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公开(公告)号：CN103346743A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310240731.9
申请日：2013-06-18
Applicant: 苏州市职业大学
Inventor： 李亮
IPC: H03F3/45
Abstract: 本发明公开了一种高速高增益全差分运算放大器，该高速高增益全差分运算放大器的第一级共模反馈电路和第二级开关电容共模反馈电路通过附属电路连接集成；所述第一级共模反馈电路包括双极晶体管M3的源极、双极晶体管M4的源极、双极晶体管M5的源极和双极晶体管M6的源极连接在一起并连接到GND，双极晶体管M3的漏极和双极晶体管M5的漏极连接在一起，双极晶体管M4的漏极和双极晶体管M6的漏极连接在一起，双极晶体管M3的栅极和双极晶体管M6的栅极连接在一起，双极晶体管M4的栅极和双极晶体管M5的栅极连接在一起。通过上述方式，本发明其运放第一级共模反馈网络与偏置电路的结合，减少了集成电路的成本。
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公开(公告)号：CN103684299A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310750536.0
申请日：2013-12-31
Applicant: 苏州市职业大学
Inventor： 李亮
Abstract: 本发明公开了一种衬底驱动低电压低功耗运算放大器，该衬底驱动低电压低功耗运算放大器包括连接在一起的衬底驱动差分输入电路和低电压低功耗运算放大器附属电路；所述衬底驱动差分输入电路包括PMOS晶体管M1的栅极和PMOS晶体管M2的栅极一起连接到gnd，PMOS晶体管M1的衬底端和PMOS晶体管M2的衬底端分别连接到VINP输入点和VINN输入点，PMOS晶体管M1的源极和PMOS晶体管M2的源极一起连接到低电压低功耗运算放大器附属电路的PMOS晶体管M11的漏极。通过上述方式，本发明采用衬底驱动技术避开了信号通路上阈值电压的限制，适合于低压应用，降低了功耗。
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公开(公告)号：CN103731138A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201310750004.7
申请日：2013-12-31
Applicant: 苏州市职业大学
Inventor： 李亮
IPC: H03K19/094 , H03F3/217 , H03F1/32 , H03F1/02
Abstract: 本发明公开了一种用于D类音频功率放大器输出级的死区时间产生电路，该用于D类音频功率放大器输出级的死区时间产生电路包括前端处理电路和互锁结构电路，所述前端处理电路的反向器INV3的输出端ZN连接到互锁结构电路的NMOS晶体管M3的栅极；前端处理电路的反向器INV6的输出端ZN连接到互锁结构电路的PMOS晶体管M4的栅极。通过上述方式，本发明采用互锁结构的电路产生死区时间，结构简单；设置死区瞬态时间功率管驱动信号电压在阈值电压左右，能够减小THD、降低功耗提高效率。
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公开(公告)号：CN105425891A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510800847.2
申请日：2015-11-19
Applicant: 苏州市职业大学
Inventor： 李亮
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开一种零温度系数可调电压基准源，为使可调电阻R2的输出基准电压不随温度变化而变化，设计正负温度系数的基准电流源I1和I2，PMOS管M7、M8构成共源共栅电流源I1镜像正温度系数电流源，PMOS管M15、M16构成共源共栅电流源I2镜像正温度系数电流源，电流源I1的输出由PMOS管M8漏极输出，电流源I2的输出由PMOS管M16漏极输出，M8与M16的漏极相连实现零温度系数基准电流IREF，正负温度系数的电流源I1和I2以适当的权重相加。零温度系数可调电压基准源REGV由零温度系数电流源IREF加可调电阻R2构成，即PMOS晶体管M8和M16的漏极相连再与电阻R2的一端相连，R2另一端接地。通过上述方式，本发明能够获得零温度系数可调电压基准源，解决只能产生固定带隙基准电压的局限性。
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公开(公告)号：CN104536501B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410558873.4
申请日：2014-10-20
Applicant: 苏州市职业大学
Inventor： 李亮
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种低噪声电流微调基准源，包含运算放大器OPAMP、电阻R1、电阻R2；所述电阻R1、R2的一端分别于运算放大器OPAMP的输出端VOUT相连；所述电阻R1的另一端与运算放大器OPAMP的负反馈使得节点INP相连；所述电阻R2的另一端与运算放大器OPAMP的负反馈使得节点INN相连；所述电阻R1与电阻R0串联后连接到PNP型双极晶体管Q1的发射极，再接地；所述电阻R2连接到PNP型双极晶体管Q2的发射极，再接地；在电阻R1电流支路上增加电阻R3、R5、R7；在电阻R2的电流支路上增加电阻R4、R6、R8，通过控制信号CON1、CON2、CON3完成电阻R1、R2的微调，所述电阻R1、R2的电流支路上设置有斩波模块MOD，其动态切换R1、R2通道上电流，可消除电流的噪声和失调。
