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公开(公告)号：CN105374467B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201510696751.6
申请日：2015-10-23
Applicant: 苏州大学 , 苏州苏大维格光电科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种纳米转印方法及纳米功能器件，其中，纳米转印方法包括如下步骤：S1.在柔性金属基板上涂布光刻胶；S2.对所述涂布光刻胶的柔性金属基板进行光刻，形成沟槽图形；S3.第一次电铸处理，形成图形电极；S4.第二次电铸处理，形成转印层；S5.通过卷对平转印模式，控制所述柔性金属基板，在相应承接基板上转印形成纳米结构材料层。本发明可在同一基板上实现不同材质的纳米电极或纳米结构功能区的转印，或者在同一基板相同区域实现多层复合结构纳米电极和功能区的转印。其利用金属基底上的图形电极作为转移模具，通过电沉积工艺，在转印模具的电极上形成纳米级材料层，并将模具上纳米级材料层转移到相应的柔性基板表面。
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公开(公告)号：CN106371687A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610907776.0
申请日：2016-10-19
Applicant: 苏州维业达触控科技有限公司 , 苏州大学
IPC: G06F3/044
CPC classification number: G06F3/044
Abstract: 本发明公开了一种透明导电膜及电容触控传感器及触控显示装置，所述透明导电膜包括网格结构，所述网格结构包括多个凹槽单元，相邻的凹槽单元之间形成交叉结构，导电材料填充在凹槽内形成导电网格，其特征在于，所述交叉结构呈T字形。本发明的透明导电膜结构简单，通过这种类T字形结构设计，网格交叉点处的槽深宽比提高，从而导电材料可以充分纳入网格凹槽内。能够大幅度提升制程的良率、稳定性及抗静电性能，降低成本。
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公开(公告)号：CN106354353A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610846762.2
申请日：2016-09-23
Applicant: 苏州维业达触控科技有限公司 , 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 , 苏州大学
CPC classification number: G06F3/0412 , G06F3/044 , G06F2203/04112
Abstract: 本发明公开了一种触控导电膜，包括基板和形成在所述基板上的导电网格，所述基板的可视区和非可视区的导电网格为一体成型结构。本发明还公开了应用所述触控导电膜的触控模组和显示装置。本发明的触控导电膜具有结构简单、制造方便、成本较低的优点，而且也提升了稳定性，对应降低了制造成本和组装成本。
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公开(公告)号：CN101937115B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201010224529.3
申请日：2010-07-13
Applicant: 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 , 苏州大学
CPC classification number: B32B38/06 , B29C59/04 , B32B37/203 , B32B2551/00 , B32B2590/00 , G02B6/0036 , G02B6/0065
Abstract: 一种导光膜制作装置，用于制作卷积筒状的导光膜，包括放料辊、收料辊、分离装置、压印装置和复合装置，其中该导光膜先经分离装置将保护层和基材层分离，然后通过该压印装置在该基材层的待加工面上压印出导光网点，再经过复合装置将剥离的保护层重新复合到基材层上，最后经收料辊回收形成完整的导光膜。本发明的导光膜制作装置，具有产量高、制作尺寸大以及成本低廉的特点。
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公开(公告)号：CN102063951A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010533228.9
申请日：2010-11-05
Applicant: 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 , 苏州大学
CPC classification number: H05K3/1208 , H05K3/1258 , H05K3/1283 , H05K2203/0108 , H05K2203/1131
Abstract: 本发明提供一种透明导电膜，该透明导电膜包括透明基底和导电金属，其中在透明基底上利用纳米压印技术压制出用于埋设导电金属颗粒的凹槽以及用于透光的网格，通过设计凹槽的线宽和深度以及占整个透明导电膜的比重，得到了一种透光率高且导电性好的透明导电膜。同时，由于导电金属部分被镶嵌在透明基底内部，不易脱落和氧化，并且可以采用柔性材料作为透明基底，开发出能在更多场合下应用的透明导电膜。同时本发明还提供了该透明导电膜的制作方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101377555B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200810156773.3
