-
公开(公告)号:CN101542612A
公开(公告)日:2009-09-23
申请号:CN200780042551.2
申请日:2007-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/007
CPC classification number: G11B20/1217 , G11B7/007 , G11B20/1833 , G11B2020/1239 , G11B2020/1268 , G11B2220/2541
Abstract: 一种光学记录介质、制造光学记录介质的设备和方法以及记录/再现光学记录介质的数据的设备和方法,所述光学记录介质分配有适合于高密度记录盘的容量的摆动地址,所述光学记录介质包括与光学记录介质上记录数据的记录单元块对应的摆动地址,其中摆动地址包括多个摆动地址单元,且每一摆动地址单元包括28比特的地址信息、8比特的辅助信息和24比特的奇偶校验信息。
-
公开(公告)号:CN100511441C
公开(公告)日:2009-07-08
申请号:CN200710104865.2
申请日:2004-05-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/007
CPC classification number: G11B7/00454 , G11B7/0053 , G11B7/00718 , G11B7/00736 , G11B7/0912 , G11B7/24085
Abstract: 一种信息存储介质以及一种在所述信息存储介质上记录数据和/或从所述信息存储介质再现数据的方法,包括具有至少一个信息存储层的信息存储介质。数据以突起的或锯齿状凹坑的形式被记录在所述信息存储介质的全部或部分区域中,并且关于所述突起的或锯齿状凹坑的信息被记录。通过使用关于所述突起的或锯齿状凹坑的信息,即,推挽极性信息,平稳的跟踪可被实现。
-
公开(公告)号:CN100495563C
公开(公告)日:2009-06-03
申请号:CN03824066.1
申请日:2003-09-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B20/18
CPC classification number: G11B20/1883 , G11B2020/1873 , G11B2220/20
Abstract: 一种用于使用盘中的临时缺陷管理区域来管理盘中的盘缺陷的方法和设备,以及盘,其中,该方法包括:将用户数据记录在数据区域中;和将关于记录在数据区域中的用户数据的临时缺陷信息和临时缺陷管理信息记录在存在于引入区域和引出区域的至少一个中的临时缺陷管理区域中。因此,该方法和设备可应用到可记录的盘并且能够有效地使用缺陷管理区域。
-
公开(公告)号:CN101395662A
公开(公告)日:2009-03-25
申请号:CN200780008042.8
申请日:2007-04-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/007
CPC classification number: G11B7/00736 , G11B7/00718 , G11B7/24038 , G11B7/24079 , G11B7/24085 , G11B19/122 , G11B27/322 , G11B2220/218
Abstract: 本发明公开了一种信息记录介质,能够快速封口以及有效数据记录/再现,并且公开了一种记录/再现设备和方法。该信息存储介质包括封口区,在该封口区的至少一部分内,在制造该信息存储介质的同时,形成沟槽内预凹坑和平面预凹坑。
-
公开(公告)号:CN100452224C
公开(公告)日:2009-01-14
申请号:CN03819002.8
申请日:2003-06-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B20/18
CPC classification number: G11B20/1883 , G11B20/1217 , G11B20/18 , G11B20/1879 , G11B2020/1896 , G11B2220/20
Abstract: 提供了一种允许缺陷管理的高密度一次写入记录介质以及一种用于管理缺陷的方法和设备。根据该高密度一次写入记录介质,数据以轨道或簇被写入该记录介质,写入的数据被验证,并且如果发现缺陷,则缺陷部分被跳过,并且相应于该缺陷部分的数据和随后写入的数据被重新写入下一个可用记录位置。使用滑移替换的缺陷管理方法应用于在其中缺陷被发现的高密度一次写入记录介质,由此通过将在该记录介质中发现的缺陷滑移来允许连续记录,并且还提高了该记录介质的可靠性。
-
公开(公告)号:CN101300624A
公开(公告)日:2008-11-05
申请号:CN200680040936.0
申请日:2006-12-20
IPC: G11B7/0045
