本发明的存储器设备包括虚位线以及连接到该虚位线的电压控制器。该电压控制器在测试模式期间交替地将第一可变控制电压和第二可变控制电压提供所述虚位线。根据测试该存储器设备的方法，在正常操作模式期间将固定电压提供到边缘子阵列的虚位线上。但是，在测试模式期间，利用电源电压和/或地电压来替换正施加到虚位线上的固定电压，从而可以平等地测试所有子阵列。