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公开(公告)号：CN108513346A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810316575.2
申请日：2011-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04W52/02
Abstract: 提供了一种用于控制基于正交频分多址OFDMA的无线通信系统中的基站的功率放大器的方法，所述方法包括：在所述基站的射频RF处，基于比特信息确定每个符号是否包括用户数据，所述比特信息位于在通用公共无线电接口CPRI上发送的帧的特定位置中；在所述RF处，控制在子帧中的第一符号的持续时间内关闭功率放大器的偏置，所述第一符号不包括用户数据；和在所述RF处，控制在所述子帧中的第二符号的持续时间内开启所述功率放大器的偏置，所述第二符号包括用户数据。
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公开(公告)号：CN107845573A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201710811888.0
申请日：2017-09-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/66
CPC classification number: H01J37/3026 , G01Q30/06 , G03F1/36 , G03F1/72 , G06F17/50 , G06F17/5081 , H01J2237/31771 , H01J2237/31776 , H01L21/311 , H01L21/32139 , H01L22/12 , H01L22/20
Abstract: 公开了一种调整用于制造半导体器件的标线图案的特征尺寸的方法，所述方法可以包括：确定标线的图像中的多个标线图案的第一特征尺寸的对应值，并且向包括在多个标线图案中的第一标线图案提供大气等离子体，第一标线图案具有与特征尺寸的目标值不同的特征尺寸的第一值。可以不向包括在多个标线图案中的第二标线图案提供大气等离子体，第二标线图案具有约等于目标值的特征尺寸的第二值。
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公开(公告)号：CN105278285A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510196650.2
申请日：2015-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了调色剂盒和电子照相成像装置。该调色剂盒可附接到成像装置的主体或从成像装置的主体可拆卸，并且包括：调色剂容纳单元；废弃调色剂容纳单元，在重力方向上设置在调色剂容纳单元的下面并包括废弃调色剂入口，废弃调色剂流动通过该废弃调色剂入口；第一废弃调色剂传输构件，在废弃调色剂容纳单元的长度方向上从废弃调色剂入口传输废弃调色剂；和第二废弃调色剂传输构件，在废弃调色剂容纳单元的宽度方向上传输在废弃调色剂容纳单元的长度方向上被传输的废弃调色剂，以将废弃调色剂分散在废弃调色剂容纳单元的内部，其中第二废弃调色剂传输构件的旋转中心比第一废弃调色剂传输构件的旋转中心低。
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公开(公告)号：CN1881086A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610092512.0
申请日：2006-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F7/70425 , G03F1/50 , G03F7/70125 , G03F7/70566
Abstract: 根据本发明的光掩模根据使用光掩模所形成的图像类型的照射类型提供选择性区域优化。光掩模包括光偏振结构，其偏振入射到偏振结构的光。来自光刻曝光系统中的源的第一照射类型的光入射到光掩模。部分光入射到包括偏振结构的光掩模的区域，并且光的另一部分入射到不包括偏振结构的光掩模的另一区域。将入射到偏振结构的光的照射类型改变为第二照射类型，使得来自具有偏振结构的光掩模区域的入射到例如集成电路晶片衬底的光是第二照射类型。没有入射到偏振结构的部分光的照射类型没有改变，使得来自光掩模的该部分的入射到晶片的另一部分的光是第一类型。通过选择性地区域地控制光刻工序中的照射类型，在晶片的整个区域中优化曝光系统的分辨率。
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