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公开(公告)号：CN113540974A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110818091.X
申请日：2021-07-20
Applicant: 苏州大学
IPC: H01S5/12
Abstract: 本申请公开了一种增益耦合分布反馈式半导体激光器及其制作方法，该方法包括获得激光器下结构体，激光器下结构体包括由下至上依次层叠的衬底、缓冲层和下包层；采用原位激光诱导图形化外延技术在激光器下结构体的上表面外延生长无缺陷的量子点阵列作为有源层，形成增益光栅；增益光栅的布拉格波长位于量子点阵列的有效增益区内；在有源层的上表面外延生长上包层，并在激光器下结构体的下表面生长下导电层；在上包层的上表面生长绝缘层，并刻蚀绝缘层形成导电区；在绝缘层的上表面生长上导电层，得到增益耦合分布反馈式半导体激光器。采用原位激光诱导图形化外延技术生长有源层，可避免引入缺陷；不需制备光栅，实现纯增益耦合，制作流程非常简单。
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公开(公告)号：CN106219996B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201610551383.0
申请日：2016-07-14
Applicant: 苏州大学
IPC: C03C17/34
Abstract: 本发明涉及种构建高黏附性超疏水表面的方法,包括以下步骤:向有机溶剂中加入抑制剂,搅拌均匀后加入前驱物,搅拌后得到无机纳米粒子溶胶‑凝胶;将基材清洗干净后修饰无定形碳,得到修饰后的基材,然后将修饰后的基材于上述无机纳米粒子溶胶‑凝胶中浸涂,然后加热,得到修饰复合膜的基材;将修饰复合膜的基材高温退火,以除去无定形碳,然后用低表面能物质修饰,得到高黏附性超疏水表面。该制备方法操作简单,成本低廉,环境友好,安全环保,构建的高黏附性的超疏水表面具有很明显的花瓣效应。
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公开(公告)号：CN106914145A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201710082404.3
申请日：2017-02-16
Applicant: 苏州大学
IPC: B01D71/02 , B01D69/02 , B01D67/00 , B01D17/022
Abstract: 本发明涉及一种超疏水超亲油过滤膜，包括多孔网状基底，多孔网状基底的表面沉积有无定形碳薄膜，无定形碳薄膜的外侧修饰有二氧化硅，二氧化硅的表面修饰有疏水层。本发明还公开了其制备方法：烘烤多孔网状基底的表面，使其表面沉积无定形碳薄膜；采用气相沉积法使前驱体在催化剂的作用下发生水解反应，得到二氧化硅并使二氧化硅沉积到多孔网状基底的表面上；使用疏水处理剂处理多孔网状基底的表面。本发明还要求保护一种超疏水超亲油过滤膜的过滤方法：提供一流体输送管，流体输送管的侧壁采用超疏水超亲油过滤膜；将待分离的油水混合物从流体输送管的入口端通入并沿所述流体输送管流动；分别从流体输送管的下方和出口端收集分离后的油和水。
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公开(公告)号：CN106487380A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610809229.9
申请日：2016-09-08
Applicant: 苏州大学
IPC: H03L7/093
CPC classification number: H03L7/093
Abstract: 本发明涉及一种减少CP-PLL频率切换时间的无源环路滤波器，连接在CP-PLL的电荷泵与VCO输入端之间，包括相串联的电阻R1和电容C1、以及与电阻R1和电容C1并联的电容C2，电容C1串联有小电容Cp，小电容CP并联有两反向并联的开关二极管，小电容CP与两开关二极管的公共端接地，电容C2的一端接地。本发明从根本上解决了锁相环频率合成器中频率切换时间与相位噪声和杂散指标的矛盾需求，利用RDP开关二极管的单向导通特性，在频率切换时减小滤波器的总电容从而加快CP-PLL的非线性响应速度，减少频率切换时间，而在频率稳定后恢复原环路滤波器的总电容值，使无源环路滤波器的加入并不影响到系统稳定状态时的相位噪声和杂散。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106219996A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610551383.0
申请日：2016-07-14
