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公开(公告)号:CN115377339A
公开(公告)日:2022-11-22
申请号:CN202211162470.9
申请日:2022-09-23
Abstract: 本发明提出一种基于静电吸附量子点制备图案化QLED的方法,先制备P4VP(4‑乙烯基吡啶二嵌段共聚物)薄膜,再用DPN(蘸水笔纳米光刻术)法制备图案化的P4VP薄膜,最后在P4VP薄膜上旋涂配体(如羧酸、膦酸和硫醇末端的配体)修饰的量子点。在P4VP薄膜上的图案是由于局部质子化形成的,通过静电作用可以吸附由于配体电离而带负电的量子点得到图案化的量子点薄膜。以此为基础可以通过在P4VP薄膜上设计和制备不同尺寸的图案,从而获得亚微米以及纳米级别的量子点薄膜发光像素,通过转印技术把图案化的量子点薄膜转移到预制QLED基底功能层上,制备出QLED器件。
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公开(公告)号:CN115260248A
公开(公告)日:2022-11-01
申请号:CN202210721135.1
申请日:2022-06-24
Abstract: 本发明属于发光电化学池制备技术领域,提供了一种新型的双核阳离子型铱配合物的设计合成方法及该配合物在LEC中的应用。在2‑(2‑吡啶基)苯并咪唑、1,4‑二溴苯、18‑冠醚‑6、碘化亚铜和碳酸钾的混合物中加入N,N‑二甲基丙烯基脲,加热、搅拌、萃取、旋干、分离后得到1,4‑双(2‑(吡啶‑2‑基)‑1H‑苯并咪唑‑1‑基)苯化合物;然后将制得的上述化合物和2‑(2,4‑二氟苯基)‑2H‑吡咯铱二氯桥配合物的混合物加入乙二醇溶液,加热、搅拌、冷却后倒入六氟磷酸铵水溶液中,搅拌、静置、过滤和分离后即得双核阳离子型磷光铱配合物。所述配合物具有高效的荧光发射性能,可应用于LEC发光器件。
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公开(公告)号:CN104409651A
公开(公告)日:2015-03-11
申请号:CN201410237612.2
申请日:2014-05-31
Applicant: 福州大学
CPC classification number: H01L51/56 , H01L51/0005 , H01L51/50
Abstract: 本发明的目的在于提供一种OLED器件结构,包括设于底层的玻璃基板,其特征在于:所述玻璃基板上依次设有阳极层,空穴传输层,有机发光层,电子注入缓存层,阴极层和封装薄膜层。本发明采用在打印头上设置多喷头同时打印的方法,通过计算机预先设计OLED器件及封装薄膜的三维模型,在加热基板上精确定位各层结构的扫描路径,进而打印形成OLED器件,在打印的同时利用加热固化转置进行加热的处理,这种方法较传统器件打印方法大大简化,可一次性成型器件并实现封装,省去了多次装填材料的麻烦,大大缩减了工作时间,成型器件与传统层层打印的器件相比,旋转了90°,并实现了OLED器件的薄膜封装。
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公开(公告)号:CN103641110A
公开(公告)日:2014-03-19
申请号:CN201310712919.9
申请日:2013-12-23
Applicant: 福州大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明涉及一种利用感应加热制备石墨烯的方法,包括以下步骤:S01:提供一密闭的反应器,且该反应器的外壁绕有复数个感应器线圈,并将金属衬底放置于该反应器中;S02:在该反应器中通入非氧化性气体一预设时间后,向所述复数个感应器线圈两端口通入交流电;S03:当该金属衬底的温度达到一预设温度时,在所述非氧化性气体中通入含碳化合物气体作为碳源;S04:反应进行一预定时间后,停止通入该含碳化合物气体,同时关闭电流并继续通入所述非氧化性气体制冷至室温;S05:取出所述金属衬底。本发明利用感应加热制备石墨烯,加热及降温速度快,加热位置和面积可控,操作方便可实现石墨烯的大面积快速制备。
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