公开(公告)号：CN103556177B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201310540027.5

申请日：2013-11-05

Applicant: 福州大学

Inventor： 唐电 ,  魏宗平 ,  王欣 ,  翁卫祥 ,  王萍 ,  易中华 ,  郭添福 ,  魏喆良

IPC: C25B11/10 ,  C23C28/00 ,  C23C20/08 ,  C23C18/44

Abstract: 本发明公开了一种活性层改性钛基材导电材料及其制备方法，将钛基材经含银活性层改性后，再进行银镀层的沉积，得到导电材料。本发明可以获得结合状态良好，且具有结构精细、组织致密的银镀层。获得的镀银材料和器件可应用与电子、电力和仪表工业。本发明的制备方法简单，可操作性强，原料易得，成本低。

公开(公告)号：CN101603162A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200910304965.9

申请日：2009-07-29

Applicant: 福州大学

Inventor： 王连登 ,  朱定一 ,  魏喆良 ,  王尤生 ,  陈永禄 ,  黄利光 ,  杨少琼 ,  何旭 ,  顾海龙

IPC: C22F1/043 ,  C22F1/04

Abstract: 本发明提供一种高硅铝合金或其它含第二硬脆相合金的物理法变质工艺，属于金属材料领域。解决现有技术中变质工艺复杂、难以控制、有污染、成本高、不适合大规模工业生产等缺点，工艺步骤为将成分不同与温度不同的两种合金熔体按比例混合，形成另一种所要求成分的熔体，再将混合后的熔体进行过热处理，使得熔体中含有的第二粗大硬脆相得到细化或变质。经该种成分互补熔体温度处理工艺处理后，含20％Si铝硅合金中初生Si相的晶粒在保温100min内尺寸可稳定在40μm左右。本发明的工艺的过程简单，灵活性强，绿色无污染，并明显改善硅粒子形态、大小及分布，提高其力学性能，最终制作出能满足各种用途且综合性能优异的高硅铝合金材料。

公开(公告)号：CN100366368C

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200610018639.8

申请日：2006-03-23

Applicant: 福州大学

Inventor： 唐电 ,  邵艳群 ,  魏喆良 ,  汤姆斯欧克弗

IPC: B22F9/24

Abstract: 本发明提出一种纳米金属银的非水溶液均相还原的制备方法。通过本技术可以获得具有尺寸稳定、化学稳定、单分散的、性质异常稳定的纳米金属银的产品。本发明的纳米银的制备方法的特征是，首先将银离子溶解于含有中性含磷配位化合物的惰性溶剂中，另外，将一价铜离子也溶解于含有中性含磷配位化合物的惰性溶剂中，然后将两者混合产生还原反应，生成的沉淀物即为纳米金属银，过滤、洗涤、干燥后即为纳米金属银产品。

公开(公告)号：CN1288278C

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200410013009.2

申请日：2004-04-09

Applicant: 福州大学

Inventor： 唐电 ,  魏喆良 ,  邵艳群 ,  黄浩 ,  蔡建九

IPC: C23C18/42

Abstract: 本发明是一种适用于工业和民用的利用非水溶液沉积精细结构银镀层的方法及其应用，可以取代利用含氰化合物的置换镀银的传统方法。它是利用银与比银活泼的被镀材料在醇基有机溶液中的置换反应的机理进行镀银，以具有极性的有机溶液为镀液溶剂的主体溶液，在主体溶液中添加能与银离子形成配位体的银配位化合物，将镀银溶剂与被镀基材接触。采用添加银配位化合物，结果使得镀层的结合力得以提高，使镀层的内部结构得以均匀和微细化，从而获得具有精细结构的银镀层。本发明可应用于电子工业、电力工业、仪表工业、材料加工工业、电极制造工业、电镀工业、装饰业、半导体和信息技术领域。