Applicant: 苏州大学
IPC: C03C17/34
CPC classification number: C03C17/3441
Abstract: 本发明涉及一种构建高黏附性超疏水表面的方法，包括以下步骤：向有机溶剂中加入抑制剂，搅拌均匀后加入前驱物，搅拌后得到无机纳米粒子溶胶-凝胶；将基材清洗干净后修饰无定形碳，得到修饰后的基材，然后将修饰后的基材于上述无机纳米粒子溶胶-凝胶中浸涂，然后加热，得到修饰复合膜的基材；将修饰复合膜的基材高温退火，以除去无定形碳，然后用低表面能物质修饰，得到高黏附性超疏水表面。该制备方法操作简单，成本低廉，环境友好，安全环保，构建的高黏附性的超疏水表面具有很明显的花瓣效应。
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公开(公告)号：CN114743864B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210277178.5
申请日：2022-03-16
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明所提供的有序半导体量子点制备方法，利用材料外延过程中自然存在的热偏析现象，通过脉冲激光干涉实现图形化(即干涉光场增强处)局域加热，不涉及刻蚀过程，量子点的生长位置直接由激光干涉图样决定，故其有序可控性有极大的保障；本发明所提供的有序半导体量子点制备方法直接在分子束外延系内原位完成，故无污染、无氧化，其完成流程也极其简单快捷，成本和时间都和一次传统的S‑K外延自组装生长量子点可比拟。
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公开(公告)号：CN114654097B
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202210177492.6
申请日：2022-02-24
Applicant: 苏州大学
IPC: B23K26/362
Abstract: 本发明属于半导体领域，具体涉及一种基于分子束外延原位激光干涉光刻方法，包括以下步骤，S1：加热基片，所述基片为Ga基或Al基材料，所述加热的温度高于基片材料对应的In基材料的热脱附温度；S2：通入In原子流以充当表面催化剂，引入激光干涉对所述基片进行曝光，完成光刻加工。本发明利用传统的激光干涉在分子束外延系上原位实现对材料进行结构化光刻，相比现有其他非原位的材料微纳加工手段，具有无污染，无氧化，低材料损伤，工艺极其简单高效；另外，能实现材料在Z方向上的刻蚀精度达到原子层级水平。
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公开(公告)号：CN108751254B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201810556681.8
申请日：2018-06-01
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种原位无损剥离量子点的方法，包括以下步骤：将表面负载有量子点的衬底升温至量子点的临界脱附温度，其中，量子点为Ⅲ‑Ⅴ族量子点，衬底的材质为Ⅲ‑Ⅴ族化合物，所述量子点的键能低于衬底中化合物的键能；然后向量子点施加脉冲激光，使得量子点中的原子受激发后从所述衬底表面原位无损剥离。本发明的方法可有效避免目前主流剥离方法中存在的氧化，污染，材料破坏，耗时以及不经济等问题。
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公开(公告)号：CN106914145B
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201710082404.3
申请日：2017-02-16
Applicant: 苏州大学
IPC: B01D71/02 , B01D69/02 , B01D67/00 , B01D17/022
Abstract: 本发明涉及一种超疏水超亲油过滤膜，包括多孔网状基底，多孔网状基底的表面沉积有无定形碳薄膜，无定形碳薄膜的外侧修饰有二氧化硅，二氧化硅的表面修饰有疏水层。本发明还公开了其制备方法：烘烤多孔网状基底的表面，使其表面沉积无定形碳薄膜；采用气相沉积法使前驱体在催化剂的作用下发生水解反应，得到二氧化硅并使二氧化硅沉积到多孔网状基底的表面上；使用疏水处理剂处理多孔网状基底的表面。本发明还要求保护一种超疏水超亲油过滤膜的过滤方法：提供一流体输送管，流体输送管的侧壁采用超疏水超亲油过滤膜；将待分离的油水混合物从流体输送管的入口端通入并沿所述流体输送管流动；分别从流体输送管的下方和出口端收集分离后的油和水。
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