申请日：2008-09-26
Applicant: 苏州大学 , 苏州苏大维格数码光学有限公司
Abstract: 本发明公开了一种亚波长埋入式光栅结构偏振片，包括透明基底、介质光栅、第一金属层、第二金属层，所述介质光栅具有周期性间隔设置的脊部和沟槽，所述第一金属层覆盖于介质光栅的脊部，所述第二金属层覆盖于介质光栅的沟槽中，介质光栅的周期小于入射光波长，其特征在于：在所述第一金属层和第二金属层的顶部上表面覆盖有介质覆盖层，在所述透明基底和介质光栅之间设有高折射率介质层，所述高折射率介质层的折射率在1.6至2.4之间。介质覆盖层既可以对偏振片的透射效率起调制作用，又可以起到保护金属层的作用，防止金属层被氧化和在集成过程中被破坏；在整个可见光波段，该偏振片具有高透射效率、高消光比、宽广的入射角度范围。
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公开(公告)号：CN101131537B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200710132387.6
申请日：2007-09-13
Applicant: 苏州苏大维格数码光学有限公司 , 苏州大学
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明公开了一种精密数字化微纳米压印的方法，其特征在于，包括下列步骤：(1)将待压印的微纳结构图形划分为微区单元阵列；(2)根据微区单元制作压印模仁；(3)确定压印模仁与待压印基板的相对位置，进入第一个压印工作位；(4)进行一个微区单元的微纳结构图形压印；(5)改变压印模仁与待压印基板的相对位置，至下一个压印工作位；(6)重复步骤(4)和(5)，至完成所有微区单元的压印。其装置可以通过工作平台与压印头间的相对运动，实现上述方法。本发明通过小面积压印结构的拼接，实现了大幅面的微纳结构图形制作，解决了现有技术中当模仁面积增大时，发生图形畸变的可能性也随之增大的问题；并且扩大了微纳米压印的应用范围。
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公开(公告)号：CN101510053A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910028297.1
申请日：2009-02-06
Applicant: 苏州大学 , 苏州苏大维格光电科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于紫外激光干涉光刻直写系统的光学镜头，其特征在于：由物方透镜组A和像方透镜组B两组透镜组成，A组透镜由A3、A2、A1三片透镜组成，B组透镜由B1、B2、B3、B4四片透镜组成；光线传播方向依次为A3、A2、A1、B1、B2、B3、B4；其中，A1、B1为弯月型凹透镜，A2、B2为双凸透镜，A3、B3、B4为弯月型凸透镜。本发明的像方透镜采用四片结构设计，因而其数值孔径大，干涉条纹的结构精细；限定物方数值孔径，可以减少透镜数量，降低实际加工的累积工艺误差，并且便于与干涉镜头物方的衍射光栅配合；可以在激光干涉直写系统上实现亚波长结构的制作。
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公开(公告)号：CN101477326A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200910028296.7
申请日：2009-02-06
Applicant: 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 , 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种多视角图形输入的三维图形直写方法，包括下列步骤：(1)获得三维物体的分视角平面数字图像；(2)对每幅图像进行分色并分割成子图，在各图像中对应位置相同的子图为一组；(3)取一组子图，分别采用迭代傅里叶变换原理，计算每一子图在远场的光场分布，提取位相信息，按视角排列，编码成H1；(4)用空间光调制器显示H1，并放置于透镜的前焦面，在透镜后焦面上形成多视角图像再现，引入干涉光，通过干涉光路在记录材料上记录再现图像；(5)对应下一组子图的位置，移动记录材料的位置；(6)重复上述步骤至所有子图记录完毕，实现三维图形的记录。本发明用激光直写的方式制作三维图形，图形具有丰富的信息表达特征。
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公开(公告)号：CN101131537A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710132387.6
申请日：2007-09-13
Applicant: 苏州苏大维格数码光学有限公司 , 苏州大学
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明公开了一种精密数字化微纳米压印的方法，其特征在于，包括下列步骤：(1)将待压印的微纳结构图形划分为微区单元阵列；(2)根据微区单元制作压印模仁；(3)确定压印模仁与待压印基板的相对位置，进入第一个压印工作位；(4)进行一个微区单元的微纳结构图形压印；(5)改变压印模仁与待压印基板的相对位置，至下一个压印工作位；(6)重复步骤(4)和(5)，至完成所有微区单元的压印。其装置可以通过工作平台与压印头间的相对运动，实现上述方法。本发明通过小面积压印结构的拼接，实现了大幅面的微纳结构图形制作，解决了现有技术中当模仁面积增大时，发生图形畸变的可能性也随之增大的问题；并且扩大了微纳米压印的应用范围。
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