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公开(公告)号：CN118621433A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202411118589.5
申请日：2024-08-15
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例提供了一种坩埚设备及使用方法，涉人工晶体生长领域。该坩埚设备包括坩埚本体、保温件、保温罩以及升降装置，保温件覆盖于坩埚本体的外部，其中，保温件设有散热孔，保温罩可活动地设置于保温件的外部，保温罩设有通孔，通孔和散热孔配合，用于共同形成散热通道，升降装置和保温罩连接，升降装置用于带动保温罩进行升降运动，从而沿竖直方向调整通孔和散热孔的重叠区域和距离，进而调整散热通道。在加热过程中为了保证坩埚本体内部的温度梯度，升降装置能够带动保温罩进行升降运动，从而沿竖直方向调整通孔和散热孔的重叠区域，实现调整散热通道大小的目的，从而精准控制坩埚内的温度，提高散热效果，确保晶体生长的稳定性。
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公开(公告)号：CN118600557B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411087819.6
申请日：2024-08-09
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种降低发热体打火的碳化硅单晶生长装置和碳化硅单晶的生长方法；降低发热体打火的碳化硅单晶生长装置能够用于生长碳化硅单晶，其包括炉体、发热体、坩埚、坩埚盖和绝缘隔挡件，炉体具有容纳腔；坩埚设置于容纳腔内，且坩埚具有空腔，空腔用于填装碳化硅原料；坩埚盖可拆卸地设置于坩埚的上方，且位于空腔的开口处，坩埚盖用于固定籽晶；发热体设置于容纳腔内，且发热体围绕于坩埚的外周；绝缘隔挡件设置于容纳腔内，且分隔在发热体的内壁和坩埚的外壁之间。该生长装置能够利用绝缘隔挡件减少打火现象确保炉体内的压强、温度的稳定性，提高生长的晶体质量，还能延长发热体和坩埚的使用寿命。
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公开(公告)号：CN118685867A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202411162756.6
申请日：2024-08-23
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
IPC: C30B35/00 , C30B29/36 , C01B32/984
Abstract: 本发明的实施例提供了一种串联式多坩埚设备及使用方法，涉及晶体生长领域。该串联式多坩埚设备包括保温筒、加热件、升降装置以及至少两个坩埚，保温筒具有沿竖直方向设置的空腔，空腔包括相互连通的加热腔和存储腔，加热件设置于保温筒的外部，且加热件的位置和加热腔的位置相对应，至少两个坩埚均设置于空腔内，升降装置和坩埚连接，升降装置带动至少两个坩埚在空腔内沿竖直方向滑动，使得至少两个坩埚依次到达加热腔以及存储腔，从而依次进行加热工作以及加热后的存储工作。从而增加一次生产过程中合成的碳化硅原料的数量，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN118621434A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202411118590.8
申请日：2024-08-15
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例提供了一种多坩埚生长设备及使用方法，涉及晶体生长技术领域。该多坩埚生长设备包括至少两个坩埚、隔热托板以及旋转装置，隔热托板上设有至少两个安装孔，安装孔的数量和坩埚的数量一一对应，每个安装孔内均安装有坩埚，旋转装置和隔热托板连接，用于带动隔热托板旋转，从而同时带动至少两个坩埚旋转。相比于现有技术中坩埚吊装的连接方式而言，将坩埚安装在隔热托板上能够避免出现坩埚掉落的现象，而且现有技术中坩埚底部支撑的连接方式会导致坩埚底部始终有一个位置的受热不佳，从而影响晶体生长稳定性，将坩埚安装在隔热托板上使得坩埚的底部能够均匀受热，有利于坩埚的温度控制，确保晶体生长稳定性。
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公开(公告)号：CN118600557A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202411087819.6
申请日：2024-08-09
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种降低发热体打火的碳化硅单晶生长装置和碳化硅单晶的生长方法；降低发热体打火的碳化硅单晶生长装置能够用于生长碳化硅单晶，其包括炉体、发热体、坩埚、坩埚盖和绝缘隔挡件，炉体具有容纳腔；坩埚设置于容纳腔内，且坩埚具有空腔，空腔用于填装碳化硅原料；坩埚盖可拆卸地设置于坩埚的上方，且位于空腔的开口处，坩埚盖用于固定籽晶；发热体设置于容纳腔内，且发热体围绕于坩埚的外周；绝缘隔挡件设置于容纳腔内，且分隔在发热体的内壁和坩埚的外壁之间。该生长装置能够利用绝缘隔挡件减少打火现象确保炉体内的压强、温度的稳定性，提高生长的晶体质量，还能延长发热体和坩埚的使用寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117822120A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410232273.2
