一种非完美单晶锗片的高温成形装置

    公开(公告)号:CN112845838A

    公开(公告)日:2021-05-28

    申请号:CN202011335717.3

    申请日:2020-11-25

    Abstract: 一种非完美单晶锗片的高温成形装置由加热电炉、温度控制系统、模具系统、加载系统、真空保护系统、操作台、辅助系统部分组成;加热电炉的炉膛为圆柱形且炉口朝下,炉膛且具有垂直升降或开合功能;真空系统由玻璃罩、阻挡法兰、玻璃罩支撑板、真空泵及其附件组成;弯曲模、精整模、碾平模均内置于玻璃罩内。通过操作手套和旋转杆和夹钳,可在高温真空环境下完成单晶片的移位和翻转等操作。本设备原理简单,极大地简化非完美单晶片的生产流程,提高了生产效率高。

    一种中熵合金板材的加工热处理工艺

    公开(公告)号:CN112048682A

    公开(公告)日:2020-12-08

    申请号:CN202010892697.3

    申请日:2020-08-31

    Abstract: 本发明涉及一种中熵合金板材的加工热处理工艺,包括以下步骤:S1:制备第一合金铸锭;S2:对第一合金铸锭进行热处理得到第二合金铸锭;S3:将第二合金铸锭在室温下进行第一次冷轧,将其变形量控制在50%‑70%之间,得到第三合金铸锭;S4:对第三合金铸锭进行热处理得到第四合金铸锭;S5:将第四合金铸锭在室温下第二次冷轧,并将其变形量控制在20‑55%之间,得到第五合金铸锭;然后将第五合金铸锭低温冷却后第三次冷轧,并将其变形量控制在40%‑60%之间,从而得到薄板;S6:对薄板进行第三次热处理。本发明提供的中熵合金板材的加工热处理工艺制备得到的合金板材成分分布均匀,强度明显提高,具有优异的力学性能。

    一种抑制激光焊接气孔的焊接方法与系统

    公开(公告)号:CN111001934A

    公开(公告)日:2020-04-14

    申请号:CN201911387388.4

    申请日:2019-12-30

    Abstract: 本发明涉及一种抑制激光焊接气孔的焊接方法与系统,其特征在于:步骤1:提供第一母材和第二母材,采用专用夹具将母材上下垂直叠接并留有间隙,获得待焊接试件;步骤2:提供负压装置,负压装置包括抽气泵,压力调节阀,吸附组件;步骤3:将负压装置吸附组件与待焊接试件连通,开启激光发生器,激光束垂直辐照待焊接试件上表面,开启保护气体吹气装置,开启负压装置;步骤4:激光束沿欲焊接路线移动直到焊接完成,关闭其他相应的装置,完成焊接过程。在本发明中,焊接间隙的存在使得小孔前沿熔融金属向间隙流动,小孔前沿稳定性提高。同时,负压装置的存在可以有效抑制相关气孔形成与提高熔池及匙孔的稳定性,进一步提升了焊接接口的力学性能。

    一种轻质高强韧多主元阻尼合金材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN115522112A

    公开(公告)日:2022-12-27

    申请号:CN202211261507.3

    申请日:2022-10-14

    Abstract: 本发明公开一种轻质高强韧多主元阻尼合金材料及其制备方法,所述的轻质高强韧多主元阻尼合金的原料组分质量百分比为:Al:1~5%、Co:25~35%、Ni:25~35%,余量为铁。由纯度大于99.95%的Fe、Co、Ni单质和Ni‑Al二元合金作为原料熔炼而成。制备方法包括:前处理、铸锭熔炼、合金均匀化、机械加工、热处理五个步骤。本发明发挥多主元合金的鸡尾酒效应,通过制备工艺向合金中引入固溶强化、细晶强化。本发明制备的多主元阻尼合金材料为单相FCC结构组织特征,具有较好的强韧性和阻尼性能搭配,在室温下其抗拉强度超过610MPa,断裂应变在35%以上,阻尼内耗值Q‑1大于0.025,本发明制备工艺简单,易于实现,可适用于复杂环境条件下的阻尼结构材料。

    一种低成本六方氮化硼表面化学镀镍前无钯活化方法

    公开(公告)号:CN115125525A

    公开(公告)日:2022-09-30

    申请号:CN202210789861.7

    申请日:2022-07-05

    Abstract: 本发明公开了一种低成本六方氮化硼表面化学镀镍前无钯活化方法,对六方氮化硼进行表面酸碱蚀刻处理,再通过热处理清除表面残留杂质。将热处理后的六方氮化硼置于分散剂溶液中,使其均匀分散。按比例加入硝酸银和柠檬酸钠,在超声振荡中活化处理,然后用无水乙醇清洗并过滤。本发明是一种低成本的活化方法,成本大约为氯化钯活化的1/20,并且其工艺工程简单,活化效果好,能实现后续镍层的均匀包覆;活化产生的纳米银层也是优异的固体润滑剂;活化过程使用常规药品,可以适用于大批量连续生产。

    一种Ta调控CoCrNiTax共晶高熵合金及其制备方法

    公开(公告)号:CN112899546B

    公开(公告)日:2022-08-09

    申请号:CN202110066077.9

    申请日:2021-01-19

    Abstract: 本发明提出一种Ta调控CoCrNiTax共晶高熵合金及其制备方法,其化学表达式为CoCrNiTax,各元素的摩尔比为1:1:1:x(0.3≤x≤0.5)。本发明通过调控Ta元素在合金中的含量,设计制备得到不同成分的含有共晶组织的高熵合金,其中,0.3≤x<0.4时为亚共晶高熵合金;x=0.4时为共晶高熵合金;0.4<x≤0.5时为过共晶高熵合金。本发明所述共晶高熵合金制备方法为:对所需金属的片状、块状单质原料以砂纸打磨去除表面氧化物和杂质,经水和酒精清洗,干燥,按照摩尔比配制预处理的单质原料。熔炼时先熔炼Ti块以去除残留的氧气分子,之后分别熔炼2‑3次Co‑Ni二元合金、Cr‑Ta二元合金,最后整体熔炼3‑5次Co‑Cr‑Ni‑Ta高熵合金,得到椭球状合金铸锭。本发明的合金微观组织均匀,强度高,共晶组织为连续片层结构。

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