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公开(公告)号：CN103702495A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201410024201.5
申请日：2014-01-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H05B37/02
Abstract: 本发明涉及电子电路技术，具体的说是涉及一种基于交流电供电的线性LED驱动电路。本发明的线性LED驱动电路，包括整流桥电路和多个LED模块，其特征在于，还包括采样电路、逻辑控制电路和多个恒流模块；所述整流桥电路与采样电路、LED模块和恒流模块连接，所述采样电路与逻辑控制电路连接，所述逻辑控制电路分别与每个恒流模块连接，所述恒流模块与LED模块数量相等且依次对应相连接。本发明的有益效果为，能有效提高电能转化效率，实现LED电流恒流和LED平均功率恒定，还可根据需求，调节LED数目，设定LED灯具功率。本发明尤其适用于线性LED驱动。
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公开(公告)号：CN111223994B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202010055484.5
申请日：2020-01-17
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种采用羰基小分子作为添加剂的全印刷介观钙钛矿太阳能电池，该太阳能电池设置在衬底上，由下而上包括衬底上依次层叠设置的阴极层、氧化物致密层、多孔电子传输层、多孔阻隔层、多孔阳极层，钙钛矿薄膜填充各多孔层中，通过在钙钛矿前驱体溶液中引入羰基小分子添加剂作为钙钛矿结晶的钝化剂、交联剂，钝化了钙钛矿的碘缺陷，增加了钙钛矿薄膜的结晶度，提升了钙钛矿薄膜的成品率，并能显著的提升全印刷介观钙钛矿太阳能电池的效率。
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公开(公告)号：CN111610202A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010494839.0
申请日：2020-06-03
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01N23/00
Abstract: 本发明提出了一种基于时间反演的介质材料损伤探测系统及方法，用于解决现有技术中存在的复杂环境下探测准确度较低的技术问题，本发明的探测方法包括以下步骤：建立三维坐标系；采样模块记录接收天线坐标和待探测介质材料外部几何信息刨分后的结点坐标；时间反演镜采集无损伤介质材料和待探测介质材料的散射信号；时间反演计算模块对时间反演镜采集的散射信号进行时域取反；傅里叶变换模块对时域取反后的信号进行傅里叶变换；损伤目标判断模块判断是否有损伤；共轭计算模块对损伤目标信号取共轭；反演场计算模块计算所有网格刨分结点的反演场；损伤目标位置筛选模块筛选损伤目标位置。
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公开(公告)号：CN111146344A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN202010055485.X
申请日：2020-01-17
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种以苯胺或嗪环为添加剂的全印刷介观钙钛矿太阳能电池，该太阳能电池设置在衬底上，包括衬底上依次层叠设置的阴极层、电子传输层、介孔层、阻隔层、阳极层，钙钛矿薄膜填充在介孔层、阻隔层与阳极层中，钙钛矿薄膜的前驱体溶液中引入苯胺或嗪环带氨基的添加剂显著高钙钛矿太阳能电池的光电转换效率和稳定性。
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公开(公告)号：CN103384063B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310284263.5
申请日：2013-07-08
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02H9/02 , H02H9/04 , H01L27/02 , H01L21/782
Abstract: 本发明涉及电子电路及半导体技术，具体的说是涉及一种可编程浪涌保护电路及其制造方法。本发明所述的一种浪涌保护电路，由2只第一种导电类型的MOSFET、2只第二种导电类型的MOSFET、2只第一种导电类型的门极晶闸管和2只第二种导电类型的门极晶闸管构成，主要是利用MOSFET的漏源电流来控制晶闸管的通断，从而泄放浪涌电流，并提出了制造该浪涌电路的方法。本发明的有益效果为，具有响应速度快（ns级）、承受电压电流冲击能力强的优点，并能同时实现双线双向浪涌保护，还可根据需要调节保护器件对浪涌电压的敏感度。本发明尤其适用于浪涌保护电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103972295A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410238585.0
