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公开(公告)号：CN117779179B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410199685.0
申请日：2024-02-23
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明属于单晶生长设备技术领域，具体涉及一种单晶生长装置和单晶生长方法，包括：充气部，其整体安装在保温罩的中部开口处，且其具有第一气流通道以及分别与第一气流通道连通的上部进气口、侧面出气口、底部出气口；芯轴，其至少部分套设在第一气流通道内，且其内部开设有具有芯轴进气口、芯轴出气口的第二气流通道，且位于芯轴进气口和芯轴出气口之间的部分芯轴外设置有凸起部，且芯轴与充气部在沿气流方向上能相对移动，通过凸起部调节经第一气流通道流向侧面出气口和第二气流通道的气流比例。本发明能够实现对坩埚上端面的温度调控，保证坩埚上端面温度均匀，提高单晶的生长稳定性，从而利于单晶的优质生长。
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公开(公告)号：CN117702272B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410168348.5
申请日：2024-02-06
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明属于碳化硅晶体生长技术领域，具体涉及一种抑制高温热场腐蚀的碳化硅单晶的生长装置及方法。生长装置包括：坩埚部，其底部中央具有向上凹陷的凹部；导气支撑组件，其内部沿轴向设置有气路通道，其一端与凹部的顶部中央固定连接且沿周向设置有第一通气孔；第一加热部，其设置于凹部内，沿周向设置，位于导气支撑组件和坩埚部之间，其与导气支撑组件和凹部的内侧面之间分别留有第一间隔，其上端与凹部的顶部留有第二间隔，其位于第一通气孔的下方；气路通道、第一通气孔和第一间隔相连通。用于碳化硅单晶生长时，能够抑制石墨热场的腐蚀和加热部与周围的热场部件之间的打火。
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公开(公告)号：CN119843356A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510315479.6
申请日：2025-03-18
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司 , 江苏科技大学
Abstract: 本发明属于碳化硅晶体生长技术领域，具体涉及一种气力输送原料的碳化硅晶体的生长炉及生长方法。生长炉包括：从底部进入坩埚的原料气力输送管道；第一导流板，其盖于并密封输送管道的上端，其边缘延伸至输送管道外且与坩埚内壁之间留有间隙，输送管道的出口在第一导流板的下方；第二导流板，其一端固定于坩埚内壁，其另一端曲折的靠近第一导流板的边缘且悬空设置；倾斜导流板，其一端固定于输送管道的外壁，其另一端悬空设置；折流板，其一端固定于坩埚内壁或输送管道外壁，其另一端悬空设置，倾斜导流板引导从出口流出的部分物流向下流动流向折流板；导流板和折流板为石墨材质。通过持续向坩埚中输送原料，生长大尺寸晶体。
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公开(公告)号：CN118652135A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202411132799.X
申请日：2024-08-19
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明属于碳化硅晶体生长技术领域，具体涉及石墨部件表面碳化钽膜层的制备装置、方法及石墨部件。制备装置，包括：坩埚部，其具有中空结构，中空结构的下部为五氧化二钽容纳部，其包括周向环绕的坩埚壁；石墨部件，其与坩埚部同轴设置，其位于坩埚部的上方，其下端与坩埚壁的上端密封固定连接；导流件，其包括柱形段，柱形段位于石墨部件的内部，柱形段与石墨部件同轴设置，柱形段的外壁与石墨部件的内表面留有间隔，其位于五氧化二钽容纳部的上方，前述间隔与五氧化二钽容纳部相连通。本发明的方法能显著降低碳化钽膜层的制备成本，提高碳化钽膜层的致密性，延长石墨部件的使用寿命，减少晶体内部的包裹体数量，显著提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN118028969B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410431329.7
申请日：2024-04-11
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明属于生长碳化硅单晶技术领域，具体涉及一种生长碳化硅单晶的装置和方法，包括设置在坩埚盖外表面的排气组件，排气组件包括：支撑架，其安装在靠近排气通道的部分坩埚盖的上表面，且其中部设置导向孔；支撑架为罩状且覆盖在排气通道的上方外围；升降杆，其由支撑架的内部沿导向孔向外穿出而继续向上延伸，升降杆的延伸端套设有第一砝码；第一球体，其上部固定在升降杆的底部，其下部与排气通道的上部相抵。本发明能最大化排出坩埚内残余气体，提升密封效果，防止由于升降机构高温形变以及粉尘粘结等进而导致倾斜被卡的现象发生，耐久性好，保证碳化硅单晶优质稳定生长，使用寿命长，并能够灵活适应不同规格的大尺寸碳化硅单晶的生长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117802573B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410224088.9