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公开(公告)号：CN104485914A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410699467.X
申请日：2014-11-27
Applicant: 苏州市玮琪生物科技有限公司 , 苏州市职业大学
IPC: H03H7/01
Abstract: 本发明公开了一种生物微弱信号检测与处理电路，包含程控滤波电路、差分放大电路、低通滤波器LPF；所述程控滤波电路由运算放大器AMP_1与由电阻与电容并联形成的低通滤波器形成；所述程控滤波电路用于微弱电流分量程检测与滤波；所述差分放大电路与程控滤波电路相连，可完成对已转换的电压小信号的差分放大和去除差分共模电压，以达到输出电压轨到轨的功能；所述低通滤波器LPF连接差分放大电路以滤除工频干扰和高频噪声；本发明所述的生物微弱信号检测与处理电路采用程控滤波分档来检测不同量级的微弱信号电流，以提高信噪比，同时采用差分放大滤除共模信号再滤波，以提高微弱信号的幅值，检测效果好。
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公开(公告)号：CN103901935A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410099934.5
申请日：2014-03-18
Applicant: 苏州市职业大学
Inventor： 李亮
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了自偏置带隙基准源，其NMOS晶体管M1的电流通道里串联电阻R3，所述电阻R3的一端与NMOS晶体管M3的漏极相连，并且与NMOS晶体管M1、M2的栅极相连，给NMOS晶体管M1、M2提供栅极偏置电压，电阻R3的另一端与PMOS晶体管M5的漏极相连，并且与NMOS晶体管M3、M4的栅极相连，给NMOS晶体管M3、M4提供栅极偏置电压；NMOS晶体管M2的电流通道里串联电阻R4，所述电阻R4的一端与NMOS晶体管M4的漏极相连，并且与PMOS晶体管M5、M6的栅极相连，给PMOS晶体管M5、M6提供栅极偏置电压，电阻R4的另一端与PMOS晶体管M6的漏极相连，并且与PMOS晶体管M7、M8的栅极相连，给PMOS晶体管M7、M8提供栅极偏置电压；本发明对电源电压不敏感、启动速度快、低功耗低温度系数、且具有高电源抑制比。
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公开(公告)号：CN204272046U
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201420725681.3
申请日：2014-11-27
Applicant: 苏州市玮琪生物科技有限公司 , 苏州市职业大学
IPC: H03H7/01
Abstract: 本实用新型涉及一种生物微弱信号检测与处理电路，包含程控滤波电路、差分放大电路、低通滤波器LPF；所述程控滤波电路由运算放大器AMP_1与由电阻与电容并联形成的低通滤波器形成；所述程控滤波电路用于微弱电流分量程检测与滤波；所述差分放大电路与程控滤波电路相连，可完成对已转换的电压小信号的差分放大和去除差分共模电压，以达到输出电压轨到轨的功能；所述低通滤波器LPF连接差分放大电路以滤除工频干扰和高频噪声；本实用新型所述的生物微弱信号检测与处理电路采用程控滤波分档来检测不同量级的微弱信号电流，以提高信噪比，同时采用差分放大滤除共模信号再滤波，以提高微弱信号的幅值，检测效果好。
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公开(公告)号：CN204206134U
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201420604995.8
申请日：2014-10-20
Applicant: 苏州市职业大学
Inventor： 李亮
Abstract: 本实用新型涉及一种高速钟控比较器，包含预放大级电路、时钟电路；所述预放大级电路中，输入差分对管的有源负载为晶体管M0与差分输入级晶体管M4串联后，与串联的输入差分对管的有源负载为晶体管M1和差分输入级晶体管M5并联；所述尾电流源晶体管M6分别与差分输入级晶体管M4、差分输入级晶体管M5相连；所述时钟控制晶体管M11与尾电流源晶体管M6相连，并受时钟电路控制；当时钟电路的信号CLK为高电平时工作，采集差分输入端需比较的电压信号；在时钟电路的信号CLK为低电平时，时钟控制晶体管M11关闭，预放大级电路不工作，从而降低了功耗；本实用新型预放大级电路由时钟电路控制交替工作，降低了电路功耗。
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公开(公告)号：CN205176717U
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201520925739.3
申请日：2015-11-19
Applicant: 苏州市职业大学
Inventor： 李亮
IPC: G05F1/56
Abstract: 本实用新型公开一种零温度系数可调电压基准源，为使可调电阻R2的输出基准电压不随温度变化而变化，设计正负温度系数的基准电流源I1和I2，PMOS管M7、M8构成共源共栅电流源I1镜像正温度系数电流源，PMOS管M15、M16构成共源共栅电流源I2镜像正温度系数电流源，电流源I1的输出由PMOS管M8漏极输出，电流源I2的输出由PMOS管M16漏极输出，M8与M16的漏极相连实现零温度系数基准电流IREF，正负温度系数的电流源I1和I2以适当的权重相加。零温度系数可调电压基准源REGV由零温度系数电流源IREF加可调电阻R2构成，PMOS晶体管M8和M16的漏极相连再与电阻R2一端相连，R2另一端接地。通过上述方式，本实用新型能够获得零温度系数可调电压基准源，解决只能产生固定带隙基准电压的局限性。
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