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公开(公告)号：CN111261355B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202010121476.6
申请日：2020-02-26
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体材料、原料组合物、制备方法、应用，原料组合物包含如下组分：R：28～33wt％；R为稀土元素、且包括熔炼用稀土金属R1和晶界扩散用稀土金属R2，R2的含量为0.2～1wt％；R1包括Nd、且不含RH；R2包括Tb；B：0.9～1.1wt％；Cu：0.15wt％以下、且不为0wt％；M：0.4wt％以下、且不为0wt％；M包括Ti、Ni、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Zr、Hf、Zn和Ag中的一种或多种；Fe：60～70.5wt％；Co：＜0.5wt％、且不为0wt％；RH为重稀土元素。本发明的磁体材料具有高剩磁、高矫顽力以及高温性能好的优势。
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公开(公告)号：CN112086256B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202011059274.X
申请日：2020-09-30
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司 , 厦门钨业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种R‑Fe‑B系稀土烧结磁铁及制备方法，所述R‑Fe‑B系稀土烧结磁铁包括磁铁烧结体及复合在磁铁烧结体表面的含硅层及含重稀土层，所述含重稀土层位于所述含硅层上，所述磁铁烧结体表面的至少一部分被所述含硅层覆盖，所述含硅层表面的至少一部分被所述含重稀土层覆盖，所述含硅层含有硅、二氧化硅及碳化硅中的至少一种，所述含重稀土层含有重稀土，所述重稀土选自镝、铽和钬中的至少一种，所述磁铁烧结体表面至1μm以上深度分布有所述的重稀土。本发明通过在磁铁烧结体的表面的至少一部分覆盖含硅层，可促进重稀土元素的扩散，改善磁铁的性能。当含重稀土层含有重稀土氟化物时，还可以有效减少氟元素往磁铁内部的扩散。
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公开(公告)号：CN111223626B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202010121477.0
申请日：2020-02-26
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体材料、原料组合物、制备方法、应用，原料组合物包含如下组分：R：28～33wt％；R为稀土元素、且包括熔炼用稀土金属R1和晶界扩散用稀土金属R2，R2的含量为0.2～1wt％；R1包括Nd、且不含RH；R2包括Tb；B：0.9～1.1wt％；Cu：0.15wt％以下、且不为0wt％；M：0.4wt％以下、且不为0wt％；M为Bi、Sn、Zn、Ga、In、Au和Pb中的一种或多种；Fe：60～70.65wt％；RH为重稀土元素；原料组合物中不含有Co；wt％为各元素占原料组合物的质量百分比。本发明的磁体材料具有高剩磁、高矫顽力以及高温性能好的优势。
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公开(公告)号：CN111223627A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010121486.X
申请日：2020-02-26
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体材料、原料组合物、制备方法、应用，其包含如下组分：R：28～33wt％；R为稀土元素、且包括熔炼用稀土金属R1和晶界扩散用稀土金属R2，R2的含量为0.2～1wt％；R1包括Nd、且不含RH；R2包括Tb；B：0.9～1.1wt％；Cu：0.15wt％以下、且不为0wt％；M：0.4wt％以下、且不为0wt％；M包括Ti、Ni、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Zr、Hf、Zn和Ag中的一种或多种；Fe：60～70.6wt％；RH为重稀土元素；原料组合物中不含有Co。本发明的磁体材料具有高剩磁、高矫顽力以及高温性能好的优势。
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公开(公告)号：CN111243807B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202010121472.8
申请日：2020-02-26
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体材料、原料组合物及制备方法和应用。该钕铁硼磁体材料的原料组合物包括如下质量含量的组分：R：28～33％；R为稀土元素，R包括R1和R2，R1为熔炼时添加的稀土元素，R1包括Nd和Dy；R2为晶界扩散时添加的稀土元素，R2包括Tb，R2的含量为0.2～1％；M：≤0.4％、但不为0，所述M为Bi、Sn、Zn、Ga、In、Au和Pb中的一种或多种；Cu：≤0.15％、但不为0；B：0.9～1.1％；Fe：60～70％，且不含Co。本发明的钕铁硼磁体材料可在添加少量的重稀土元素、且不添加钴元素的条件下，仍然具有较高的矫顽力、剩磁，且热稳定性佳。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111243807A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010121472.8