申请日：2014-05-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336 , H01L21/265
CPC classification number: H01L29/808 , H01L29/1058 , H01L29/66893
Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种JFET器件及其制造方法。本发明的JFET器件在沟道中引入了电流浅槽辅助层(13)和电压浅槽辅助层(14)，电流浅槽辅助层(13)和电压浅槽辅助层(14)位于P+栅区(1)两端并与P+栅区(1)相接，利用电流浅槽辅助层(13)来减弱沟道调制效应，从而实现在宽电压输入范围内，输出电流的变化率小，利用电压浅槽辅助层(14)和电流浅槽辅助层(13)共同作用来减弱曲率效应从而提升器件耐压。本发明的有益效果为，在制作工艺并不复杂的基础上，器件的恒流特性较好，在宽电压输入范围内，输出电流的变化率很小，能够满足更小恒流精度的需求，特别适合小功率LED灯恒流驱动。本发明尤其适用于小功率LED灯恒流用JFET器件。
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公开(公告)号：CN111204749A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN202010055384.2
申请日：2020-01-17
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C01B32/19
Abstract: 本发明公开了一种电化学制备低氧含量石墨烯的方法，采用无毒害有机盐作为电解质对石墨箔进行电化学剥离，同时，双氧水作为一个助剥剂和保护剂，在剥离过程中，双氧水会产生气体帮助石墨烯的剥离，同时作为一个还原剂，与系统中的自由基反应，减少自由基与石墨烯反应，从而达到保护石墨烯的目的，最终得到质量较高、厚度为1.3-3.2nm，最大横向尺寸可达8μm的低氧含量石墨烯产品。该过程条件温和，全过程无毒害试剂不仅对环境无污染，电解质和双氧水的引入，可以保证石墨烯的结构和性能不被破坏，操作简单，易于产业化；而且制备的石墨烯含氧量低。
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公开(公告)号：CN110890466A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201910955228.9
申请日：2019-10-09
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种全印刷介观钙钛矿太阳能电池，该太阳能电池设置在衬底上，包括衬底上依次层叠设置的阴极层、电子传输层、介孔层、阻隔层、阳极层，钙钛矿薄膜填充在介孔层、阻隔层与阳极层中，钙钛矿薄膜的前驱体溶液中引入多羰基小分子添加剂。提高钙钛矿薄膜质量，填补钙钛矿缺陷，修饰钙钛矿晶界，从而提高钙钛矿太阳能电池的器件性能，解决了钙钛矿薄膜材料在介孔中的结晶难以控制，导致降低太阳能电池器件的性能问题，解决了全介观钙钛矿太阳能电池工艺重复性差、效率低的缺点。
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公开(公告)号：CN104201208B
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201410425842.1
申请日：2014-08-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/808 , H01L29/423 , H01L21/337
Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种恒流JFET器件及其制造方法。本发明的恒流JFET器件，其特征在于所述P+表面栅极区5和P+背面栅极区2的结深为不均匀的，从靠近N+漏极区6的一端到靠近N+源极区7的一端P+表面栅极区5的结深逐渐增加，从靠近N+漏极区6的一端到靠近N+源极区7的一端P+背面栅极区2的结深也逐渐增加。本发明的有益效果为，恒流特性较好，能够满足更小恒流精度的需求。本发明尤其适用于恒流JFET器件及其制造。
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公开(公告)号：CN103646965A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310726023.6
申请日：2013-12-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336 , H01L21/265
Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种JFET器件及其制造方法。本发明的JFET器件，其特征在于，所述P+栅极区1的结深为不均匀的，从靠近N+漏极区2的一端到靠近N+源极区3的一端P+栅极区1的结深逐渐增加。本发明的有益效果为，恒流特性较好，能够满足更小恒流精度的需求。本发明尤其适用于JFET器件及其制造。
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