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公开(公告)号：CN117779448A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311841333.2
申请日：2023-12-28
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开一种柔性碳布/高熵碳化物陶瓷纳米线复合材料及其制备方法和应用。包括将高熵陶瓷前驱体与NaF、Ni(NO3)2·6H2O、Fe(NO3)3·9H2O分散在二甲苯中，搅拌得到混合溶液；将棉布置于所述混合溶液中浸渍烘干后，在惰性气氛下进行真空煅烧处理，制得所述一种柔性碳布/高熵碳化物陶瓷纳米线复合材料。该方法操作简单、组成可控、制备温度低、反应时间短、实现在较低温度下、在柔性碳布基底上获得元素分布均匀且组分可控的高熵碳化物陶瓷纳米线。
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公开(公告)号：CN117024165A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310891173.6
申请日：2023-07-20
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B35/83 , C04B35/52 , C04B35/622 , C04B35/628
Abstract: 本发明涉及一种跨尺度增韧碳/碳复合材料及其制备方法。所述跨尺度增韧碳/碳复合材料包括碳纤维预制体、在碳纤维预制体的碳纤维表面呈放射状原位生长的SiC纳米线、以及在SiC纳米线表面生长方向随机地原位生长的碳纳米管，并且所述生长有放射状SiC纳米线‑碳纳米管的碳纤维预制体经过等温化学气相渗透致密化处理。本方法受到树木根系结构启发，获得了碳纤维‑辐射状SiC纳米线‑CNTs的多尺度增强体，这种分级结构有利于载荷的传递，有效改善纤维与基体之间的界面结合，具有优异的增韧效果，显著提升C/C复合材料的力学性能。本发明的技术方案方法简单，原料成本低，可重复性强，适合于制备形状复杂的复合材料构件。
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公开(公告)号：CN116119651A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211600904.9
申请日：2022-12-12
Applicant: 西北工业大学
IPC: C01B32/162 , C08G83/00 , H01M4/90 , H01M4/96 , H01M4/88
Abstract: 本发明涉及一种氧乙炔火焰处理MOF阵列表面原位快速生长CNTs的方法，首先在基底上制备MOF阵列，既作为CNTs生长的基底，又为CNTs生长提供催化剂；CNTs生长的碳源来源于MOF自身热解产生的含碳小分子气体以及火焰燃烧剩余的乙炔。通过调控碳源与氧气比例、处理时间、距离等工艺参数，实现MOF阵列的快速碳化并保证阵列结构完整性，CNTs的原位快速生长。此外，CNTs与基底间具有良好的结合力。本发明相比与传统方法利用MOF制备碳纳米催化材料，该工艺制备的碳纳米催化材料保持阵列化特征，不仅可以避免后续应用中使用导电添加剂等，结构也具有良好的稳定性、大的比表面积、多的活性位点；同时，CNTs可以增大碳纳米催化剂的比表面积，暴露更多活性位点，提高导电性。
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公开(公告)号：CN115724642A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211376419.8
申请日：2022-11-04
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种提高抗压强度的纳米共价连接石墨烯预制体制备方法，将纳米硅溶胶加入至石墨烯墨水中搅拌超声分散得到石墨烯水凝胶，采用冷冻干燥法获得石墨烯预制体，将石墨烯预制体放入石墨烯沉积炉中，在微米尺度的石墨烯表面原位沉积纳米尺度的石墨烯，制得提高抗压强度且呈纳米共价连接的三维连通结构石墨烯预制体。本发明原位沉积是以气态碳源和液态碳源相结合的方式，调节碳源中的C、H、O比例，降低原位沉积过程中碳源中的O元素对石墨烯预制体的氧化程度，使得原位沉积的纳米尺度石墨烯起到增强石墨烯片层特别是纳米共价连接的作用，提高了石墨烯预制体的抗压强度。得到纳米共价连接石墨烯预制体用作液相法制备金属基复合材料的增强体。
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公开(公告)号：CN115259159A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210846073.7
申请日：2022-07-05