申请日：2020-02-26
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体材料、原料组合物及制备方法和应用。该钕铁硼磁体材料的原料组合物包括如下质量含量的组分：R：28～33％；R为稀土元素，R包括R1和R2，R1为熔炼时添加的稀土元素，R1包括Nd和Dy；R2为晶界扩散时添加的稀土元素，R2包括Tb，R2的含量为0.2～1％；M：≤0.4％、但不为0，所述M为Bi、Sn、Zn、Ga、In、Au和Pb中的一种或多种；Cu：≤0.15％、但不为0；B：0.9～1.1％；Fe：60～70％，且不含Co。本发明的钕铁硼磁体材料可在添加少量的重稀土元素、且不添加钴元素的条件下，仍然具有较高的矫顽力、剩磁，且热稳定性佳。
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公开(公告)号：CN111223626A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010121477.0
申请日：2020-02-26
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体材料、原料组合物、制备方法、应用，原料组合物包含如下组分：R：28～33wt％；R为稀土元素、且包括熔炼用稀土金属R1和晶界扩散用稀土金属R2，R2的含量为0.2～1wt％；R1包括Nd、且不含RH；R2包括Tb；B：0.9～1.1wt％；Cu：0.15wt％以下、且不为0wt％；M：0.4wt％以下、且不为0wt％；M为Bi、Sn、Zn、Ga、In、Au和Pb中的一种或多种；Fe：60～70.65wt％；RH为重稀土元素；原料组合物中不含有Co；wt％为各元素占原料组合物的质量百分比。本发明的磁体材料具有高剩磁、高矫顽力以及高温性能好的优势。
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公开(公告)号：CN106935390B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201511025722.3
申请日：2015-12-31
Applicant: 厦门钨业股份有限公司 , 福建省长汀金龙稀土有限公司
IPC: H01F41/02 , C09D191/06 , C09D7/61 , C21D1/773
Abstract: 本发明公开了一种稀土烧结磁铁的表面处理方法，包括以下步骤：1)稀土烧结磁铁工件进行前处理；2)将经过前处理的所述工件用混合有纳米金属氧化物的有机封闭材料封闭处理，成膜；3)对成膜的所述工件在真空环境或惰性气氛环境中进行热处理；4)降温，取出工件获得。该方法可方便地在稀土烧结磁铁的表面形成固化薄膜，保证工艺稳定性，其操作简单，可同时处理大批量的磁铁，适用工业化生产。
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公开(公告)号：CN116403792A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202111681329.5
申请日：2021-12-28
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶界扩散材料、R‑T‑B磁体及其制备方法。该晶界扩散材料包括扩散基体和扩散源；扩散基体包括以下组分：R：28.5～33.5wt.％，R为稀土元素；Ga：0～0.5wt.％；B：0.9～1.02wt.％；Fe：65～70wt.％；扩散源包括以下组分：HR：0～70wt.％但不为0wt.％；所述HR为重稀土元素，所述HR包括Dy和/或Tb；Ga≥10wt.％；Cu：0～10wt.％；Co：0～10wt.％；Al：0～8wt.％；Fe：0～8wt.％。采用本发明的晶界扩散材料制备的R‑T‑B磁体相较于晶界扩散前的扩散基体，矫顽力和温度稳定性有显著的提升，且剩磁基本不变。
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公开(公告)号：CN115881377A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202111167855.X
申请日：2021-09-27
Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶界扩散材料、钕铁硼磁体材料及其制备方法和应用。该晶界扩散材料包括烧结体和扩散源；所述的烧结体包括以下组分：R：29～32wt.％，R为稀土元素；M：0.1～2wt.％；M包括Cu、Ga和Co中的一种或多种；B：0.9～1.0wt.％；Fe：65～70wt.％，wt.％为各组分的质量与烧结体总质量的百分比；扩散源包括以下组分：Tb：60～85wt.％；Ga：10～30wt.％；Cu：5～20wt.％，wt.％为各组分的质量与扩散源总质量的百分比。本发明中的晶界扩散材料能够更显著的提高钕铁硼磁体材料的矫顽力，同时维持较高的剩磁以及磁性能的高温稳定性。
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