公开(公告)号：CN104422683A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410459147.7

申请日：2014-09-10

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 杉本守 ,  真野哲雄 ,  江成芽久美

IPC: G01N21/65 ,  G01N21/55 ,  G02B5/00

CPC classification number: G01N21/658

Abstract: 本发明提供了热点露出于光学元件的表面且等离子体振子增强效果高的分析装置、分析方法、光学元件及电子设备。分析装置具备：光学元件，包括：第一金属层、配置于贯通第一金属层的电介体柱上并与第一金属层电性绝缘的第二金属层，光学元件的第二金属层的配置满足下述式(1)的关系，P1＜P2≤Q+P1…(1)，P1为第一节距，P2为所述第二节距，Q表示将所述第二金属层的列中所激励的局域型等离子体的角振动频率设为ω、将构成所述第一金属层的金属的电容率设为ε(ω)、将第一金属层的周边的电容率设为ε、将真空中的光速设为c、将作为所述入射光的照射角的与所述第一金属层的厚度方向的倾角设为θ时、由下述式(2)给出的衍射光栅的节距，(ω/c)·{ε·ε(ω)/(ε+ε(ω))}1/2＝ε1/2·(ω/c)·sinθ+2mπ/Q (m＝±1，±2)···(2)。