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公开(公告)号：CN1581442A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN200410071071.7
申请日：2004-07-28
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 岛田浩行
IPC: H01L21/28 , H01L21/3065 , H01L21/3213 , C23F4/00 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/4966 , C23F4/00 , H01L21/28088 , H01L21/32136 , H01L21/823828 , H01L21/84
Abstract: 本发明提供一种可垂直或几乎垂直地各向异性蚀刻导电层的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法包含在半导体的上方形成绝缘层步骤；以及所述绝缘层上形成含有钽和氮化钽至少一种的导电层步骤；并且使用含有SiCl4和NF3及氧化物质气体蚀刻所述导电层步骤。
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公开(公告)号：CN116895694A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310310606.4
申请日：2023-03-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 岛田浩行
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 半导体装置以及功率器件，能够降低导通电阻。半导体装置具有：导电型彼此相同的第一半导体部以及第二半导体部，它们沿着第一方向配置；第三半导体部，其设置于第一半导体部与第二半导体部之间，杂质浓度比第一半导体部以及第二半导体部低；第四半导体部，其设置于第二半导体部与第三半导体部之间，杂质浓度比第一半导体部以及第二半导体部低；栅极绝缘层以及栅极电极，它们设置于第三半导体部的与第一方向交叉的第二方向；以及电介质部，其设置于第四半导体部的第二方向，电介质部由带隙比构成第四半导体部的材料大且相对介电常数比构成第四半导体部的材料大的材料构成，在对栅极电极施加了规定的电压的情况下，在第四半导体部形成耗尽层。
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公开(公告)号：CN115692500A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210846224.9
申请日：2022-07-19
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 岛田浩行
Abstract: 本发明提供半导体装置。抑制半导体装置的多个柱状部(22)与金属层(12)的连接中的接触电阻的增大，防止半导体装置的性能的降低。本发明的半导体装置具备由半导体构成的多个柱状部。所述多个柱状部分别具有源极区域、漏极区域以及沟道形成区域，该沟道形成区域包含形成在所述源极区域与所述漏极区域之间的沟道。本发明的半导体装置还具备：栅极电极，其隔着绝缘层设置于所述沟道形成区域的侧壁；第一半导体层，其与所述多个柱状部各自的所述源极区域和所述漏极区域中的一者连接；以及第一金属层，其与所述第一半导体层连接。
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公开(公告)号：CN115692490A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210845812.0
申请日：2022-07-19
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 岛田浩行
IPC: H01L29/775 , H01L29/10
Abstract: 本发明提供半导体装置，充分降低半导体装置的导通电阻。本发明的半导体装置具备由半导体构成的多个柱状部。所述多个柱状部分别具有源极区域、漏极区域、以及包含形成于所述源极区域与所述漏极区域之间的沟道的沟道形成区域。本发明的半导体装置还具备：栅极电极，其隔着绝缘层设置于所述沟道形成区域的侧壁；以及第一半导体层，其设置于所述漏极区域的侧壁。所述第一半导体层的导电类型与形成所述漏极区域的所述半导体的导电类型不同。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109253829A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201810756172.X
申请日：2018-07-11
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 岛田浩行
CPC classification number: G01L9/0052 , G01L1/18 , G01L9/06 , G01L19/00 , G01L19/14
Abstract: 本发明提供一种能够以简单的工艺来进行制造且能够实现小型化的压力传感器、压力传感器的制造方法、压力传感器模块、电子设备以及移动体。压力传感器具有：半导体基板；绝缘层，其被配置于所述半导体基板上，并且设置有空洞部；以及半导体层，其被配置于所述绝缘层上，并且具备以覆盖所述空洞部的方式而被配置的隔膜。此外，所述隔膜具备有与所述空洞部连通的贯穿孔。
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公开(公告)号：CN107238451A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710174484.5
申请日：2017-03-22
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 岛田浩行
CPC classification number: G01L7/082 , G01C5/06 , G01K1/026 , G01K1/14 , G01K7/22 , G01K13/00 , G01L9/065 , G01L1/18 , G01K7/16
Abstract: 本发明提供一种具有优异的检测精度的压力传感器、具备该压力传感器的可靠性较高的高度计、电子设备以及移动体。该压力传感器的特征在于，具有：隔膜，其通过受压而进行挠曲变形；多个压电电阻元件，其被配置在所述隔膜上；多个感温元件，其以与所述多个压电电阻元件相对应的方式而被配置在所述隔膜上，相对应的所述压电电阻元件以及所述感温元件的间隔距离短于不相对应的所述压电电阻元件以及所述感温元件的间隔距离。此外，在所述隔膜的俯视时，各个所述感温元件以与相对应的所述压电电阻元件重叠的方式被配置。
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公开(公告)号：CN106468608A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201610682429.2
申请日：2016-08-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 岛田浩行
CPC classification number: G01L9/0054 , G01L9/065 , G01L19/04 , G01L9/0052 , G01C5/06
Abstract: 本发明提供一种温度灵敏度较小的压力传感器、具备该压力传感器的可靠性较高的高度计、电子设备以及移动体。压力传感器(1)具有：压力传感器元件(2)，其具有通过受压而发生挠曲变形的隔膜(211)、和被配置在隔膜(211)上的传感器部(22)；压力传感器元件(3)，其具有通过受压而发生挠曲变形的隔膜(311)、和被配置在隔膜(311)上的传感器部(32)，传感器部(22)以及传感器部(32)中的一方具有正温度特性，而另一方具有负温度特性。
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公开(公告)号：CN1312736C
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200410071071.7
申请日：2004-07-28
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 岛田浩行
IPC: H01L21/28 , H01L21/3065 , H01L21/3213 , C23F4/00 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L29/78 , H01L21/18 , H01L21/00 , H01L21/311
CPC classification number: H01L29/4966 , C23F4/00 , H01L21/28088 , H01L21/32136 , H01L21/823828 , H01L21/84
Abstract: 本发明提供一种可垂直或几乎垂直地各向异性蚀刻导电层的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法包含在半导体的上方形成绝缘层步骤；以及所述绝缘层上形成含有钽和氮化钽至少一种的导电层步骤；并且使用含有SiCl4和NF3及氧化物质气体蚀刻所述导电层步骤。
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公开(公告)号：CN1494119A
公开(公告)日：2004-05-05
申请号：CN03160070.0
申请日：2003-09-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 岛田浩行
IPC: H01L21/3213 , H01L21/3065 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/4966 , H01L21/28088 , H01L21/32136 , H01L21/84
Abstract: 一种关于对导电层进行垂直或近似垂直的各向异性蚀刻的半导体装置制造方法，包括以下步骤：在半导体层上面形成绝缘层；在所述绝缘层的上面形成含有钽层或氮化钽层中的至少一种的导电层；以及使用含SiCl4和NF3的气体进行所述导电层的蚀刻。
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