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公开(公告)号：CN106308787A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610709811.8
申请日：2016-08-23
Applicant: 北京大学
CPC classification number: A61B5/04 , A61B5/04001 , A61B5/6848 , A61B2562/0209 , B81C1/00015 , C23C16/44 , C23C16/56
Abstract: 本发明提供了一种荧光可见的电生理微电极结构及其制作方法。主要包括：绝缘毛细管体、绝缘微米针尖和荧光涂敷层；绝缘毛细管体为管状中空结构，一端与绝缘微米针尖相连，另外一端裸露在外；绝缘微米针尖为中空结构，与特定细胞进行吸附封接，与绝缘毛细管体共同形成毛细管内的电学通路；荧光涂敷层为薄膜结构，包裹在绝缘毛细管体和绝缘微米针尖上，荧光涂敷层具有荧光特性，形成电极的荧光标记。本发明利用了Parylene材料退火后良好的自发荧光特性，解决了电生理微电极的荧光观察问题，具有良好的化学稳定性，生物兼容性和荧光可见能力。通过微电子工艺加工的方式，其成本低廉，加工重复性好，形貌控制均匀，成品率高，可批量生产。
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公开(公告)号：CN106197933A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610565292.2
申请日：2016-07-18
Applicant: 北京大学
IPC: G01M7/08
CPC classification number: G01M7/08
Abstract: 本发明提供一种热驱冲击试验机，包括：一热驱加载机构，包括两个加载热驱执行器，通过一加载放大杠杆连接，该加载放大杠杆的中点处连接一加载锯齿扣，该加载锯齿扣含有多个一类锯齿；该中点处还通过一单梁连接一冲击质量块和一负载储能弹簧；一热驱卸载机构，包括两个释放热驱执行器，通过一释放放大杠杆连接，该释放放大杠杆的中点处连接一释放锯齿扣，该释放锯齿扣含有一二类锯齿；一锯齿锁，包括两个互相平行的横梁，该两个横梁的一端设有一对三类锯齿，该三类锯齿与所述一类锯齿抵近并配合；另一端设有一对四类锯齿，该四类锯齿与所述二类锯齿抵近并配合。本发明另提供一种在线检测系统。本发明还提供一种在线检测方法。
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公开(公告)号：CN105716750A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201610037420.6
申请日：2016-01-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法。本发明首次提出具有回旋镖结构的硅应变膜，压敏电阻排布于回旋镖结构的应力集中处，提高了压阻式压力传感器的灵敏度和线性度；选择LPCVD的SiO2/Si3N4作为KOH腐蚀工艺的掩膜，提高了KOH背腔腐蚀工艺中掩膜对K+的阻挡特性从而保证传感器的高可靠性；采用了硅玻璃阳极键合工艺，其中的玻璃起到了应力缓冲的作用，提高了传感器在后续封装和测试中的稳定性。本发明的MEMS压阻式压力传感器同时具有较高的灵敏度和线性度，其制备方法兼容于通用的MEMS加工技术，产品可靠性以及成品率较高。
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公开(公告)号：CN103207545B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310097604.8
申请日：2013-03-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种采用紫外线固胶的电子束曝光方法，其步骤包括：1）清洗基片，并在基片上涂敷黏附层；2）在黏附层上旋涂剥离层光刻胶；3）对基片进行烘烤；4）在剥离层光刻胶上旋涂具有紫外敏感特性的电子束光刻胶；5）对基片进行烘烤；6）对电子束光刻胶进行电子束曝光；7）显影电子束光刻胶；8）采用紫外线照射显影后的电子束光刻胶图形，使其交联固化；9）显影剥离层光刻胶。本发明利用电子束光刻胶本身的紫外敏感特性，通过紫外线固胶的方式提高LOL剥离层和电子束光刻胶显影速度之比，解决双层胶的工艺兼容性问题，得到陡直的光刻胶侧壁。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102980695B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201210500895.6
申请日：2012-11-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种MEMS压阻式绝对压力传感器，包括设有四边形槽的基片，以及制作于该槽侧壁的四组压敏电阻，所述四组压敏电阻构成惠斯通电桥，所述四边形槽的两个相对的侧壁沿所述基片的 晶向排列，另外两个相对的侧壁沿所述基片的 晶向排列。其制作步骤为：在基片正面光刻定义P型重掺杂的引线接触区，进行离子注入和高温热退火；在基片正面光刻定义槽的形状并刻蚀四边形槽；通过P型离子注入轻掺杂进行侧壁上压敏电阻的掺杂，并进行高温热退火；制作引线孔和金属引线；划片。本发明不含应变膜，能够降低传感器的芯片尺寸，显著增加传感器的抗过载能力，提高了工艺的可靠性与器件的成品率。
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公开(公告)号：CN102583224B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201210060342.3
申请日：2012-03-08
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种MEMS和IC单片集成方法，先在基片上完成除金属互连以外的所有IC工艺，然后依次淀积氧化硅层和氮化硅层作为IC区域的保护层；再采用MEMS表面牺牲层工艺制作MEMS结构；刻蚀去除IC区域的氮化硅保护层之后，刻蚀氧化硅保护层形成引线孔，淀积并图形化金属形成金属互连；最后去除MEMS区域的牺牲层，释放MEMS可动结构。该方法不需要专用的低应力氮化硅生产设备，采用IC-MEMS交叉工艺，通过选择性去除氮化硅保护层来控制集成化片内应力，从而降低集成化工艺对IC电路性能的影响，工艺简单可靠。
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公开(公告)号：CN102967510B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201210397912.8
申请日：2012-10-18
Applicant: 北京大学
IPC: G01N3/26
Abstract: 本发明涉及一种施加垂直于悬臂梁的作用力的方法和装置，通过探针台探针向具有曲面探针头的片上力学微探针施加负载力；片上力学微探针通过曲面探针头向悬臂梁施加作用力，同时该片上力学微探针进行转动以使该悬臂梁在弯曲过程中受到的作用力始终垂直于该悬臂梁。本发明在对被测悬臂梁施加作用力的过程中不会产生沿悬臂梁方向上的弹力，也不会产生摩擦力；并且由于力学微探针的缓冲作用使得负载力的施加更稳定，测量结果更准确。
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公开(公告)号：CN103736204A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201410024820.4
申请日：2014-01-20
Applicant: 北京大学
IPC: A61N1/05
Abstract: 本发明克服现有技术卡夫圆筒直径固定，难以大规模制造，电极尺寸较大、对组织损伤较大等问题，提供一种基于微加工技术的植入式卡夫神经电极及其制作方法。基于微加工工艺，所述植入式卡夫神经电极包括：带有电极点（1）和自锁结构的长条状带子（2）、连接引线（3）和引线接点区域（4）。具有柔软轻薄、生物兼容性好、对组织损伤轻微、卡夫圆筒直径可调、尺寸精确可控、灵敏度高、可靠性高的特点。
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