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公开(公告)号：CN100520948C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200610092281.3
申请日：2004-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B20/18
Abstract: 一种一次写入盘，包括存在于导入区和导出区的至少一个中的缺陷管理区；存在于导入区和导出区的至少一个中的临时缺陷管理区；以及存在于导入区和导出区的至少一个中的驱动器和盘信息区。关于临时缺陷信息和临时缺陷管理信息的位置的信息记录在驱动器和盘信息区中，临时缺陷信息和包括驱动器和盘信息的临时缺陷管理信息被记录在临时缺陷管理区中，并且为了盘完成，最后记录在临时缺陷管理区中的临时缺陷信息和临时缺陷管理信息被记录在缺陷管理区中。
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公开(公告)号：CN100481215C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200710004384.4
申请日：2004-06-26
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李坰根
CPC classification number: G11B7/1267 , G11B7/00736 , G11B7/24038 , G11B2007/0013
Abstract: 提供一种将信息存储介质的信息存储层之间的干扰最小化的方法，该方法包括：在信息存储介质的不同半径内设置第一信息存储层的第一最优功率控制区域和第二信息存储层的第二最优功率控制区域；以及与第一最优功率控制区域和第二最优功率控制区域中的至少一个相邻而设置保留区域。
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公开(公告)号：CN101399053A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200710192710.9
申请日：2004-06-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B7/00736 , G11B7/0953 , G11B7/1267 , G11B7/24038 , G11B2007/0013 , G11B2020/1275 , G11B2020/1277 , G11B2220/235 , G11B2220/2537
Abstract: 一种能够控制最佳记录功率的信息存储介质，一个层中的最佳功率控制(OPC)区不影响不同层中的OPC区。所述信息存储介质包括至少一个信息存储层，所述信息存储层包括用于获得光记录条件的最佳功率控制区。相邻的信息存储层中的OPC区被布置在所述信息存储介质的不同半径之内。因此，即使当所述信息存储介质被偏心或具有制造误差时，也可以防止由一个信息存储层中的OPC区对相邻的信息存储层中的OPC区的影响所导致的所述信息存储介质的记录性质的降低。
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公开(公告)号：CN100466091C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200510075189.1
申请日：2005-06-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B7/00736 , G11B19/122 , G11B20/1217 , G11B20/1252 , G11B20/1262 , G11B2007/0006 , G11B2007/0013 , G11B2020/1229 , G11B2020/1259 , G11B2020/1275 , G11B2020/1278 , G11B2220/215 , G11B2220/235 , G11B2220/2537
Abstract: 一种记录和/或再现设备，一种记录和/或再现方法，以及一种信息存储介质，其中，该记录和/或再现设备包括：写和/或读单元，将数据写入具有一个或多个信息记录层的信息存储介质或从具有一个或多个信息记录层的信息存储介质读取数据；和控制单元，控制写和/或读单元以通过参考包括与信息存储介质的记录特征相应的记录相关参数信息和记录相关参数被应用到记录特征信息的一个或多个盘信息结构来将数据写入信息存储介质。根据该设备和方法，适合记录和/或再现设备的记录特征的参数以及不同规格之间的兼容性可被实现。
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公开(公告)号：CN100454397C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200480003268.5
申请日：2004-06-26
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李坰根
IPC: G11B7/007
CPC classification number: G11B7/1267 , G11B7/00736 , G11B7/24038 , G11B2007/0013
Abstract: 提供了一种将信息存储介质的第一信息存储层中的第一最优功率控制区域与第二信息存储层的第二最优功率控制区域之间的干扰最小化的方法，包括：设置第一和第二最优功率控制区域，使得每个最优功率控制区域与另一个最优功率控制区域部分重叠；以及以相反的方向记录第一最优功率控制区域和第二最优功率控制区域以最小化干扰。因此，当一个信息存储层的OPC区域执行OPC时，该OPC不影响另一个信息存储层。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN101271714A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200810082801.1
申请日：2005-05-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B19/04 , G11B19/02 , G11B19/12 , G11B20/00086 , G11B20/00702 , G11B20/1217 , G11B20/1883 , G11B2020/1278 , G11B2020/1826 , G11B2220/20
Abstract: 一种信息记录介质、一种记录/再现方法和设备、以及一种主机设备，被提供以确保具有新标准和现有标准驱动器系统的功能的信息记录介质之间的兼容性。该信息记录介质包括：数据区域；缺陷管理区域，用于管理在数据区域中发生的缺陷；和访问控制区域，其中记录关于由该介质被载入其中的记录/再现设备可识别的功能的访问控制数据和关于由该记录/再现设备不可识别的功能的访问控制数据，其中，记录在缺陷管理区域中的写保护标志和记录在访问控制区域中的访问控制数据提供用于核查该介质是否可重新初始化的重新初始化核查信息。
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公开(公告)号：CN101221800A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710160559.0
申请日：2005-04-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种信息记录介质记录和/或再现数据的设备及其方法。一种信息记录介质包括导入区、用户数据区、和导出区，并且导入区或者导出区中的至少一个包括将规定在信息记录介质的每个区是否是可记录的和/或可再现的兼容性信息记录在其中的兼容性信息区。兼容性信息可以包括关于用户数据区是否是可记录的和/或可再现的状态信息、关于导入区/导出区是否是可记录的和/或可再现的状态信息、关于兼容性信息区是否是可记录的和/或可再现的状态信息、或者关于缺陷管理区(DMA)是否是可记录的和/或可再现的状态信息中的至少一个。这里，DMA存储已经在用户数据区中出现的缺陷的信息。
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公开(公告)号：CN101221796A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200810002211.3
申请日：2003-09-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种数据记录、再现、检测和/或估计设备包括：调制器，用于根据具有用于记录/再现数据的基本时钟周期(T)的第一时钟信号通过预定调制方法来调制输入的信息数据；和比特扩展器，用于根据作为第一时钟信号的预定倍数的第二时钟信号来扩展调制的比特流的比特。通过在信息存储介质上形成具有nT长度的凹坑并且不形成具有(n±1)T长度的凹坑，使数据的稳定再现能够实现。
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公开(公告)号：CN100397499C
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200480000940.5
申请日：2004-03-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/007
Abstract: 一种保存一次写入记录介质的数据记录状态的一次写入记录介质、一种保存一次写入记录介质的数据记录状态的方法、一种包括也用于相同目的计算机可读记录代码的介质、和一种记录和/或再现装置。在该保存一次写入记录介质的数据记录状态的方法中，首先，将数据记录在该一次写入介质上。接着，产生表示已占用区域的记录状态数据，并将其记录在分配在该一次写入记录介质中的临时缺陷管理区域中。之后，接收最终确定命令以保存该一次写入记录介质的数据记录状态。然后，响应于该最终确定命令，将预定数据记录在临时缺陷管理区域中，以防止还在该一次写入记录介质上记录数据。因此，可以保存已最终确定的一次写入记录介质的数据记录状态。
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