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公开(公告)号：CN115739157A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211504168.7
申请日：2022-11-29
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明公开了一种3D分级结构氮化碳光催化剂的制备方法，该结构的催化剂以下简称为SCN，该光催化材料是以尿素直接缩聚生成的体相g‑C3N4为前驱体，以硝酸氨基胍为造孔剂，采用冷冻干燥结合热处理策略制备而成的。其结构由海绵状多级3D多孔石墨相氮化碳组成，主要制备方法如下：1)前驱体的制备；2)制备多孔结构；3)海绵状多孔g‑C3N4光催化剂的制备。该方法解决了传统石墨相氮化碳合成过程中缩聚不完全，导致其内部微观结构不可控，载流子复合效率高，且产生的载流子数量少，从而所得的光催化效率低的问题，以上方法制备的3D分级结构氮化碳光催化剂纳米材料相比于体相g‑C3N4显著提升了其光催化反应的效率。
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公开(公告)号：CN115679371A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211465474.4
申请日：2022-11-22
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: C25B11/091 , C25B11/02 , C25B1/55 , C25B1/04
Abstract: 本发明涉及一种双阴极并联光驱动分解水制氢电极系统，包括，容纳有酸性电解液的腔室，设置于腔室侧壁上的第一阴极，其包括第一导电衬底、宽带隙半导体薄膜和析氢催化剂；设置于腔室侧壁上的第二阴极，其包括第二导电衬底、窄带隙半导体薄膜、n型半导体层和析氢催化剂；析氧电极设置于酸性电解液中；具有正极和负极的热电器件，具有热端和冷端，热端与第二阴极邻接设置；第一导电衬底和第二导电衬底连接至负极，析氧电极连接至正极。该电极系统完全依赖太阳能驱动分解水制氢，同时充分利用了太阳光以及热电器件的输出功率，极大地增加了单位时间内的制氢量，具有良好的发展前景和经济效益。
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公开(公告)号：CN115837283B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202211465475.9
申请日：2022-11-22
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明涉及一种氧化铈/石墨相氮化碳纳米复合光催化剂及其制备方法，其包括，选用极性不同的第一极性溶剂和第二极性溶剂按照一定的比例混合均匀获得混合极性溶剂，在超声条件下，将亚乙基二油酸酰胺表面活性剂分散至混合极性溶剂中，随后加入g‑C3N4纳米片，接着加入乙二胺调节pH值至8~10，形成混合极性溶液；将一定量的乙酰丙酮铈加入混合极性溶液中，在低温条件下，超声反应获得包含有复合光催化剂的混合溶液；将混合溶液提纯后在真空冷冻条件下干燥获得该复合光催化剂。该制备方法温和简单易操作，制备获得的复合光催化剂具有光生电子和空穴对分离效率高和传输性能好的特点。
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公开(公告)号：CN117599858A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311665580.1
申请日：2023-12-06
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明涉及半导体光催化技术领域，具体涉及一种氧化锌/聚多巴胺异质结及其制备方法和界面中n‑π共轭相互作用强度的调节方法。氧化锌/聚多巴胺异质结的制备方法为将氧化锌纳米片分散在极性溶剂中，向得到的氧化锌分散液中加入三亚乙基四胺作为界面调节剂，三亚乙基四胺的体积占三亚乙基四胺与极性溶剂总体积的2%~30%，搅拌后，调整体系温度至10℃以下，然后加入多巴胺反应，反应后过滤，收集沉淀物并冷冻干燥。本发明以三亚乙基四胺为界面调节剂，通过调整界面调节剂使用量和反应温度，实现对ZnO/PDA异质结界面中n‑π共轭相互作用强度的调控。
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公开(公告)号：CN117535718A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311364113.5
申请日：2023-10-18
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: C25B11/091 , C25B11/061 , C25B1/04 , C25B1/55
Abstract: 本发明本发明涉及光电化学裂解水制氢领域公开了一种用于光电化学裂解水制氢的银铋硫(AgBiS2)基复合光阴极及其制备方法，该复合光阴极结构包括位于底部的镀钼导电基底，位于导电基底上方的AgBiS2吸光层，位于吸光层上方的CdS缓冲层，位于缓冲层上方的TiO2保护层，位，于保护层上方的Pt析氢助催化剂层。其制备方法包含以下步骤：利用喷雾热解法在镀钼基底上喷涂一层AgBiS2层；再利用化学水浴法在AgBiS2层上沉积一层CdS层；然后利用原子层沉积法在CdS层上沉积一层TiO2层；最后利用光辅助电沉积法在TiO2层上沉积一层Pt纳米颗粒。本发明公开的AgBiS2基光阴极可在一定偏压下实现高效且稳定的光电化学裂解水制氢，并且其制备方法简单且成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117427631A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311366448.0
