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公开(公告)号：CN117802573B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410224088.9
申请日：2024-02-29
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明属于碳化硅晶体生长领域，具体涉及一种碳化硅单晶的生长装置及生长方法，包括：坩埚筒体，其底部中央设置有环形凹部，环形凹部的底部中部向下设置有第一通孔；坩埚底，其设置于环形凹部中，其与环形凹部之间留有缝隙；第一转轴，其一端的端部通过第一通孔与坩埚筒体螺纹连接，其内部具有第二转轴容纳腔，第二转轴容纳腔靠近坩埚底的一端设置有开口；第二转轴，其位于第二转轴容纳腔中，其与第二转轴容纳腔的内表面之间留有导通气体的第一间隔，其相对第一转轴独立旋转，其通过开口固定连接于坩埚底的底部中央，第一间隔与缝隙相连通；搅拌部，其设置于坩埚底的上部。生长装置的使用能均匀原料，提高晶体质量和原料利用率。
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公开(公告)号：CN117646278B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410122723.2
申请日：2024-01-30
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明属于碳化硅晶体生长技术领域，具体涉及一种底部供排料的碳化硅单晶的生长装置及生长方法。生长装置包括坩埚部，其下部为原料容纳部，其包括坩埚底，所述坩埚底上设置有进料口和余料出口；螺旋送料机构，其竖直设置，其通过所述进料口进入所述原料容纳部中；拨料结构，其位于所述原料容纳部中的所述螺旋送料机构上，其将所述原料容纳部中的进行生长后的残余的原料划拨至所述余料出口；加热部，其设置于所述坩埚部的外侧，其沿所述原料容纳部的周向设置。晶体生长时能向坩埚部中补充原料，生长大尺寸的碳化硅单晶。
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公开(公告)号：CN117587522B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410082124.2
申请日：2024-01-19
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
IPC: G06F13/40
Abstract: 本申请公开了一种具备高精度冷却控制的碳化硅长晶设备和控制方法，涉及碳化硅设备技术领域，包括碳化硅炉体、流经所述碳化硅炉体的多路冷却水管路、控制系统；控制系统用于对多路冷却水管路的多路冷却水流量进行实时监测和调控，包括信号检测单元、第一多路开关单元、第二多路开关单元、多路分频单元和可编程逻辑控制器。信号检测单元控制第一多路开关单元和第二多路开关单元连通，以将多路高频脉冲信号中第一多路信号输入可编程逻辑控制器的高速数字输入口，将多路高频脉冲信号中第二多路信号输入多路分频单元。本申请保证碳化硅长晶设备的炉体温场分布，提升碳化硅晶体的生长速度、形态质量和生长过程的稳定性。
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公开(公告)号：CN117646278A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202410122723.2
申请日：2024-01-30
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明属于碳化硅晶体生长技术领域，具体涉及一种底部供排料的碳化硅单晶的生长装置及生长方法。生长装置包括坩埚部，其下部为原料容纳部，其包括坩埚底，所述坩埚底上设置有进料口和余料出口；螺旋送料机构，其竖直设置，其通过所述进料口进入所述原料容纳部中；拨料结构，其位于所述原料容纳部中的所述螺旋送料机构上，其将所述原料容纳部中的进行生长后的残余的原料划拨至所述余料出口；加热部，其设置于所述坩埚部的外侧，其沿所述原料容纳部的周向设置。晶体生长时能向坩埚部中补充原料，生长大尺寸的碳化硅单晶。
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公开(公告)号：CN118639320B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411118588.0
申请日：2024-08-15
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种具有可调节充气机构的碳化硅单晶生长装置，其包括充气机构，充气机构包括管道组件、分流仓和调节盘；管道组件和分流仓连接，管道组件用于向分流仓输送工艺气体；分流仓设置于加热炉的加热腔内，分流仓间隔地设置于加热炉内的坩埚盖的上方；分流仓的底壁设置有第一出气孔，调节盘与分流仓可活动地连接，调节盘设置有第二出气孔，当调节盘相对于分流仓活动时，能调节第一出气孔和第二出气孔的重合度，从而调节工艺气体从分流仓的底壁输送至加热腔内的流量。该碳化硅单晶生长装置不仅能调控轴向温梯和生长面的温度均匀性，提高生长的碳化硅单晶质量，还能改善生长装置成本增加、结构复杂化的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118621433B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411118589.5
