公开(公告)号：CN103810792A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310559691.4

申请日：2013-11-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪承秀

IPC: G07F15/00

CPC classification number: G01R31/3606 ,  H02J7/0021 ,  H02J7/0047 ,  H02J7/007 ,  H02J2007/005

Abstract: 用于处理电源状态的方法和支持该方法的终端，其中所述终端包括：电源，配置为供应特定的电力；充电器IC，配置为收集从充电器传输至电源的电源信息；计量IC，配置为收集电源的充电信息，并且基于由充电器IC传输的电源信息来产生计量信息，以显示对电源的充电状态加以表示的燃料计；控制单元，配置为基于由计量IC传输的计量信息来显示燃料计；以及显示单元，配置为显示燃料计。

公开(公告)号：CN108231765B

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN201711394204.8

申请日：2017-12-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 成金重 ,  李正允 ,  洪承秀 ,  闵庚石 ,  朴胜周 ,  吴怜默 ,  林青美

IPC: H01L27/088

Abstract: 本发明构思涉及一种半导体器件。有源图案从衬底突出。有源图案包括第一有源图案、与第一有源图案间隔开第一距离的第二有源图案、以及与第二有源图案间隔开大于第一距离的第二距离的第三有源图案。栅极间隔物设置在跨越有源图案的栅电极的侧壁上。源极/漏极区域包括设置在有源图案中的一个的区域上的第一源极/漏极区域至第三源极/漏极区域。有源图案中的一个的所述区域邻近于栅电极的一侧设置。第一保护绝缘图案和第二保护绝缘图案分别设置在第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域下面的第一有源图案与第二有源图案之间以及在第二源极/漏极区域和第三源极/漏极区域下面的第二有源图案与第三有源图案之间的衬底上。

公开(公告)号：CN108461494A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201810087764.7

申请日：2018-01-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑铉澔 ,  李正允 ,  权台纯 ,  闵庚石 ,  成金重 ,  林青美 ,  池雅凜 ,  洪承秀

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/4236 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/10 ,  H01L29/0653 ,  H01L27/092 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823878

Abstract: 半导体器件可以包括衬底上的第一有源图案，第一有源图案包括从衬底突出的多个第一有源区。第二有源图案可以在衬底上，包括从衬底突出的多个第二有源区。第一栅电极可以包括以第一高度在第一有源图案上延伸的上部，并且包括以比第一栅电极的第一高度低的第二高度在第一有源图案上延伸的凹入部分。第二栅电极可以包括以第一高度在第二有源图案上延伸的上部，并且包括以比第二栅电极的第一高度低的第二高度在第二有源图案上延伸的凹入部分。绝缘图案可以位于第一栅电极的凹入部分和第二栅电极的凹入部分之间，并且与第一栅电极的凹入部分和第二栅电极的凹入部分直接相邻，绝缘图案使第一栅电极和第二栅电极彼此电隔离。

公开(公告)号：CN108231765A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711394204.8

申请日：2017-12-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 成金重 ,  李正允 ,  洪承秀 ,  闵庚石 ,  朴胜周 ,  吴怜默 ,  林青美

IPC: H01L27/088

Abstract: 本发明构思涉及一种半导体器件。有源图案从衬底突出。有源图案包括第一有源图案、与第一有源图案间隔开第一距离的第二有源图案、以及与第二有源图案间隔开大于第一距离的第二距离的第三有源图案。栅极间隔物设置在跨越有源图案的栅电极的侧壁上。源极/漏极区域包括设置在有源图案中的一个的区域上的第一源极/漏极区域至第三源极/漏极区域。有源图案中的一个的所述区域邻近于栅电极的一侧设置。第一保护绝缘图案和第二保护绝缘图案分别设置在第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域下面的第一有源图案与第二有源图案之间以及在第二源极/漏极区域和第三源极/漏极区域下面的第二有源图案与第三有源图案之间的衬底上。

公开(公告)号：CN107785430A

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201710641779.9

申请日：2017-07-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴胜周 ,  李正允 ,  闵庚石 ,  成金重 ,  林青美 ,  洪承秀

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823468 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7855 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7853

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包括：第一有源鳍片阵列及第二有源鳍片阵列，在衬底上设置成在第一方向上延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上相互间隔开；一对第一栅极间隔壁，在第一及第二有源鳍片阵列上设置成在第二方向上延伸，且一对第一栅极间隔壁中的每一个包括具有第一宽度的第一区、具有第二宽度的第二区、及位于第一区与第二区之间且具有第三宽度的第三区；其中一对第一栅极间隔壁的第一区位于第一有源鳍片阵列上，一对第一栅极间隔壁的第二区位于第二有源鳍片阵列上，一对第一栅极间隔壁的第三区位于第一有源鳍片阵列与第二有源鳍片阵列之间；第一宽度及第二宽度中的每一个大于第三宽度。所述半导体装置可改善生产良率。