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种高长径比倒锥状氮掺杂碳化硅纳米线及制备方法，通过简单的化学气相沉积方法及新的氮掺杂方式，制备具有高长径比的倒锥状碳化硅纳米线。所制备的倒锥状碳化硅纳米线表面光滑，形貌均一，产量高。该方法有效解决了现有碳化硅纳米线制备工艺成本高、操作复杂，纳米线结构不均匀、长径比低、产量低、纯度低等问题，并可在不同碳质基体上原位生长倒锥状碳化硅纳米线，为倒锥状碳化硅纳米线的制备提供新的技术和方法，有望在储能、场发射、增韧材料、纳米复合材料等领域得到广泛应用。
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公开(公告)号：CN108956735B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201810426265.6
申请日：2018-05-07
Applicant: 西北工业大学
IPC: G01N27/327 , C01G51/04 , B22F1/00 , B22F9/24 , B22F1/02
Abstract: 本发明涉及一种壳核结构的一氧化钴‑铜纳米线复合电极材料及制备方法，能够获得内核直径约为100nm、一氧化钴包覆层厚度为20～400nm、为长度为10～50μm的核壳结构复合材料，其颜色为深灰色，可用作葡萄糖传感器的电极材料。一氧化钴的催化性能强，但是由于导电能力变弱使其灵敏度下降；铜的导电性能良好，将铜纳米线和氧化态钴结合起来构成复合材料能够妥善解决这一问题。同时，一氧化钴包覆层能保护铜，可有效避免铜纳米线的氧化。所述方法制作简单易行、可控，制备温度低，成本低，适合工业化生产；所制备材料可有效用于葡萄糖传感。
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公开(公告)号：CN118895488A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202411202637.9
申请日：2024-08-29
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种ZrCu改性CVD‑SiC抗烧蚀涂层及其制备方法，属于烧蚀防护涂层技术领域。本发明公开的制备方法，通过熔盐反应即可将Zr和Cu元素引入SiC涂层，在涂层内部形成Zr‑Si‑Cu镶嵌结构，形成致密度较高，成分分布较均匀的ZrCu改性CVD‑SiC抗烧蚀涂层，该方法可以在相对较低的温度下(1300‑1500℃)，通过简单的工艺操作和热处理设备即可制备出致密度较高，成分分布较均匀的ZrCu改性CVD‑SiC抗烧蚀涂层，无需反复沉积或进行多次复杂高温反应，制备过程简单易控制。
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公开(公告)号：CN116003164B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202211627507.0
申请日：2022-12-16
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B41/87
Abstract: 本发明涉及一种提高C/C复合材料基体与SiC涂层结合力的方法，包括：C/C复合材料预氧化处理；将预氧化C/C复合材料浸泡于金属盐催化剂乙醇溶液中以负载催化剂，然后置于粉料(质量百分比为1:0.1～0.6:0.2～0.8的SiO2、Si、C粉体的混合物)上方一起升至1200～1800℃并保温后冷却至室温，从而构造C/C复合材料表面“碳纤维锥@定向SiC纳米线”多孔层；(3)在900～1500℃下，采用低压化学气相沉积在C/C复合材料上沉积SiC涂层。本发明有效设计出基体‑涂层多尺度机械连锁结构并得到原位定向生长的纳米线，在改善SiC涂层与C/C复合材料之间的界面结合的同时增韧SiC涂层。
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公开(公告)号：CN115259159B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202210846073.7
申请日：2022-07-05
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种高长径比倒锥状氮掺杂碳化硅纳米线及制备方法，通过简单的化学气相沉积方法及新的氮掺杂方式，制备具有高长径比的倒锥状碳化硅纳米线。所制备的倒锥状碳化硅纳米线表面光滑，形貌均一，产量高。该方法有效解决了现有碳化硅纳米线制备工艺成本高、操作复杂，纳米线结构不均匀、长径比低、产量低、纯度低等问题，并可在不同碳质基体上原位生长倒锥状碳化硅纳米线，为倒锥状碳化硅纳米线的制备提供新的技术和方法，有望在储能、场发射、增韧材料、纳米复合材料等领域得到广泛应用。
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