申请日：2024-08-15
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例提供了一种坩埚设备及使用方法，涉人工晶体生长领域。该坩埚设备包括坩埚本体、保温件、保温罩以及升降装置，保温件覆盖于坩埚本体的外部，其中，保温件设有散热孔，保温罩可活动地设置于保温件的外部，保温罩设有通孔，通孔和散热孔配合，用于共同形成散热通道，升降装置和保温罩连接，升降装置用于带动保温罩进行升降运动，从而沿竖直方向调整通孔和散热孔的重叠区域和距离，进而调整散热通道。在加热过程中为了保证坩埚本体内部的温度梯度，升降装置能够带动保温罩进行升降运动，从而沿竖直方向调整通孔和散热孔的重叠区域，实现调整散热通道大小的目的，从而精准控制坩埚内的温度，提高散热效果，确保晶体生长的稳定性。
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公开(公告)号：CN117822120B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410232273.2
申请日：2024-03-01
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明属于碳化硅晶体生长领域，涉及局部发热量可调的电阻法生长碳化硅单晶的装置及方法，包括坩埚部外的石墨发热组件，发热组件包括：石墨发热体，其包括若干沿坩埚部的轴向方向设置的石墨发热部，石墨发热部具有靠近原料容纳部的下端和靠近坩埚部顶部的上端，若干石墨发热部沿坩埚部的外周分布，相邻石墨发热部之间留有间隔且一体连接，一体连接为第一连接或第二连接，第一连接为相邻的石墨发热部的上端一体连接，第二连接为相邻的石墨发热部的下端一体连接，第一连接和第二连接间隔布置；石墨滑块，其设置于石墨发热部上并与发热部滑动连接，其相对石墨发热部沿坩埚部的轴向方向滑动，可以在晶体生长过程中调节温度梯度，提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN117779179B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410199685.0
申请日：2024-02-23
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明属于单晶生长设备技术领域，具体涉及一种单晶生长装置和单晶生长方法，包括：充气部，其整体安装在保温罩的中部开口处，且其具有第一气流通道以及分别与第一气流通道连通的上部进气口、侧面出气口、底部出气口；芯轴，其至少部分套设在第一气流通道内，且其内部开设有具有芯轴进气口、芯轴出气口的第二气流通道，且位于芯轴进气口和芯轴出气口之间的部分芯轴外设置有凸起部，且芯轴与充气部在沿气流方向上能相对移动，通过凸起部调节经第一气流通道流向侧面出气口和第二气流通道的气流比例。本发明能够实现对坩埚上端面的温度调控，保证坩埚上端面温度均匀，提高单晶的生长稳定性，从而利于单晶的优质生长。
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公开(公告)号：CN117702272B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410168348.5
申请日：2024-02-06
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明属于碳化硅晶体生长技术领域，具体涉及一种抑制高温热场腐蚀的碳化硅单晶的生长装置及方法。生长装置包括：坩埚部，其底部中央具有向上凹陷的凹部；导气支撑组件，其内部沿轴向设置有气路通道，其一端与凹部的顶部中央固定连接且沿周向设置有第一通气孔；第一加热部，其设置于凹部内，沿周向设置，位于导气支撑组件和坩埚部之间，其与导气支撑组件和凹部的内侧面之间分别留有第一间隔，其上端与凹部的顶部留有第二间隔，其位于第一通气孔的下方；气路通道、第一通气孔和第一间隔相连通。用于碳化硅单晶生长时，能够抑制石墨热场的腐蚀和加热部与周围的热场部件之间的打火。
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公开(公告)号：CN118600557B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411087819.6
申请日：2024-08-09
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种降低发热体打火的碳化硅单晶生长装置和碳化硅单晶的生长方法；降低发热体打火的碳化硅单晶生长装置能够用于生长碳化硅单晶，其包括炉体、发热体、坩埚、坩埚盖和绝缘隔挡件，炉体具有容纳腔；坩埚设置于容纳腔内，且坩埚具有空腔，空腔用于填装碳化硅原料；坩埚盖可拆卸地设置于坩埚的上方，且位于空腔的开口处，坩埚盖用于固定籽晶；发热体设置于容纳腔内，且发热体围绕于坩埚的外周；绝缘隔挡件设置于容纳腔内，且分隔在发热体的内壁和坩埚的外壁之间。该生长装置能够利用绝缘隔挡件减少打火现象确保炉体内的压强、温度的稳定性，提高生长的晶体质量，还能延长发热体和坩埚的使用寿命。
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