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公开(公告)号：CN110261698B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201910537324.1
申请日：2019-06-20
Applicant: 重庆大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明涉及一种基于MMC换流阀应用工况的金属化膜电容器可靠性测评方法，属于高压直流输电技术领域，包括以下步骤：S1：获取金属化膜电容器在应用工况下的电容电压波动值及环境温度，基于电容器参考工况下的温升与电压波动值，获得金属化膜电容器的温度；S2：考虑温度和电压应力对电容器金属腐蚀速率的加速作用，提取金属化膜电容器温度加速因子和电压加速因子，基于电容器在参考工况下的寿命数据，计算金属化膜电容器在MMC换流阀不同应用工况下的寿命；S3：基于Miner法则与等损伤原则，建立金属化膜电容器可靠性测评模型，形成可靠性测评方案。
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公开(公告)号：CN113447175A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110725760.9
申请日：2021-06-29
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种非侵入式压接型功率半导体器件接触压强监测方法及系统，属于半导体器件技术领域。该系统采用由超声探头、金属垫块、弹簧、承重金属板组成的超声弹性探头测试板，根据压接型功率半导体器件封装方式及应用条件，用以放置超声探头，发射和接收超声波；采用超声脉冲发生/接收器发生超声波，同时接收超声反射波信号；采用示波器及上位机记录超声反射波信号，并计算得到压接型功率半导体器件接触面动态接触压强。本发明可以实现压接型功率半导体器件内部动态接触压强变化的精确测量，并具有非侵入式测量的优点。
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公开(公告)号：CN112885797A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110062006.1
申请日：2021-01-18
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L23/373 , H01L23/367 , H01L23/473 , H01L21/67
Abstract: 本发明属于半导体器件生产技术领域。涉及一种低接触热阻压接型半导体器件结构、制造方法，其中低接触热阻压接型半导体器件结构，包括多个压接元件，相邻两个压接元件之间设有高热导率、电导率的填充层；低接触热阻压接型半导体器件的制造方法，包括如下步骤：第一步，将液态金属热界面材料均匀喷涂在各压接元件表面；第二步，将各压接元件按半导体器件结构组装并放置在固定夹具中；第三步，采用步进式加压法对半导体器件进行封装。本发明中半导体器件具有高热导率、电导率的优点，采用的制作方法具有工艺过程简单，经济成本较低的优点。
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公开(公告)号：CN108090301B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201810008176.X
申请日：2018-01-04
Applicant: 重庆大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/30 , G06F119/04
Abstract: 本发明涉及一种计及内部材料疲劳寿命的压接式IGBT器件可靠性计算方法。首先，建立压接式IGBT器件的几何模型，根据压接式IGBT器件的运行工况设置有限元仿真条件；其次，通过仿真得到每层材料承受的疲劳强度，提取其疲劳属性参数，计算每层材料疲劳失效的循环次数；最后，计算器件中每层材料的疲劳寿命和故障率，建立单芯片压接式IGBT器件的可靠性计算模型，获取压接式IGBT器件故障率等可靠性指标。本发明提供一种计及内部材料疲劳寿命的压接式IGBT器件可靠性计算方法，充分考虑了压接式IGBT器件中不同材料属性寿命对器件可靠性的影响，提高了压接式IGBT器件可靠性计算准确性，可广泛用于压接式IGBT器件的可靠性设计和薄弱环节评估。
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公开(公告)号：CN112630596A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011481638.3
申请日：2020-12-15
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种风电变流器IGBT器件开路故障综合诊断方法，属于电子器件领域。该方法步骤：S1：分析机侧变流器IGBT开路故障对直流母线电压的影响；S2：根据机侧变流器IGBT开路故障前后直流母线电压的分布特性，实现基于累积和算法的故障直流母线电压在线诊断；S3：计算变流器输出电流归一化平均值与绝对平均值，分析不同开路故障类型的输出电流归一化绝对平均值特性设计故障识别阈值；S4：基于故障识别特征量与其阈值的比较，建立双馈风电机侧变流器IGBT开路故障定位的决策函数。本发明方法不仅能够实现双馈风电机侧变流器IGBT开路故障的在线诊断，而且能实现其故障的定位。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111259583A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010033598.X
