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公开(公告)号:CN113130861A
公开(公告)日:2021-07-16
申请号:CN202011169352.1
申请日:2020-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01M4/36 , H01M4/04 , H01M4/131 , H01M4/136 , H01M10/052
Abstract: 本公开涉及活性材料结构、包括其的电极结构、包括其的二次电池及其制造方法。所述活性材料结构包括在第一方向上布置的第一活性材料线、在与第一方向相交的第二方向上布置的第二活性材料线以及在与第一方向和第二方向相交的第三方向上在第一活性材料线和第二活性材料线之间的中间活性材料线,该中间活性材料线提供在第一活性材料线和第二活性材料线的重叠区域中,其中上部活性材料线和第二活性材料线通过中间活性材料线被电连接。
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公开(公告)号:CN106450271B
公开(公告)日:2021-07-16
申请号:CN201610245210.6
申请日:2016-04-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/131 , H01M4/1391 , H01M10/0525 , H01M4/64 , H01M10/0562
Abstract: 本发明涉及正极、包括所述正极的二次电池、和制备所述正极的方法。正极包括正极集流体层、和在正极集流体层表面上的正极活性材料层。所述正极活性材料层包括具有基于锂的氧化物的多个晶粒的烧结的多晶材料,和多个晶粒各自包括晶种模板和在晶种模板周围的基体晶体,其中所述晶种模板是单晶并且具有板形状。
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公开(公告)号:CN111146403A
公开(公告)日:2020-05-12
申请号:CN201911035417.0
申请日:2019-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01M4/13 , H01M4/139 , H01M10/052 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供了电极结构、制造电极结构的方法以及包括电极结构的二次电池。该电极结构,包括:包括第一活性材料的基层;多个活性材料板,多个活性材料板中的板包括相对的侧壁和下壁,其中下壁设置在基层上,其中多个活性材料板中的相邻的板彼此间隔开,并且其中多个活性材料板中的活性材料板包括第二活性材料;在多个活性材料板中的相邻的板之间的通道,其中通道包括由相邻的板的相邻侧壁限定的第一通道区域以及连接到第一通道区域并由相邻的板的下壁与基层限定的第二通道区域。
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公开(公告)号:CN109119677A
公开(公告)日:2019-01-01
申请号:CN201810329978.0
申请日:2018-04-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01M10/0525 , H01M10/058
Abstract: 一种二次电池,包括第一电极结构、与第一电极结构间隔开的第二电极结构、以及设置在第一电极结构与第二电极结构之间的电解质层,其中第一电极结构包括集流体层和多个第一活性材料板,所述多个第一活性材料板电连接到集流体层、从集流体层突出并包括第一活性材料,其中所述多个第一活性材料板的每个板具有宽度和大于宽度的长度,并且所述多个第一活性材料板在宽度方向上和在长度方向上彼此间隔开,以及其中电解质层沿长度方向延伸到所述多个第一活性材料板之间的间隙中。
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公开(公告)号:CN108063259A
公开(公告)日:2018-05-22
申请号:CN201711082702.9
申请日:2017-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01M4/64 , H01M4/70 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M4/78 , H01M4/0445 , H01M4/661 , H01M10/0445 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M10/058 , H01M2220/30 , H01M4/64 , H01M4/70
Abstract: 本公开提供了电化学装置。一种电化学装置包括:正电极集流器;第一突出部分和第一凹入部分,该第一突出部分包括与正电极集流器电接触的多个正电极,该第一凹入部分设置在所述多个正电极中的每两个相邻的正电极之间;电解质层,包括第二突出部分和第二凹入部分,第二突出部分和第二凹入部分分别设置在包括所述多个正电极的第一突出部分以及设置在所述多个正电极中的每两个相邻的正电极之间的第一凹入部分上;以及负电极集流器层,包括分别设置在电解质层的第二突出部分和第二凹入部分上的第三突出部分和第三凹入部分。
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公开(公告)号:CN105789631A
公开(公告)日:2016-07-20
申请号:CN201610012296.8
申请日:2016-01-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01M4/66
CPC classification number: H01M10/052 , H01M4/0421 , H01M4/139 , H01M4/661 , H01M6/40 , H01M10/0459 , H01M10/0472 , H01M10/0562 , H01M10/0583 , H01M2300/0071 , H01M4/66
Abstract: 本发明提供一种二次电池及其制造方法。该二次电池包括:彼此面对的第一电极集流器层和第二电极集流器层;多个第一活性材料层,电接触第一电极集流器层并基本上垂直于第一电极集流器层;多个第二活性材料层,电接触第二电极集流器层并基本上垂直于第二电极集流器层;以及第一导体层,电接触第一电极集流器层并插入所述多个第一活性材料层中。
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