公开(公告)号：CN102237419A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201110118328.X

申请日：2011-04-28

Applicant: 通用电气公司

Inventor： B·A·科雷瓦尔

IPC: H01L31/0328 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/075

CPC classification number: H01L31/075 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/056 ,  H01L31/073 ,  H01L31/1828 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/543 ,  Y02E10/548

Abstract: 光伏(PV)电池(10)包括第一导电层(12)、p型半导体层(14)和具有至少大约5μm的中等晶粒尺寸并且包括镉和碲的大致上本征的半导体层(16)。该PV电池进一步包括n型半导体层(18)和第二导电层(22)。该大致上本征半导体层设置在该p型半导体层和该n型半导体层之间。还提供光伏电池(10)，其包含包括织构化衬底的第一导电层(12)和具有至少大约5μm的中等晶粒尺寸并且包括镉和碲的大致上本征的半导体层(16)。

公开(公告)号：CN101582464A

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200910141996.7

申请日：2009-04-30

Applicant: 通用电气公司

Inventor： B·A·科雷瓦尔 ,  J·N·约翰逊 ,  T·R·托利弗 ,  T·C·克罗伊茨 ,  X·张

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/042 ,  H01L31/0256 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L31/03529 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/065 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/548

Abstract: 本发明涉及在组成上被分级的和在结构上被分级的光伏器件以及制造这种器件的方法。本发明描述了半导体结构，其包括半导体衬底(12)和布置在半导体衬底(12)上的半导体层(14)。该半导体层(14)同时在组成上被分级和在结构上被分级。特别地，该半导体层(14)沿着其厚度在组成上被分级从在与衬底(12)的界面(16)处为基本上本征的到相对表面(18)处为基本上掺杂的。另外，该半导体层(14)沿着其厚度在结构上被分级从在与衬底(12)的界面(16)处为基本上晶态的到相对表面(18)处为基本上非晶态的。本发明还描述了相关的方法。