公开(公告)号：CN1822352A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200610002183.6

申请日：2006-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金彰洙 ,  金洙真 ,  韩京泰 ,  崔熙焕 ,  金周汉

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/136236 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/14692

Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法。该方法包括：在基底上形成栅极线；在栅极线上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成半导体层；在半导体层上形成数据线和漏极；在数据线和漏极上沉积钝化层；在钝化层上形成包括第一部分和比第一部分薄的第二部分的光阻剂；将光阻剂作为掩模蚀刻钝化层，从而至少部分地暴露漏极的一部分；去除光阻剂的第二部分；沉积导电膜；去除光阻剂，从而在漏极的暴露部分上形成像素电极。