-
公开(公告)号：CN117153867A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311022048.8
申请日：2023-08-14
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/205 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及一种垂直FinFET结构的晶体管及其制备方法，晶体管包括：从下至上依次层叠设置的衬底层、成核层、缓冲层、漏极接触层；设置于漏极接触层之上的漂移层；设置于鳍部之上的沟道层；设置于沟道层之上的源极接触层；设置于漂移基底层之上的第一势垒层和第二势垒层；设置于漂移基底层之上的两个栅电极；设置于第一势垒层、源极接触层和第二势垒层之上的源电极；设置于漏极接触层上表面的两端的两个漏电极。本发明可以利用异质结结构的自发极化和压电极化特性在界面附近形成高迁移率的二维电子气导电沟道，由此可以显著提高载流子迁移率和导电性。
-
公开(公告)号：CN115188841A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210716571.X
申请日：2022-06-22
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/112 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种GaN HEMT结构太赫兹探测器及制备方法，太赫兹探测器包括：衬底层、复合缓冲层、沟道层、势垒层、栅电极、源电极、漏电极、钝化层和微透镜，其中，衬底层、复合缓冲层、沟道层、势垒层依次层叠；栅电极、源电极、漏电极均位于势垒层上，且栅电极位于源电极和漏电极之间；钝化层位于势垒层、栅电极、源电极和漏电极上；微透镜位于钝化层上，且微透镜的表面呈凸起状以聚焦入射太赫兹波。该太赫兹探测器中设置表面呈凸起状的微透镜以聚焦入射太赫兹波，可以减小GaN HEMT结构太赫兹探测器对太赫兹波的接受面积，提高接受太赫兹波的效率，提高太赫兹探测器的响应度等各项指标，整体上提高该太赫兹探测器的探测信号的性能。
-
公开(公告)号：CN114975624A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210767532.2
申请日：2022-07-01
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种高线性度GaN基HEMT器件结构及其制备方法，该结构从下往上依次包括衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层，势垒层上方设有漏电极、栅电极，漏电极与栅电极之间的势垒层上方为第一钝化层；势垒层和沟道层的一端部设置有凹槽，凹槽中设置有源电极，源电极与栅电极之间的势垒层上方为第二钝化层，漏电极与二维电子气形成欧姆接触；源电极与二维电子气形成肖特基接触，使源电阻RS随沟道电流的增大而减小，从而提高了GaN基HEMT的跨导平坦度和线性度。
-
公开(公告)号：CN117096180A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311018067.3
申请日：2023-08-14
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/417 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了具有线性度增强的氮化镓晶体管器件，自下而上依次包括衬底、成核层、缓冲层、沟道层和势垒层，势垒层上方设有漏电极和栅电极，在沟道层与势垒层的界面中形成二维电子气；势垒层和沟道层一端设置有凹槽，凹槽底端位于沟道层中上部，凹槽顶端高于势垒层上表面，凹槽中设置有源电极Ⅰ、源电极Ⅱ和源电极Ⅲ，源电极Ⅰ、源电极Ⅱ和源电极Ⅲ和二维电子气的接触分别为欧姆接触、肖特基接触和欧姆接触。本发明还公开了该氮化镓晶体管器件的制备方法。通过在源极引入正向和反向两个肖特基势垒，使其与二维电子气形成肖特基二极管，使得在一定的Vgs范围内源极串联电阻基本不变，实测跨导gm变平坦，从而稳定栅对沟道电流的控制能力。
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.028 seconds)