申请日：2020-01-13
Applicant: 重庆大学
IPC: G06F30/23 , G06F111/10 , G06F119/14
Abstract: 本发明涉及一种基于空洞率的IGBT模块焊料层疲劳老化失效模拟方法，属于半导体技术领域。首先获取IGBT模块各层组件的几何尺寸及材料物理属性参数，模拟空洞模拟焊料层的疲劳老化失效过程；并将模拟过程导入Solidwork软件建立含空洞的焊料层三维模型；其次，将焊料层三维模型导入Comsol软件建立IGBT器件的几何模型，对IGBT器件的几何模型进行网格剖分；然后，将实际工况的电压、电流应力进行等效并施加到IGBT器件上进行机热电多耦合场仿真；最后，评估焊料层疲劳老化对IGBT器件的可靠性影响。本发明考虑了焊料层疲劳老化的失效演化过程，提高了IGBT模块可靠性评估的准确性。
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公开(公告)号：CN110133464A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910399482.5
申请日：2019-05-14
Applicant: 重庆大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种基于MMC换流阀应用工况的IGBT器件功率循环测评方法，属于高压直流输电技术领域。该方法包括：首先，基于IGBT和二极管的损耗模型，得到器件的导通损耗和开关损耗，根据IGBT器件热网络模型，提取IGBT器件和二极管的平均结温与结温波动幅值；其次，考虑MMC换流阀运行工况，提出器件故障率计算模型，获取器件故障率及循环次数；最后基于Miner法则与等损伤原则对IGBT器件进行可靠性测评建模，获取不同外加测试条件下IGBT器件可靠性指标的变化规律，形成可靠性测评方案。本发明形成了IGBT器件可靠性测评方法，对准确评估MMC换流阀用IGBT器件可靠性具有重要意义。
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公开(公告)号：CN107086804B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201710533785.2
申请日：2017-07-03
Applicant: 重庆大学
IPC: H02M7/483
Abstract: 本发明涉及一种双馈抽水蓄能机组用三电平变流器降低损耗的调制方法，属于电力电子器件技术领域。该方法具体包括：利用机侧变流器端三相电压，计算合成电压矢量大小及其相位，通过判断合成电压大小，确定其在扇区中的位置，当其处于低调制度时，通过降低不同扇区中损耗最大器件的工作时间，同时考虑新电的开关顺序对中性点的影响，获得改进调制策略，从而实现降低三电平变流器功耗最大器件的损耗和结温的目的。该有效降低双馈抽水蓄能机组用三电平变流器功耗最大器件损耗和结温，为提高IGBT器件运行可靠性及其使用寿命提供技术支持。
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公开(公告)号：CN119862837A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202411769007.X
申请日：2024-12-04
Applicant: 重庆大学 , 国网冀北电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明涉及一种计及寄生电容电热特性的IGBT器件场路联合仿真方法，属于功率半导体器件仿真建模技术领域，包括以下步骤：S1：在Simulink中构建IGBT电路模型；S2：在COMSOL中构建IGBT电热耦合多物理场模型；S3：定义各部分的材料属性，定义IGBT芯片寄生电容的电压和温度敏感特性；考虑温度变化和电压变化对极间电容的影响，定义基于静电学的电容计算公式；S4：设置多物理场和边界条件，选择电场、热场耦合模块，设置电场强度、温度初始边界条件；S5：对Simulink模型和COMSOL模型进行场路联合；S6：进行Simulink‑COMSOL联合仿真，通过仿真模型获得IGBT动静态特性。
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公开(公告)号：CN118550208A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410483646.3
申请日：2024-04-22
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种交流励磁抽水蓄能机组的系统频率响应建模方法，属于交流励磁抽水蓄能机组领域。该方法首先基于小信号线性化方法建立交流励磁抽水蓄能机组各模块的低阶线性化方程，然后结合各模块的低阶线性化方程得到交流励磁抽水蓄能机组的频率‑有功传递函数，最后基于频率‑有功传递函数即构建得到系统频率响应模型。本发明考虑了交流励磁抽水蓄能机组机电暂态特性的影响，基于频率‑有功线性传递函数建立了系统频率响应模型，可提高系统频率响应模型的准确性，使系统的调频性能指标求取更为准确。
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