申请日：2023-10-20
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: B01J23/34 , B01D53/86 , B01D53/62 , B01J35/50 , B01J35/39 , B01J37/08 , C01B32/40 , C07C1/02 , C07C9/04
Abstract: 本发明公开了一种新型纳米复合材料光催化剂、制备方法及其在光催化还原二氧化碳中的应用，该光催化剂是以硝酸铈和四氧化三锰为原料，以乙醇和水的混合液为溶剂，使用马弗炉高温煅烧制备。制备的二氧化铈/四氧化三锰(CeO2/Mn3O4)纳米复合材料光催化剂的微观结构为花状结构，含有高浓度的氧空位。本发明方法通过构建异质结，解决了纯的四氧化三锰不适合还原二氧化碳的问题。本发明方法制备的二氧化铈/四氧化三锰(CeO2/Mn3O4)纳米复合材料光催化剂在可见光下表现出良好的光催化还原二氧化碳活性。
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公开(公告)号：CN116764644A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310720454.5
申请日：2023-06-16
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明公开了一种具有局域表面等离子共振效应(LSPR)的钼酸铜(CuMoO4)纳米光催化剂，该光催化剂是以钼酸铵和硝酸铜为原料，以去离子水为溶剂，以尿素为表面活性剂，采用直接沉淀法制备。制备的钼酸铜(CuMoO4)纳米光催化剂的微观结构为球状结构，具有较大比表面积。该光催化剂在紫外光范围有较强吸收，同时在可见光区域及红外光区域有明显LSPR效应。该光催化剂荧光光谱强度低，电子空穴符合率低。本发明方法制备的钼酸铜(CuMoO4)纳米光催化剂在可见光下表现出优异的LSPR效应及优异的光催化性能。
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公开(公告)号：CN116020447A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211518615.4
申请日：2022-11-30
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明涉及一种具有载流子分离结构的氧化钛基光催化除甲醛光触媒及其制备方法，其光触媒为纳米复合物，包括二氧化钛、碳基材料和催化剂；碳基材料负载于二氧化钛的表面，两者之间具有双重电子转移通道；催化剂负载于二氧化钛的表面，碳基材料与二氧化钛的质量比为0.1％～5％，催化剂占纳米复合物的质量百分比为0.001％‑0.01％。该光触媒有效地减少了电子空穴对的复合几率，同时负载的催化剂提供了更多的反应活性位点，成倍地提升甲醛处理效率和速率；本发明所制备的光催化除甲醛光触媒，具有高活性、无毒、低成本的特点，具备良好的产业化应用前景。
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公开(公告)号：CN115837283A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202211465475.9
申请日：2022-11-22
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明涉及一种新型氧化铈/石墨相氮化碳纳米复合光催化剂及其制备方法，其包括，选用极性不同的第一极性溶剂和第二极性溶剂按照一定的比例混合均匀获得混合极性溶剂，在超声条件下，将亚乙基二油酸酰胺表面活性剂分散至混合极性溶剂中，随后加入g‑C3N4纳米片，接着加入乙二胺调节pH值至8～10，形成混合极性溶液；将一定量的乙酰丙酮铈加入混合极性溶液中，在低温条件下，超声反应获得包含有复合光催化剂的混合溶液；将混合溶液提纯后在真空冷冻条件下干燥获得该复合光催化剂。该制备方法温和简单易操作，制备获得的复合光催化剂具有光生电子和空穴对分离效率高和传输性能好的特点。
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公开(公告)号：CN115747826A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211444589.5
申请日：2022-11-18
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: C25B1/04 , C25B1/55 , C25B11/04 , C25B11/02 , C25B11/055 , C25B11/091 , C03C17/34
Abstract: 本发明涉及一种基于p型铜基硫化物半导体薄膜的光电化学裂解水光阳极及其电极系统，其包括工作电极、参比电极和对电极，工作电极为Cu3BiS3基光阳极，Cu3BiS3基光阳极包括导电衬底、位于导电衬底上的电子传输层、位于电子传输层上的Cu3BiS3吸收层、位于吸收层上的缓冲层、位于缓冲层上的保护层、位于保护层上的析氧助催化剂层。在本发明的电极系统中，通过特殊的结构设计实现了p型半导体Cu3BiS3薄膜的光阳极的构建。相较于传统n型半导体作为吸光层制成的光阳极，该光阳极的光吸收能力得到显著提升，进而提升了整个电极系统的光转氢效率。
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