公开(公告)号：CN108630717A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201710479146.2

申请日：2017-06-22

Applicant: 格罗方德半导体股份有限公司

Inventor： L·英格兰德 ,  B·J·帕夫拉克

IPC: H01L27/15

CPC classification number: H01L25/167 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/156 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/62 ,  H01L27/15

Abstract: 本发明涉及微LED显示组件。本公开涉及半导体结构，更具体地，涉及一种微LED显示组件及其制造方法。该结构包括插入件和多个微LED阵列，每个微LED阵列包括将多个微LED阵列的像素连接到插入件的多个通孔。

公开(公告)号：CN108417241A

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201710472935.3

申请日：2017-06-21

Applicant: 格罗方德半导体股份有限公司

Inventor： J·A·法菲尔德 ,  E·D·亨特-施罗德 ,  D·L·阿南德

IPC: G11C29/44 ,  G11C29/00 ,  G11C17/18

CPC classification number: G11C29/78 ,  G11C17/16 ,  G11C17/18 ,  G11C29/50 ,  G11C29/50008 ,  G11C29/822 ,  G11C2029/5002 ,  G11C2029/5006 ,  G11C29/44 ,  G11C29/883

Abstract: 本发明涉及用于检测时间依赖介质击穿短路和信号留余测试的电路和方法。本公开涉及一种结构，其包括被配置为编程多个写入操作的双胞基元存储器、连接到所述双胞基元存储器并被配置为感测电流差分并锁存基于所述电流差分的差分电压的电流感测放大器、以及连接到所述电流感测放大器并被配置为向所述电流感测放大器添加所偏移电流以产生所述差分电压的至少一个电流源。

公开(公告)号：CN107993932A

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201710616989.2

申请日：2017-07-26

Applicant: 格罗方德半导体股份有限公司

Inventor： 彭建伟 ,  吴旭升

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明涉及用于NFET和PFET器件的间隔物集成方案。本公开涉及半导体结构，更具体地，涉及用于NFET和PFET器件的间隔物集成方案及其制造方法。该结构包括：用于NFET器件的具有第一尺寸的侧壁间隔物的多个外延生长的鳍片结构；以及用于PFET器件的具有所述第一尺寸的侧壁间隔物的多个外延生长的鳍片结构。