公开(公告)号：CN1744315A

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN200510091989.2

申请日：2005-08-15

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 横山好彦 ,  西山佳秀

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/16145 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，是将设有基板、贯穿该基板的贯穿电极，所述贯穿电极具备设于所述基板的能动面侧的第1端子和设于与所述能动面相反的背面侧的第2端子，所述第1端子的外形被制成大于所述第2端子的外形的半导体芯片层叠于连接体上的半导体装置，其特征是，所述半导体芯片将所述第2端子借助钎焊料与所述连接体的连接端子电连接。

公开(公告)号：CN1617330A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN200410092607.3

申请日：2004-11-15

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 西山佳秀

IPC: H01L23/10 ,  H03H9/02 ,  H03H9/10 ,  H03H9/19

CPC classification number: H03H9/1021 ,  H01M2/1022 ,  Y10T29/4911

Abstract: 一种压入密封型电子部件及其制造方法，所述压入密封型电子部件的特征在于：具有电子部件(10)、设置了电子部件(10)的塞子部(20)和通过压入塞子部(20)而被密封的罐部(30)，塞子(20)和罐部(30)通过不含有锡的合金层(21、32)密接。本发明的密封型电子部件的制造方法，其特征在于具有：由铜镍锌合金材料形成塞子部(20)和罐部(30)的工序，在其上镀敷锡－铜镀敷材料(40)的工序，通过加热处理在上述铜镍锌合金材料和锡－铜镀敷材料(40)的界面上形成铜－锌合金层(21、32)的工序，除去锡－铜镀敷材料，露出铜－锌合金层(21、32)的工序，通过该露出的铜－锌合金层(21、32)密接塞子部(20)和罐部(30)，进行压入密封的工序。根据本发明，防止产生晶须并且保证密封罐和塞子部的气密性。

公开(公告)号：CN102623293A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210022056.8

申请日：2012-01-31

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 西山佳秀

IPC: H01J61/35 ,  G03B21/14 ,  G03B21/20

CPC classification number: G03B21/2026 ,  H01J61/045 ,  H01J61/35 ,  H01J61/827

Abstract: 本发明涉及一种放电灯、光源装置以及投影仪，该放电灯具备放电用的一对电极以及放电容器，该放电容器由石英玻璃形成，并且具有：内部空间，其用于将所述一对电极分离配置并且在该内部空间中封入放电介质；包围所述内部空间的膨出部；一对密封部，其从所述膨出部的两端延伸，分别支承所述一对电极；内侧保护层，其设置于所述膨出部的内表面，且是从与所述一对电极之间的中心对置的头顶部设置到位于所述一对密封部侧的周边部，并且所述周边部的膜厚与所述头顶部的膜厚相比相对地变薄。

公开(公告)号：CN1328756C

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200410068335.3

申请日：2004-08-31

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 西山佳秀

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L2224/16 ,  Y10T29/53174 ,  Y10T29/53178 ,  Y10T29/53183

Abstract: 一种具有大体长方体盒状用于制造半导体器件的装置，包括用于半导体封装的内部插入空间，在面向插入空间的两侧面沿纵向方向布置的第一引导槽以及分别平行于第一引导槽布置的第二引导槽。上半导体封装(半导体元件)的边缘部分松动配合到第二引导槽中并且限制上半导体封装沿左右方向的运动。此外，下半导体封装(用于安装半导体元件的衬底)的边缘部分松动配合到第一引导槽中并且下半导体封装沿左右方向的运动被限制。通过利用该装置，可以提供难于出现不良连接的半导体器件，并且还可提供用于制造半导体器件的装置和制造半导体器件的方法，它们能够防止在获得的半导体器件中出现这种不良连接并且也能够降低制造成本。

公开(公告)号：CN1810506A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200610005951.3

申请日：2006-01-17

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 水野伸二 ,  西山佳秀 ,  佐藤英一

IPC: B41J2/01 ,  B41J2/045 ,  B41J2/135 ,  B41J2/16 ,  H01L23/488

CPC classification number: B41J2/14233 ,  B41J2002/14241 ,  B41J2002/14362 ,  B41J2002/14419 ,  B41J2002/14491 ,  B41J2202/18 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2924/09701

Abstract: 一种器件安装结构、器件安装方法、液滴喷头、连接器及半导体装置，该器件安装结构，其具备：具有导电连接部和阶梯部的基体、具有经由所述基体上的所述阶梯部而与所述导电连接部电连接的连接端子并且被配置于所述基体上的器件、将所述连接端子和所述导电连接部电连接并具有与所述阶梯部的高度大致相同的高度的连接器。

公开(公告)号：CN1595606A

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN200410068335.3

申请日：2004-08-31

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 西山佳秀

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L2224/16 ,  Y10T29/53174 ,  Y10T29/53178 ,  Y10T29/53183

Abstract: 一种具有大体长方体盒状用于制造半导体器件的装置，包括用于半导体封装的内部插入空间，在面向插入空间的两侧面沿纵向方向布置的第一引导槽以及分别平行于第一引导槽布置的第二引导槽。上半导体封装(半导体元件)的边缘部分松动配合到第二引导槽中并且限制上半导体封装沿左右方向的运动。此外，下半导体封装(用于安装半导体元件的衬底)的边缘部分松动配合到第一引导槽中并且下半导体封装沿左右方向的运动被限制。通过利用该装置，可以提供难于出现不良连接的半导体器件，并且还可提供用于制造半导体器件的装置和制造半导体器件的方法，它们能够防止在获得的半导体器件中出现这种不良连接并且也能够降低制造成本。

公开(公告)号：CN101859743A

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN201010149126.7

申请日：2006-01-17

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 水野伸二 ,  西山佳秀 ,  佐藤英一

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  B41J2/14 ,  B41J2/01

CPC classification number: B41J2/14233 ,  B41J2002/14241 ,  B41J2002/14362 ,  B41J2002/14419 ,  B41J2002/14491 ,  B41J2202/18 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2924/09701

Abstract: 一种器件安装结构、器件安装方法、液滴喷头、连接器及半导体装置，该器件安装结构，其具备：具有导电连接部和槽部的基体、具有经由所述基体上的所述槽部而与所述导电连接部电连接的连接端子并且被配置于所述基体上的器件、将所述连接端子和所述导电连接部电连接并具有与所述槽部的高度大致相同的高度的连接器。