公开(公告)号：CN118156307A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410152688.9

申请日：2024-02-03

Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 ,  西安电子科技大学

Inventor： 刘志宏 ,  王兆峰 ,  许淑宁 ,  樊雨佳 ,  徐美 ,  邢伟川 ,  张苇杭 ,  赵胜雷 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L29/45 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种基于隧穿结的P沟道晶体管结构及其制备方法，结构包括衬底、成核层、缓冲层、N型沟道层、势垒层、P型沟道层、P型掺杂层、N型掺杂层、源电极、漏电极、栅介质层和栅电极；衬底、成核层、缓冲层、N型沟道层、势垒层、P型沟道层、P型掺杂层、N型掺杂层依次层叠，且P型掺杂层和N型掺杂层中开设有栅凹槽；源电极位于N型掺杂层表面且位于栅凹槽的一侧；漏电极位于N型掺杂层表面且位于栅凹槽的另一侧；栅介质层位于栅凹槽的表面和N型掺杂层的表面；栅电极位于栅凹槽中的栅介质层上且位于N型掺杂层上的部分栅介质层上。该结构通过在P型掺杂层上设置N型掺杂层，提高了P型氮化镓沟道晶体管的电流和跨导。

公开(公告)号：CN117153867A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202311022048.8

申请日：2023-08-14

Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 ,  西安电子科技大学

Inventor： 刘志宏 ,  许淑宁 ,  樊雨佳 ,  徐美 ,  周瑾 ,  邢伟川 ,  张苇杭 ,  侯松岩 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/205 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明涉及一种垂直FinFET结构的晶体管及其制备方法，晶体管包括：从下至上依次层叠设置的衬底层、成核层、缓冲层、漏极接触层；设置于漏极接触层之上的漂移层；设置于鳍部之上的沟道层；设置于沟道层之上的源极接触层；设置于漂移基底层之上的第一势垒层和第二势垒层；设置于漂移基底层之上的两个栅电极；设置于第一势垒层、源极接触层和第二势垒层之上的源电极；设置于漏极接触层上表面的两端的两个漏电极。本发明可以利用异质结结构的自发极化和压电极化特性在界面附近形成高迁移率的二维电子气导电沟道，由此可以显著提高载流子迁移率和导电性。

公开(公告)号：CN115032169A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202210426643.7

申请日：2022-04-21

Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 ,  西安电子科技大学

Inventor： 李凯 ,  刘志宏 ,  宁静 ,  冯时 ,  徐美 ,  周瑾 ,  冯欣 ,  游淑珍 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: G01N21/3581 ,  H01L27/146

Abstract: 本发明涉及一种氮化镓基太赫兹探测器阵列单元、探测器及制备方法，阵列单元包括：太赫兹天线、检波单元和功率放大器。检波单元包括至少一个第一晶体管，功率放大器包括至少一个第二晶体管，至少一个第一晶体管和至少一个第二晶体管均采用氮化镓基高电子迁移率晶体管且集成在同一预制片上；太赫兹天线与至少一个所述第一晶体管中的检波单元输入端连接，至少一个所述第一晶体管中的检波单元输出端与至少一个所述第二晶体管中的功率放大器输入端连接。该阵列单元检波单元的晶体管与功率放大器的晶体管集成于同一衬底上，能够有效提高探测器像元一致性与集成度，减少封装和工艺加工成本，提高整个探测器阵列单元的高温工作能力。

公开(公告)号：CN114975624A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210767532.2

申请日：2022-07-01

Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 ,  西安电子科技大学

Inventor： 刘志宏 ,  樊雨佳 ,  徐美 ,  许淑宁 ,  邢伟川 ,  周瑾 ,  危虎 ,  杨伟涛 ,  冯欣 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种高线性度GaN基HEMT器件结构及其制备方法，该结构从下往上依次包括衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层，势垒层上方设有漏电极、栅电极，漏电极与栅电极之间的势垒层上方为第一钝化层；势垒层和沟道层的一端部设置有凹槽，凹槽中设置有源电极，源电极与栅电极之间的势垒层上方为第二钝化层，漏电极与二维电子气形成欧姆接触；源电极与二维电子气形成肖特基接触，使源电阻RS随沟道电流的增大而减小，从而提高了GaN基HEMT的跨导平坦度和线性度。

公开(公告)号：CN117096180A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202311018067.3

申请日：2023-08-14

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 樊雨佳 ,  刘志宏 ,  徐美 ,  许淑宁 ,  杜航海 ,  刑伟川 ,  周瑾 ,  危虎 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了具有线性度增强的氮化镓晶体管器件，自下而上依次包括衬底、成核层、缓冲层、沟道层和势垒层，势垒层上方设有漏电极和栅电极，在沟道层与势垒层的界面中形成二维电子气；势垒层和沟道层一端设置有凹槽，凹槽底端位于沟道层中上部，凹槽顶端高于势垒层上表面，凹槽中设置有源电极Ⅰ、源电极Ⅱ和源电极Ⅲ，源电极Ⅰ、源电极Ⅱ和源电极Ⅲ和二维电子气的接触分别为欧姆接触、肖特基接触和欧姆接触。本发明还公开了该氮化镓晶体管器件的制备方法。通过在源极引入正向和反向两个肖特基势垒，使其与二维电子气形成肖特基二极管，使得在一定的Vgs范围内源极串联电阻基本不变，实测跨导gm变平坦，从而稳定栅对沟道电流的控制能力。