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公开(公告)号：CN118652135A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202411132799.X
申请日：2024-08-19
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明属于碳化硅晶体生长技术领域，具体涉及石墨部件表面碳化钽膜层的制备装置、方法及石墨部件。制备装置，包括：坩埚部，其具有中空结构，中空结构的下部为五氧化二钽容纳部，其包括周向环绕的坩埚壁；石墨部件，其与坩埚部同轴设置，其位于坩埚部的上方，其下端与坩埚壁的上端密封固定连接；导流件，其包括柱形段，柱形段位于石墨部件的内部，柱形段与石墨部件同轴设置，柱形段的外壁与石墨部件的内表面留有间隔，其位于五氧化二钽容纳部的上方，前述间隔与五氧化二钽容纳部相连通。本发明的方法能显著降低碳化钽膜层的制备成本，提高碳化钽膜层的致密性，延长石墨部件的使用寿命，减少晶体内部的包裹体数量，显著提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN118028969B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410431329.7
申请日：2024-04-11
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明属于生长碳化硅单晶技术领域，具体涉及一种生长碳化硅单晶的装置和方法，包括设置在坩埚盖外表面的排气组件，排气组件包括：支撑架，其安装在靠近排气通道的部分坩埚盖的上表面，且其中部设置导向孔；支撑架为罩状且覆盖在排气通道的上方外围；升降杆，其由支撑架的内部沿导向孔向外穿出而继续向上延伸，升降杆的延伸端套设有第一砝码；第一球体，其上部固定在升降杆的底部，其下部与排气通道的上部相抵。本发明能最大化排出坩埚内残余气体，提升密封效果，防止由于升降机构高温形变以及粉尘粘结等进而导致倾斜被卡的现象发生，耐久性好，保证碳化硅单晶优质稳定生长，使用寿命长，并能够灵活适应不同规格的大尺寸碳化硅单晶的生长。
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公开(公告)号：CN117802573B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410224088.9
申请日：2024-02-29
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明属于碳化硅晶体生长领域，具体涉及一种碳化硅单晶的生长装置及生长方法，包括：坩埚筒体，其底部中央设置有环形凹部，环形凹部的底部中部向下设置有第一通孔；坩埚底，其设置于环形凹部中，其与环形凹部之间留有缝隙；第一转轴，其一端的端部通过第一通孔与坩埚筒体螺纹连接，其内部具有第二转轴容纳腔，第二转轴容纳腔靠近坩埚底的一端设置有开口；第二转轴，其位于第二转轴容纳腔中，其与第二转轴容纳腔的内表面之间留有导通气体的第一间隔，其相对第一转轴独立旋转，其通过开口固定连接于坩埚底的底部中央，第一间隔与缝隙相连通；搅拌部，其设置于坩埚底的上部。生长装置的使用能均匀原料，提高晶体质量和原料利用率。
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公开(公告)号：CN117587522B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410082124.2
申请日：2024-01-19
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
IPC: G06F13/40
Abstract: 本申请公开了一种具备高精度冷却控制的碳化硅长晶设备和控制方法，涉及碳化硅设备技术领域，包括碳化硅炉体、流经所述碳化硅炉体的多路冷却水管路、控制系统；控制系统用于对多路冷却水管路的多路冷却水流量进行实时监测和调控，包括信号检测单元、第一多路开关单元、第二多路开关单元、多路分频单元和可编程逻辑控制器。信号检测单元控制第一多路开关单元和第二多路开关单元连通，以将多路高频脉冲信号中第一多路信号输入可编程逻辑控制器的高速数字输入口，将多路高频脉冲信号中第二多路信号输入多路分频单元。本申请保证碳化硅长晶设备的炉体温场分布，提升碳化硅晶体的生长速度、形态质量和生长过程的稳定性。
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公开(公告)号：CN119800493A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510300974.X
申请日：2025-03-14
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司 , 江苏科技大学
Abstract: 本发明公开了一种大尺寸碳化硅单晶生长用坩埚及其使用方法，涉及人工晶体生长技术领域。该大尺寸碳化硅单晶生长用坩埚包括坩埚本体、长晶罩和备料仓。长晶罩罩设于坩埚本体上，长晶罩的内顶面设置有长晶台，长晶罩设置有翼板，翼板活动设置于备料仓和坩埚本体之间，备料仓的底部开设有出料口，翼板开设有过料口，出料口与过料口错位设置，长晶罩用于带动翼板运动至预设位置，以使过料口与出料口连通。与现有技术相比，本发明提供的大尺寸碳化硅单晶生长用坩埚由于采用了开设于翼板上的过料口以及开设于备料仓底部的出料口，所以能够在碳化硅单晶生长过程中进行补料，以增大碳化硅多晶粉料的升华量，实现大尺寸碳化硅单晶生长，满足客户需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118668292B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411118587.6
