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公开(公告)号：CN107845798B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201711071986.1
申请日：2017-11-03
IPC: H01M4/36 , H01M4/60 , H01M4/62 , H01M10/0525 , B82Y30/00
Abstract: 本发明涉及一种锂离子电池正极材料的制备方法，取稠环化合物加入到盐酸溶液中，搅拌使酸化，然后在冰乙醇浴的条件下加入多壁碳纳米管，搅拌混合均匀；再加入亚硝酸钠水溶液，继续冰浴搅拌，然后加入50wt％的次亚磷酸溶液，并加热至70‑80℃，搅拌后进行抽滤，滤渣用甲苯清洗后再烘干，得到接有碳纳米管的稠环化合物，将其和酸酐、氯化锌按摩尔比1:1:2混合研磨，并进行焙烧，产物加入到稀盐酸溶液中进行搅拌酸解，然后抽滤，得到粗产品，粗产品依次用去离子水、乙醇、甲苯各回流一次，各自的回流时间为12～24h，最后进行真空干燥，即得。本发明制得的材料导电性能佳，能量密度高，在半电池测试中具有较好的循环和倍率性能。
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公开(公告)号：CN107819053B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201711076583.6
申请日：2017-11-06
IPC: H01L31/073 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/543 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了应用于太阳电池的可印刷硫化镉纳米晶薄膜的制备方法，属于钙钛矿型太阳电池及相关光电半导体材料领域。包括制备Ag掺杂硫化镉前驱溶液、旋涂制备纳米晶薄膜、作为电子传输层及空穴阻挡层应用于钙钛矿太阳电池等步骤。通过分子络合前驱体制备Ag掺杂硫化镉前驱液，或离子交换热扩散控制元素替换和Ag异价原子掺杂含量，该方法制备过程简单、易操作，温度不高，可实现大面积印刷；替代传统致密型二氧化钛，排除氧空位负面影响，提高电池光稳定性。Ag掺杂增强硫化镉电子导电率与光导率，实现能级良好匹配；减少镉离子扩散形成钙钛矿电子绝缘层，Ag扩散并掺杂钙钛矿，提高电池性能。掺杂硫化镉薄膜可用于光电半导体与柔性印刷电子器件。
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公开(公告)号：CN107819053A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201711076583.6
申请日：2017-11-06
IPC: H01L31/073 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/543 , Y02P70/521 , H01L31/073 , H01L31/1828
Abstract: 本发明公开了应用于太阳电池的可印刷硫化镉纳米晶薄膜的制备方法，属于钙钛矿型太阳电池及相关光电半导体材料领域。包括制备Ag掺杂硫化镉前驱溶液、旋涂制备纳米晶薄膜、作为电子传输层及空穴阻挡层应用于钙钛矿太阳电池等步骤。通过分子络合前驱体制备Ag掺杂硫化镉前驱液，或离子交换热扩散控制元素替换和Ag异价原子掺杂含量，该方法制备过程简单、易操作，温度不高，可实现大面积印刷；替代传统致密型二氧化钛，排除氧空位负面影响，提高电池光稳定性。Ag掺杂增强硫化镉电子导电率与光导率，实现能级良好匹配；减少镉离子扩散形成钙钛矿电子绝缘层，Ag扩散并掺杂钙钛矿，提高电池性能。掺杂硫化镉薄膜可用于光电半导体与柔性印刷电子器件。
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公开(公告)号：CN216808956U
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202220338786.8
申请日：2022-02-18
IPC: C23C16/26 , C23C16/46 , C23C16/458
Abstract: 本实用新型公开一种加热炉及CVD反应装置，加热炉包括石英管和电加热组件，石英管内部具有腔室；电加热组件包括线圈、电源和石墨盘，线圈与电源电连接，且线圈螺旋地缠绕在石英管的外周，用于通电后在腔室内产生磁场；石墨盘被配置为能够进出腔室，且能够与线圈对应设置，用于在磁场的作用下产生热量；石墨盘用于承托晶圆衬底，晶圆衬底的一侧表面用于生长石墨烯。通过提高加热温度，有助于获得较高质量的石墨烯，并且可实现高质量石墨烯薄膜在晶圆衬底上的直接制备。并且，仅在石墨盘上加热，可以显著降低反应气体的温度，抑制气相副反应，进一步提高石墨烯生长质量。
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