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公开(公告)号：CN109585559A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811138537.9
申请日：2018-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本公开提供半导体装置。一种半导体装置包括衬底及在所述衬底上的栅极结构。所述半导体装置包括在所述衬底上的沟道。所述半导体装置包括在所述沟道上的源极/漏极层。此外，所述半导体装置包括在所述栅极结构的侧壁上的间隔件。所述间隔件包括在垂直方向上与所述沟道交叠的中心部分以及从所述中心部分突出的突出部分。本公开的半导体装置可具有良好的电特性。
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公开(公告)号：CN109427871A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810596906.2
申请日：2018-06-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包含衬底；堆叠在衬底上的多个沟道层；围绕多个沟道层的栅极电极；以及在栅极电极的相对侧上的嵌入式源极/漏极层。嵌入式源极/漏极层各自具有第一区域及在第一区域上的第二区域。第二区域具有具备不同成分的多个层。
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公开(公告)号：CN108511524A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201710569298.1
申请日：2017-07-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/10
CPC classification number: H01L29/0653 , H01L29/0673 , H01L29/42392 , H01L29/4983 , H01L29/513 , H01L29/66439 , H01L29/66553 , H01L29/6656 , H01L29/66742 , H01L29/775 , H01L29/7853 , H01L29/786 , H01L29/78696 , H01L29/7831 , H01L29/1029 , H01L29/66484 , H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: 一种半导体器件可以包括衬底、第一纳米线、栅电极、第一栅极间隔物、第二栅极间隔物、源极/漏极和间隔物连接器。第一纳米线可以在第一方向上延伸并与衬底间隔开。栅电极可以围绕第一纳米线的周边，并且在交叉第一方向的第二方向上延伸，并且包括彼此相对的第一侧壁和第二侧壁。第一栅极间隔物可以形成在栅电极的第一侧壁上。第一纳米线可以穿过第一栅极间隔物。第二栅极间隔物可以形成在栅电极的第二侧壁上。第一纳米线可以穿过第二栅极间隔物。源极/漏极可以设置在栅电极的至少一侧并与第一纳米线连接。间隔物连接器可以设置在第一纳米线与衬底之间。间隔物连接器可以将第一栅极间隔物和第二栅极间隔物彼此连接。
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公开(公告)号：CN100385678C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200310118865.X
申请日：2003-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/105 , H01L21/8239
CPC classification number: H01L29/4232 , H01L21/28114 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L29/66833 , H01L29/7923
Abstract: 本发明提供凹切栅极SONOS晶体管及其制造方法，所述凹切栅极SONOS晶体管包括：具有源/漏区的衬底；位于源/漏区之间的衬底上的栅绝缘层；凹切栅极结构，位于所述栅绝缘层上，并具有至少一个凹切；以及分别位于栅极结构的所述至少一个凹切中的至少一个ONO楔形结构。
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公开(公告)号：CN1531095A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200410001272.X
申请日：2004-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L27/12 , H01L21/28 , H01L21/768 , H01L21/8234 , H01L21/02
CPC classification number: H01L29/792 , H01L29/7923 , Y10S438/954
Abstract: 本发明公开了一种局部硅－氧化物－氮化物－氧化物－硅(SONOS)结构及其制造方法。该局部SONOS结构具有两片栅极和自对准氧化物－氮化物－氧化物(ONO)结构，包括：衬底；ONO结构，在衬底上；第一栅极层，在ONO结构上并与其对准；栅极绝缘体，在ONO结构旁的衬底上；以及，第二栅极层，在第一栅极层上和栅极绝缘体上。第一和第二栅极层彼此电连接。ONO结构、第一和第二栅极层一同限定了至少1位局部SONOS结构。相应的制造方法包括：设置衬底；在衬底上形成ONO结构；在ONO结构上形成第一栅极层并且第一栅极层与ONO结构对准；在ONO结构旁的衬底上形成栅极绝缘体；在第一栅极层和栅极绝缘体上形成第二栅极层；以及电连接第一和第二栅极层。
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公开(公告)号：CN110875375B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN201910466683.2
申请日：2019-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据示例实施例的半导体器件包括：衬底，在彼此相交的第一方向和第二方向上延伸；纳米线，在所述衬底上并在所述第二方向上彼此间隔开；栅电极，在所述第一方向上延伸且在所述第二方向上彼此间隔开，并围绕所述纳米线以与所述纳米线竖直地叠置；外部隔墙，在所述衬底上并覆盖所述纳米线上的所述栅电极的侧壁；以及隔离层，在所述栅电极之间并在所述第一方向上延伸，其中，所述隔离层的上表面与所述栅电极的上表面齐平。
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公开(公告)号：CN109427871B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN201810596906.2
申请日：2018-06-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包含衬底；堆叠在衬底上的多个沟道层；围绕多个沟道层的栅极电极；以及在栅极电极的相对侧上的嵌入式源极/漏极层。嵌入式源极/漏极层各自具有第一区域及在第一区域上的第二区域。第二区域具有具备不同成分的多个层。
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公开(公告)号：CN110620110B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN201910145007.5
申请日：2019-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 一种包括鳍型场效应晶体管(fin‑FET)的半导体器件包括：设置在衬底上的有源鳍；在有源鳍的两侧上的隔离层；形成为与有源鳍和隔离层交叉的栅极结构；在栅极结构的侧壁上在有源鳍上的源极/漏极区；第一层间绝缘层，在隔离层上与栅极结构的侧壁的部分和源极/漏极区的表面的部分接触；蚀刻停止层，构造为重叠第一层间绝缘层、栅极结构的侧壁和源极/漏极区；以及接触插塞，形成为穿过蚀刻停止层以接触源极/漏极区。源极/漏极区具有与有源鳍的上表面接触的主生长部分。
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公开(公告)号：CN110828570B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201910609149.2
申请日：2019-07-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/423
Abstract: 一种半导体器件包括：鳍型有源区，沿第一方向延伸、从衬底突出；多个纳米片堆叠结构；阻挡膜，覆盖所述多个纳米片堆叠结构之中与鳍型有源区的两侧相邻的一对纳米片堆叠结构的每个的上表面的一部分和一个侧壁；栅电极，在鳍型有源区上沿与第一方向交叉的第二方向延伸，栅电极包括围绕所述多个纳米片的实际栅电极和设置在阻挡膜上的虚设栅电极；以及栅极电介质层，在实际栅电极与所述多个纳米片之间以及虚设栅电极与阻挡膜之间。
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公开(公告)号：CN108231890B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201711107813.0
申请日：2017-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L25/07 , H01L21/50 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体装置包括：基础衬底；隐埋绝缘膜，位于所述基础衬底上；第一半导体衬底图案，位于所述隐埋绝缘膜上；第二半导体衬底图案，位于所述隐埋绝缘膜上，所述第二半导体衬底图案与所述第一半导体衬底图案间隔开；第一装置图案，位于所述第一半导体衬底图案上；第二装置图案，位于所述第二半导体衬底图案上，所述第一装置图案与所述第二装置图案具有彼此不同的特性；隔离沟槽，位于所述第一半导体衬底图案与所述第二半导体衬底图案之间，所述隔离沟槽仅局部地延伸到所述隐埋绝缘膜内；以及下部层间绝缘膜，上覆在所述第一装置图案及所述第二装置图案上且填充所述隔离沟槽。
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