申请日：2024-03-01
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明属于碳化硅晶体生长领域，涉及局部发热量可调的电阻法生长碳化硅单晶的装置及方法，包括坩埚部外的石墨发热组件，发热组件包括：石墨发热体，其包括若干沿坩埚部的轴向方向设置的石墨发热部，石墨发热部具有靠近原料容纳部的下端和靠近坩埚部顶部的上端，若干石墨发热部沿坩埚部的外周分布，相邻石墨发热部之间留有间隔且一体连接，一体连接为第一连接或第二连接，第一连接为相邻的石墨发热部的上端一体连接，第二连接为相邻的石墨发热部的下端一体连接，第一连接和第二连接间隔布置；石墨滑块，其设置于石墨发热部上并与发热部滑动连接，其相对石墨发热部沿坩埚部的轴向方向滑动，可以在晶体生长过程中调节温度梯度，提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN117802573A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410224088.9
申请日：2024-02-29
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明属于碳化硅晶体生长领域，具体涉及一种碳化硅单晶的生长装置及生长方法，包括：坩埚筒体，其底部中央设置有环形凹部，环形凹部的底部中部向下设置有第一通孔；坩埚底，其设置于环形凹部中，其与环形凹部之间留有缝隙；第一转轴，其一端的端部通过第一通孔与坩埚筒体螺纹连接，其内部具有第二转轴容纳腔，第二转轴容纳腔靠近坩埚底的一端设置有开口；第二转轴，其位于第二转轴容纳腔中，其与第二转轴容纳腔的内表面之间留有导通气体的第一间隔，其相对第一转轴独立旋转，其通过开口固定连接于坩埚底的底部中央，第一间隔与缝隙相连通；搅拌部，其设置于坩埚底的上部。生长装置的使用能均匀原料，提高晶体质量和原料利用率。
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公开(公告)号：CN117802573B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410224088.9
申请日：2024-02-29
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明属于碳化硅晶体生长领域，具体涉及一种碳化硅单晶的生长装置及生长方法，包括：坩埚筒体，其底部中央设置有环形凹部，环形凹部的底部中部向下设置有第一通孔；坩埚底，其设置于环形凹部中，其与环形凹部之间留有缝隙；第一转轴，其一端的端部通过第一通孔与坩埚筒体螺纹连接，其内部具有第二转轴容纳腔，第二转轴容纳腔靠近坩埚底的一端设置有开口；第二转轴，其位于第二转轴容纳腔中，其与第二转轴容纳腔的内表面之间留有导通气体的第一间隔，其相对第一转轴独立旋转，其通过开口固定连接于坩埚底的底部中央，第一间隔与缝隙相连通；搅拌部，其设置于坩埚底的上部。生长装置的使用能均匀原料，提高晶体质量和原料利用率。
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公开(公告)号：CN117646278B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410122723.2
申请日：2024-01-30
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明属于碳化硅晶体生长技术领域，具体涉及一种底部供排料的碳化硅单晶的生长装置及生长方法。生长装置包括坩埚部，其下部为原料容纳部，其包括坩埚底，所述坩埚底上设置有进料口和余料出口；螺旋送料机构，其竖直设置，其通过所述进料口进入所述原料容纳部中；拨料结构，其位于所述原料容纳部中的所述螺旋送料机构上，其将所述原料容纳部中的进行生长后的残余的原料划拨至所述余料出口；加热部，其设置于所述坩埚部的外侧，其沿所述原料容纳部的周向设置。晶体生长时能向坩埚部中补充原料，生长大尺寸的碳化硅单晶。
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公开(公告)号：CN117646278A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202410122723.2
申请日：2024-01-30
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明属于碳化硅晶体生长技术领域，具体涉及一种底部供排料的碳化硅单晶的生长装置及生长方法。生长装置包括坩埚部，其下部为原料容纳部，其包括坩埚底，所述坩埚底上设置有进料口和余料出口；螺旋送料机构，其竖直设置，其通过所述进料口进入所述原料容纳部中；拨料结构，其位于所述原料容纳部中的所述螺旋送料机构上，其将所述原料容纳部中的进行生长后的残余的原料划拨至所述余料出口；加热部，其设置于所述坩埚部的外侧，其沿所述原料容纳部的周向设置。晶体生长时能向坩埚部中补充原料，生长大尺寸的碳化硅单晶。
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