公开(公告)号：CN107005224B

公开(公告)日：2021-06-15

申请号：CN201580064707.1

申请日：2015-10-02

Applicant: 芬兰国家技术研究中心股份公司

Inventor： 安蒂·亚科拉 ,  帕努·派克 ,  米卡·普伦尼拉 ,  托马斯·彭萨拉

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/24

Abstract: 本发明涉及一种微机电谐振器装置，包括支撑结构，用n型掺杂剂掺杂到掺杂浓度并能够以宽度‑延伸谐振模式谐振的半导体谐振器板。此外，该装置还包括将谐振器板悬挂在支撑结构上的至少一个锚固件和将宽度‑延伸谐振模式激发到谐振器板中的驱动器。根据本发明，谐振器板被掺杂到1.2*1020cm‑3或更高的掺杂浓度，并且具有这样的形状：其与掺杂浓度结合，在宽度‑延伸谐振模式中，使得至少在一个温度下二阶频率温度系数(TCF2)为12ppb/C2或更低。本发明还提供了几个实际的实施方式。

公开(公告)号：CN107005223A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580064515.0

申请日：2015-10-02

Applicant: 芬兰国家技术研究中心股份公司

Inventor： 安蒂·亚科拉 ,  帕努·派克 ,  米卡·普伦尼拉 ,  托马斯·彭萨拉

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/24 ,  H03H3/007

CPC classification number: H03H9/02448 ,  H03H3/0076 ,  H03H9/2405 ,  H03H9/2447 ,  H03H2009/241

Abstract: 本发明提供一种微机电谐振器装置，包括支撑结构和制造在(100)或(110)半导体晶片上的谐振器，其中谐振器悬挂在支撑结构上并包括至少一个梁，该梁用n型掺杂剂掺杂到1.1*1020cm‑3或更高的掺杂浓度，并且能够基于合适的驱动以长度‑延伸、弯曲或扭转谐振模式谐振。具体地，选择梁的掺杂浓度和角度来使所述谐振模式的谐振器的二阶TCF为零或接近零，甚至更优选地使一阶和二阶TCF同时为零或接近零，从而提供温度稳定的谐振器。