申请日：2024-02-29
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明属于碳化硅晶体生长领域，具体涉及一种碳化硅单晶的生长装置及生长方法，包括：坩埚筒体，其底部中央设置有环形凹部，环形凹部的底部中部向下设置有第一通孔；坩埚底，其设置于环形凹部中，其与环形凹部之间留有缝隙；第一转轴，其一端的端部通过第一通孔与坩埚筒体螺纹连接，其内部具有第二转轴容纳腔，第二转轴容纳腔靠近坩埚底的一端设置有开口；第二转轴，其位于第二转轴容纳腔中，其与第二转轴容纳腔的内表面之间留有导通气体的第一间隔，其相对第一转轴独立旋转，其通过开口固定连接于坩埚底的底部中央，第一间隔与缝隙相连通；搅拌部，其设置于坩埚底的上部。生长装置的使用能均匀原料，提高晶体质量和原料利用率。
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公开(公告)号：CN117646278B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410122723.2
申请日：2024-01-30
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明属于碳化硅晶体生长技术领域，具体涉及一种底部供排料的碳化硅单晶的生长装置及生长方法。生长装置包括坩埚部，其下部为原料容纳部，其包括坩埚底，所述坩埚底上设置有进料口和余料出口；螺旋送料机构，其竖直设置，其通过所述进料口进入所述原料容纳部中；拨料结构，其位于所述原料容纳部中的所述螺旋送料机构上，其将所述原料容纳部中的进行生长后的残余的原料划拨至所述余料出口；加热部，其设置于所述坩埚部的外侧，其沿所述原料容纳部的周向设置。晶体生长时能向坩埚部中补充原料，生长大尺寸的碳化硅单晶。
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公开(公告)号：CN117587522B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410082124.2
申请日：2024-01-19
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
IPC: G06F13/40
Abstract: 本申请公开了一种具备高精度冷却控制的碳化硅长晶设备和控制方法，涉及碳化硅设备技术领域，包括碳化硅炉体、流经所述碳化硅炉体的多路冷却水管路、控制系统；控制系统用于对多路冷却水管路的多路冷却水流量进行实时监测和调控，包括信号检测单元、第一多路开关单元、第二多路开关单元、多路分频单元和可编程逻辑控制器。信号检测单元控制第一多路开关单元和第二多路开关单元连通，以将多路高频脉冲信号中第一多路信号输入可编程逻辑控制器的高速数字输入口，将多路高频脉冲信号中第二多路信号输入多路分频单元。本申请保证碳化硅长晶设备的炉体温场分布，提升碳化硅晶体的生长速度、形态质量和生长过程的稳定性。
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公开(公告)号：CN117646278A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202410122723.2
申请日：2024-01-30
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明属于碳化硅晶体生长技术领域，具体涉及一种底部供排料的碳化硅单晶的生长装置及生长方法。生长装置包括坩埚部，其下部为原料容纳部，其包括坩埚底，所述坩埚底上设置有进料口和余料出口；螺旋送料机构，其竖直设置，其通过所述进料口进入所述原料容纳部中；拨料结构，其位于所述原料容纳部中的所述螺旋送料机构上，其将所述原料容纳部中的进行生长后的残余的原料划拨至所述余料出口；加热部，其设置于所述坩埚部的外侧，其沿所述原料容纳部的周向设置。晶体生长时能向坩埚部中补充原料，生长大尺寸的碳化硅单晶。
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公开(公告)号：CN119843355A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510315478.1
申请日：2025-03-18
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司 , 江苏科技大学
Abstract: 本发明属于碳化硅晶体生长技术领域，具体涉及一种能定量加料的碳化硅生长炉和碳化硅生长方法，包括炉体和坩埚，坩埚顶部设置籽晶安装部，还包括定量加料装置，定量加料装置包括加料罐、螺旋送料装置、加料输送管道；坩埚的下部开设补料管道，补料管道由下而上的依次从炉体底部、坩埚底部延伸至坩埚内部，补料管道与坩埚内壁之间形成原料仓；加料输送管道的上部设置在补料管道内且延伸至原料仓所在高度的上方并与原料仓连通，以进行补料。本发明能在晶体生长过程中连续加料，不仅可以增加晶体生长的厚度，又可以提高晶体的内部质量。
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