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公开(公告)号:CN103730627A
公开(公告)日:2014-04-16
申请号:CN201310611544.7
申请日:2008-06-05
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01M4/134 , H01M4/386 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供一种能够提高循环特性的电池。负极包括:负极集电体,及布置在负极集电体上的负极活性物质层,其中负极活性物质层包含负极活性物质,该负极活性物质含有硅(Si),并包含直径为3~50nm且包括两个端点的孔隙的群,且按每单位重量的硅计,该直径为3~50nm且包括两个端点的孔隙的群的容积为0.2cm3/g或更小,该容积是利用水银孔隙率计通过水银孔隙率法测量的。
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公开(公告)号:CN101587947B
公开(公告)日:2013-03-13
申请号:CN200910143040.0
申请日:2009-05-25
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/386 , H01M4/5825 , H01M4/587 , H01M10/052 , H01M10/0568 , H01M10/0569
Abstract: 本发明提供了具有高循环特性的负极以及包括该负极的二次电池。该二次电池包括正极、负极以及电解质。在该负极中,包含硅、碳以及氧作为负极活性物质的负极活性物质层设置在负极集电体上。在该负极活性物质中,碳的含量为0.2原子%~10原子%,并且氧的含量为0.5原子%~40原子%。包含在该负极活性物质中的0.1%~17.29%比率的硅以Si-C键存在。
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公开(公告)号:CN101764221B
公开(公告)日:2013-02-06
申请号:CN200910261102.8
申请日:2009-12-22
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01M4/38 , H01M10/0525 , H01M4/13 , H01M4/66 , H01M10/056 , H01M4/02
CPC classification number: H01M10/0567 , H01M4/13 , H01M4/131 , H01M4/134 , H01M4/139 , H01M4/366 , H01M4/38 , H01M4/386 , H01M10/0525 , H01M10/4235
Abstract: 提供了一种能改善循环特性的二次电池。该二次电池包括阴极、阳极和电解质溶液。所述电解质溶液浸渍在设置于阴极和阳极之间的隔离器中。在阳极中,在阳极集流器的两个面上设置阳极活性材料和化合物层。阳极活性材料层包含多个阳极活性材料颗粒。所述阳极活性材料颗粒具有含硅作为构成元素的阳极活性材料的多层结构。多层结构中每一层的厚度为50nm~1050nm,包括端值。因此,各层之间的接触特性,阳极活性材料层与阳极集流器之间的接触特性以及集流特性得到改善。
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公开(公告)号:CN101764221A
公开(公告)日:2010-06-30
申请号:CN200910261102.8
申请日:2009-12-22
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01M4/38 , H01M10/0525 , H01M4/13 , H01M4/66 , H01M10/056 , H01M4/02
CPC classification number: H01M10/0567 , H01M4/13 , H01M4/131 , H01M4/134 , H01M4/139 , H01M4/366 , H01M4/38 , H01M4/386 , H01M10/0525 , H01M10/4235
Abstract: 提供了一种能改善循环特性的二次电池。该二次电池包括阴极、阳极和电解质溶液。所述电解质溶液浸渍在设置于阴极和阳极之间的隔离器中。在阳极中,在阳极集流器的两个面上设置阳极活性材料和化合物层。阳极活性材料层包含多个阳极活性材料颗粒。所述阳极活性材料颗粒具有含硅作为构成元素的阳极活性材料的多层结构。多层结构中每一层的厚度为50nm~1050nm,包括端值。因此,各层之间的接触特性,阳极活性材料层与阳极集流器之间的接触特性以及集流特性得到改善。
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公开(公告)号:CN100580980C
公开(公告)日:2010-01-13
申请号:CN200810008295.1
申请日:2008-02-15
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 本发明提供了负极、其制造方法以及一种具有高充放电效率的电池。所述电池具有负极,所述负极在负极集电体上具有负极活性材料层,其中所述负极活性材料层包含硅作为负极活性材料,并且在所述负极活性材料层的表面的至少一部分上包括具有Si-O键和Si-N键的化合物膜。
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公开(公告)号:CN100539260C
公开(公告)日:2009-09-09
申请号:CN200710087388.3
申请日:2007-04-03
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01M10/0525 , H01M4/04 , H01M4/0419 , H01M4/0421 , H01M4/0452 , H01M4/0471 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/661 , H01M10/058
Abstract: 本发明提供了一种能够缓和由于膨胀和收缩而产生的应力的负极以及一种使用该负极的电池。在该负极中,包含硅和锡中的至少一种作为元素的负极活性物质层设置在带状负极集电体的两个面上。在负极集电体和负极活性物质层中,形成有至少一个穿透部,该穿透部贯穿负极集电体和负极活性物质层而被切掉或切开,并且以包括所述负极集电体的纵向分量而延伸。
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公开(公告)号:CN100524904C
公开(公告)日:2009-08-05
申请号:CN200710103594.9
申请日:2007-03-20
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01M4/38 , H01M4/0421 , H01M4/134 , H01M4/364 , H01M4/366 , H01M4/386 , H01M10/0525
Abstract: 提供一种能够缓和应力集中和改善特性的负极和使用它的电池。该负极包括负极集电体和含有硅(Si)作为构成元素的负极活性材料层,其中该负极活性材料层具有其中含有金属元素作为构成元素的金属元素增加和减少区域,并且该金属元素的浓度在厚度方向上增加然后减少。
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