申请日：2024-08-15
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例提供了一种上吊装式坩埚设备及使用方法，涉及人工晶体生长技术领域。该上吊装式坩埚设备包括坩埚本体、坩埚轴、连接套以及活动套，坩埚轴设置于坩埚本体的上方，连接套可活动地设置于坩埚本体的顶部，并与坩埚轴连接，连接套设有散热孔，连接套和坩埚本体之间形成空腔，散热孔和空腔连通，活动套和连接套可活动地连接，活动套设有活动孔；其中，活动套用于相对于连接套活动，以调整活动孔与散热孔的重叠区域的大小。从而调整散热区域的大小，实现对坩埚本体的散热能力的调节，从而精准控制坩埚内的温度，尤其是可针对籽晶中心及边缘的温度差进行有效调节，改善籽晶径向温度梯度，确保晶体生长的稳定性，提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN118652135B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411132799.X
申请日：2024-08-19
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明属于碳化硅晶体生长技术领域，具体涉及石墨部件表面碳化钽膜层的制备装置、方法及石墨部件。制备装置，包括：坩埚部，其具有中空结构，中空结构的下部为五氧化二钽容纳部，其包括周向环绕的坩埚壁；石墨部件，其与坩埚部同轴设置，其位于坩埚部的上方，其下端与坩埚壁的上端密封固定连接；导流件，其包括柱形段，柱形段位于石墨部件的内部，柱形段与石墨部件同轴设置，柱形段的外壁与石墨部件的内表面留有间隔，其位于五氧化二钽容纳部的上方，前述间隔与五氧化二钽容纳部相连通。本发明的方法能显著降低碳化钽膜层的制备成本，提高碳化钽膜层的致密性，延长石墨部件的使用寿命，减少晶体内部的包裹体数量，显著提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN118272918B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410711756.0
申请日：2024-06-04
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明属于碳化硅晶体生长炉技术领域，具体涉及一种碳化硅晶体生长炉和碳化硅晶体生长方法，包括炉体和设置在炉体内的坩埚、坩埚盖，坩埚盖内开设容纳腔，所述碳化硅晶体生长炉还包括设置在容纳腔内的自动调温装置：容器、环形金属和支撑件，所述环形金属设置在容器内，所述环形金属通过支撑件固定在容器内，且环形金属沿容纳腔厚度方向延伸设置，环形金属的顶部和底部与容器之间均留有间距而形成导流空隙，所述容器内装填常温下为固体且熔点小于炉体内工作温度的热媒。本发明能有效控制籽晶粘接区域的坩埚盖的径向温度梯度，让晶体中央部位的温度和边缘部位的温度更均匀，提高晶体材料利用率，显著降低晶体内部应力，内部的位错密度明显降低。
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公开(公告)号：CN118621433A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202411118589.5
申请日：2024-08-15
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例提供了一种坩埚设备及使用方法，涉人工晶体生长领域。该坩埚设备包括坩埚本体、保温件、保温罩以及升降装置，保温件覆盖于坩埚本体的外部，其中，保温件设有散热孔，保温罩可活动地设置于保温件的外部，保温罩设有通孔，通孔和散热孔配合，用于共同形成散热通道，升降装置和保温罩连接，升降装置用于带动保温罩进行升降运动，从而沿竖直方向调整通孔和散热孔的重叠区域和距离，进而调整散热通道。在加热过程中为了保证坩埚本体内部的温度梯度，升降装置能够带动保温罩进行升降运动，从而沿竖直方向调整通孔和散热孔的重叠区域，实现调整散热通道大小的目的，从而精准控制坩埚内的温度，提高散热效果，确保晶体生长的稳定性。
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公开(公告)号：CN118272918A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410711756.0
申请日：2024-06-04
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明属于碳化硅晶体生长炉技术领域，具体涉及一种碳化硅晶体生长炉和碳化硅晶体生长方法，包括炉体和设置在炉体内的坩埚、坩埚盖，坩埚盖内开设容纳腔，所述碳化硅晶体生长炉还包括设置在容纳腔内的自动调温装置：容器、环形金属和支撑件，所述环形金属设置在容器内，所述环形金属通过支撑件固定在容器内，且环形金属沿容纳腔厚度方向延伸设置，环形金属的顶部和底部与容器之间均留有间距而形成导流空隙，所述容器内装填常温下为固体且熔点小于炉体内工作温度的热媒。本发明能有效控制籽晶粘接区域的坩埚盖的径向温度梯度，让晶体中央部位的温度和边缘部位的温度更均匀，提高晶体材料利用率，显著降低晶体内部应力，内部的位错密度明显降低。
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