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发明公开
镧化合物、合成镧化合物的方法、镧前体组合物、形成薄膜的方法和集成电路器件的制法有权

公开(公告)号：CN106336422A

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201610529169.5

申请日：2016-07-06

Applicant: 三星电子株式会社 , 株式会社ADEKA

Inventor： 朴圭熙 , 金润洙 , 林载顺 , 曹仑廷 , 佐藤晴义 , 山田直树 , 内生藏广幸

IPC: C07F5/00 , H01L21/02

Abstract: 公开镧化合物、合成镧化合物的方法、镧前体组合物、形成薄膜的方法和集成电路器件的制法。通过使三[二(三烷基甲硅烷基)氨基]镧络合物与烷基环戊二烯反应而合成含硅中间体。通过使所述含硅中间体与基于二烷基脒的化合物反应而合成镧化合物。

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