集成电路用气密封装盖板制备方法

    公开(公告)号:CN1252806C

    公开(公告)日:2006-04-19

    申请号:CN200310121010.2

    申请日:2003-12-31

    Abstract: 本发明涉及集成电路用气密封装盖板制备方法,包括将可伐合金冲成片材,于其上镀金,将AuSn20合金箔带材冲制成框或环,镀金可伐合金片材表面上放置有形状相互对应的AuSn20合金框,脉冲点焊实现镀金可伐合金片材与AuSn20合金框的固定连接。采用本发明制备的复合盖板,可用于集成电路封装,简化了封装流程,缩短了封装周期,增强了集成电路器件的气密性,有助于改善产品外观,提高产品的合格率。

    锡基合金钎料
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1555959A

    公开(公告)日:2004-12-22

    申请号:CN200310121009.X

    申请日:2003-12-31

    Abstract: 本发明涉及锡基合金钎料,其质量百分比成分为:Au7~11,Sb0.1~0.5,余量Sn。本发明钎料具有优良的钎焊特性,钎焊温度低,为250℃。在钎焊温度下,漫流性和间隙填充性极好。合金中添加的Sb成分,有效地提高了钎焊接头的强度,改善了钎焊接头的光亮度,降低了接头表面的粗糙度。该钎料可用于微电子电路的钎焊。

    高密度铱熔铸及制品制备方法

    公开(公告)号:CN101376206B

    公开(公告)日:2010-10-13

    申请号:CN200810233419.6

    申请日:2008-10-09

    Abstract: 本发明公开了高密度铱熔铸和制品的制备方法,按下列步骤完成:铱粉放入氧化镁坩埚中,置于真空感应炉内;抽真空到10~50Pa,充氩气,加热熔化铱;熔化的铱浇铸于氧化锆或水冷铜铸模内,制成铱棒,铱锭或铱坩埚,铱棒和铱锭1300~1600℃热加工制备成铱丝和铱板(片)。本发明在10~50Pa条件下熔炼铱,铸造铱密度不低于22g/cm3,达到理论密度的98%以上。

    高密度铱熔铸及制品制备方法

    公开(公告)号:CN101376206A

    公开(公告)日:2009-03-04

    申请号:CN200810233419.6

    申请日:2008-10-09

    Abstract: 本发明公开了高密度铱熔铸和制品的制备方法,按下列步骤完成:铱粉放入氧化镁坩埚中,置于真空感应炉内;抽真空到10~50Pa,充氩气,加热熔化铱;熔化的铱浇铸于氧化锆或水冷铜铸模内,制成铱棒,铱锭或铱坩埚,铱棒和铱锭1300~1600℃热加工制备成铱丝和铱板(片)。本发明在10~50Pa条件下熔炼铱,铸造铱密度不低于22g/cm3,达到理论密度的98%以上。

    集成电路用气密封装盖板制备方法

    公开(公告)号:CN1556544A

    公开(公告)日:2004-12-22

    申请号:CN200310121010.2

    申请日:2003-12-31

    Abstract: 本发明涉及集成电路用气密封装盖板制备方法,包括将可伐合金冲成片材,于其上镀金,将AuSn20合金箔带材冲制成框或环,镀金可伐合金片材表面上放置有形状相互对应的AuSn20合金框,脉冲点焊实现镀金可伐合金片材与AuSn20合金框的固定连接。采用本发明制备的复合盖板,可用于集成电路封装,简化了封装流程,缩短了封装周期,增强了集成电路器件的气密性,有助于改善产品外观,提高产品的合格率。

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