CPC classification number: G11B7/0062 , G11B7/00736 , G11B7/1267 , G11B20/10055
Abstract: 一种优化光记录介质的写入条件的方法,包括:在光记录介质上按照写入条件写入测试模式数据;将通过再现写入的测试模式数据检测的误差模式二进制信号与测试模式数据的校正模式二进制信号进行比较;以及基于比较的结果来确定光记录介质的最佳写入条件。
-
公开(公告)号:CN100428354C
公开(公告)日:2008-10-22
申请号:CN03821541.1
申请日:2003-09-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B20/18
CPC classification number: G11B20/1883 , G11B27/105 , G11B27/329 , G11B2020/10861 , G11B2020/1873 , G11B2020/1893 , G11B2220/20 , G11B2220/218 , G11B2220/2562
Abstract: 提供一种缺陷管理方法和装置。该方法包括:(a)以预定的数据单位记录数据;(b)验证已记录的数据以检测该盘的在其中存在缺陷的区域;(c)将从具有缺陷的区域到后面的包含数据的区域指定为缺陷区域,或者只将具有缺陷的区域指定为缺陷区域;(d)将关于已指定的缺陷区域的信息在盘的数据区域中记录为临时缺陷信息;和(e)将用于管理临时缺陷信息的信息记录在临时缺陷管理信息区域中。该方法和装置可用于一次写入盘并且适合于记录不同类型的数据,从而实现更加正确的实时数据再现。
-
公开(公告)号:CN100426387C
公开(公告)日:2008-10-15
申请号:CN200410030070.8
申请日:2002-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/0045 , G11B7/125
CPC classification number: G11B7/126 , G11B7/00454 , G11B7/00456 , G11B7/0062
Abstract: 一种用于在光记录介质上记录数据的方法和装置。该方法包括通过利用具有一包含多脉冲的擦除模式的记录波形来形成标记或间隙。通过这样操作,该方法能防止标记形状的畸变并改进标记形状,从而改进了记录/再现特性。一种用于在光记录介质上记录数据的装置,其包括:记录波形发生单元,其产生具有一包含多脉冲的擦除模式和包含另外多脉冲的记录模式的记录波形;和一拾取单元,其根据所产生的记录波形将光照射在光记录介质上,以便在光记录介质上形成标记或间隙。
-
公开(公告)号:CN101276625A
公开(公告)日:2008-10-01
申请号:CN200810082802.6
申请日:2005-05-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B19/04 , G11B19/02 , G11B19/12 , G11B20/00086 , G11B20/00702 , G11B20/1217 , G11B20/1883 , G11B2020/1278 , G11B2020/1826 , G11B2220/20
Abstract: 一种信息记录介质、一种记录/再现方法和设备、以及一种主机设备,被提供以确保具有新标准和现有标准驱动器系统的功能的信息记录介质之间的兼容性。该信息记录介质包括:数据区域;缺陷管理区域,用于管理在数据区域中发生的缺陷;和访问控制区域,其中记录关于由该介质被载入其中的记录/再现设备可识别的功能的访问控制数据和关于由该记录/再现设备不可识别的功能的访问控制数据,其中,记录在缺陷管理区域中的写保护标志和记录在访问控制区域中的访问控制数据提供用于核查该介质是否可重新初始化的重新初始化核查信息。
-
公开(公告)号:CN100419661C
公开(公告)日:2008-09-17
申请号:CN200480014586.1
申请日:2004-08-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B20/00086 , G11B20/00268 , G11B20/1217 , G11B2020/1287
Abstract: 为了保护盘上的版权数据,提供了一种用于在盘上产生烧录区(BCA)来防止未授权复制的方法和设备以及一种具有BCA的信息存储介质。所述信息存储介质包括:用户数据记录区;和烧录区(BCA),在其上控制信息通过使用开关键控(OOK)调制被调制并被记录。根据所述方法和设备,通过在调制之前将开始图样插入到数据比特来产生BCA数据调制之后的通道比特,从而不需要单独调制表。因此,BCA中的记录密度增大,并且通过使用开始图样,可与数据区分的同步图样产生,并且当恢复数据时所述同步图样可被用作锁相环(PLL)的信号。
-
-
-
-
-
-
-
-
-