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公开(公告)号：CN108855193A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810812044.2
申请日：2018-07-23
Applicant: 辽宁大学
Abstract: 本发明涉及TaN/BiVO4异质结复合材料及其制备方法和应用。TaN/BiVO4异质结复合材料是采用浸渍的方法将氮化钽负载在钒酸铋上形成的异质结构的复合材料。本发明改善了单独半导体在光激发电子后，其电子和空穴再结合速率快的缺点，制备了一种TaN/BiVO4异质结复合材料，间接地加快了电荷与空穴的分离效率，进一步地提高了光激发的电子利用率，提高了光电催化效率。本发明通过修饰半导体，实现高效光电分解水。
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