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公开(公告)号：CN1630095B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200410094604.3
申请日：2004-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/823481 , H01L21/823418
Abstract: 提供半导体器件和制造包括衬底和在衬底中限定衬底的有源区的器件隔离层的半导体器件的方法。器件隔离层具有垂直延伸超过衬底表面的侧壁的垂直突出部分。在有源区中的衬底表面上提供外延层，并延伸到器件隔离层上。外延层与器件隔离层的垂直突出部分的侧壁隔开。在外延层上提供栅极图形，在与栅极图形相对侧的外延层中提供源极/漏极区。
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公开(公告)号：CN100479167C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200710002311.1
申请日：2003-01-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11 , H01L23/522
CPC classification number: H01L27/11 , H01L27/1104
Abstract: 本发明公开一种SRAM单元和器件。SRAM单元可与相邻单元共享连线，该连线包括接地、电源电压和/或位线连线。还提供包括设在半导体衬底中的第一和第二有源区的SRAM单元和器件。平行的第一和第二栅极电极横穿第一和第二有源区。第一有源区靠近第一栅极电极的一端通过平行于第一栅极电极的第一节点线电连接至靠近第一栅极电极的第二有源区，而第一有源区靠近第二栅极电极的另一端经平行于第二栅极电极的第二节点线电连接至靠近第二栅极电极的第二有源区。第一节点线经横穿第一节点线的第一局部互连电连接至第二栅极电极，第二节点线经横穿第二节点线的第二局部互连电连接至第一栅极电极。另外字线可直接接触SRAM单元的传输晶体管的栅极电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100407426C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200510003953.4
申请日：2005-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11 , H01L21/8244
CPC classification number: H01L27/11 , H01L27/1108 , Y10S257/903
Abstract: 静态随机存取存储器(SRAM)器件包括在具有源极/漏极区的半导体衬底上的体MOS晶体管、在体MOS晶体管上的绝缘层以及在体MOS晶体管上的绝缘层上的具有源极/漏极区的薄膜晶体管。器件还包括在体MOS晶体管与薄膜晶体管之间的多层栓塞。多层栓塞包括直接在体MOS晶体管的源极/漏极区上并延伸穿过绝缘层的至少一部分的半导体栓塞，和直接在薄膜晶体管的源极/漏极区和半导体栓塞上并延伸穿过绝缘层的至少一部分的金属栓塞。还公开了相关方法。
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公开(公告)号：CN1992284A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200710002311.1
申请日：2003-01-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11 , H01L23/522
CPC classification number: H01L27/11 , H01L27/1104
Abstract: 本发明公开一种SRAM单元和器件。SRAM单元可与相邻单元共享连线，该连线包括接地、电源电压和/或位线连线。还提供包括设在半导体衬底中的第一和第二有源区的SRAM单元和器件。平行的第一和第二栅极电极横穿第一和第二有源区。第一有源区靠近第一栅极电极的一端通过平行于第一栅极电极的第一节点线电连接至靠近第一栅极电极的第二有源区，而第一有源区靠近第二栅极电极的另一端经平行于第二栅极电极的第二节点线电连接至靠近第二栅极电极的第二有源区。第一节点线经横穿第一节点线的第一局部互连电连接至第二栅极电极，第二节点线经横穿第二节点线的第二局部互连电连接至第一栅极电极。另外字线可直接接触SRAM单元的传输晶体管的栅极电极。
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公开(公告)号：CN1641878A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN200510003952.X
申请日：2005-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L27/11 , H01L21/822 , H01L21/8244
CPC classification number: H01L27/1214 , H01L27/0688 , H01L27/11 , H01L27/1108
Abstract: 提供了一种包括薄膜晶体管(TFT)的半导体集成电路及制造这种半导体集成电路的方法。该半导体集成电路可以包括在半导体衬底形成的体晶体管和体晶体管上的第一层间绝缘层。下TFT可以在第一层间绝缘层上，以及第二层间绝缘层可以在下TFT上。上TFT可以在第二层间绝缘层上，以及第三层间绝缘层可以在上TFT上。体晶体管的第一杂质区、下TFT的第一杂质区以及上TFT的第一杂质区可以通过穿透第一、第二和第三层间绝缘层的节点栓塞相互电连接。
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公开(公告)号：CN1630095A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN200410094604.3
申请日：2004-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/823481 , H01L21/823418
Abstract: 提供半导体器件和制造包括衬底和在衬底中限定衬底的有源区的器件隔离层的半导体器件的方法。器件隔离层具有垂直延伸超过衬底表面的侧壁的垂直突出部分。在有源区中的衬底表面上提供外延层，并延伸到器件隔离层上。外延层与器件隔离层的垂直突出部分的侧壁隔开。在外延层上提供栅极图形，在与栅极图形相对侧的外延层中提供源极/漏极区。
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公开(公告)号：CN1433078A
公开(公告)日：2003-07-30
申请号：CN03100919.0
申请日：2003-01-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11
CPC classification number: H01L27/11 , H01L27/1104
Abstract: 本发明公开一种SRAM单元和器件。SRAM单元可与相邻单元共享连线，该连线包括接地、电源电压和/或位线连线。还提供包括设在半导体衬底中的第一和第二有源区的SRAM单元和器件。平行的第一和第二栅极电极横穿第一和第二有源区。第一有源区靠近第一栅极电极的一端通过平行于第一栅极电极的第一节点线电连接至靠近第一栅极电极的第二有源区，而第一有源区靠近第二栅极电极的另一端经平行于第二栅极电极的第二节点线电连接至靠近第二栅极电极的第二有源区。第一节点线经横穿第一节点线的第一局部互连电连接至第二栅极电极，第二节点线经横穿第二节点线的第二局部互连电连接至第一栅极电极。另外字线可直接接触SRAM单元的传输晶体管的栅极电极。
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