一种高频率稳定度的Buck变换器

    公开(公告)号:CN111224546B

    公开(公告)日:2021-03-30

    申请号:CN202010138276.1

    申请日:2020-03-03

    Abstract: 一种高频率稳定度的Buck变换器,属于模拟集成电路技术领域。本发明基于单周期输出电压预测技术,根据单周期占空比预测输出电压信息,通过采样前一个周期信息去预测下一个周期等效的输出电压,从而决定下个周期的导通时间,并根据预测的输出电压和负载电流补偿导通时间TON,本发明提出的Buck变换器的开关频率只取决于第三电阻和第一电容决定的时间常数,实现了Buck变换器的频率稳定;本发明提出的变换器可以在输入输出电压和负载变化时实现频率恒定,并可通过调节外部电阻使Buck变换器在高开关频率下工作,在瞬态响应时具有较快频率稳定速度。

    一种高侧功率开关的输出级电路

    公开(公告)号:CN112350702A

    公开(公告)日:2021-02-09

    申请号:CN202011189520.3

    申请日:2020-10-30

    Abstract: 一种高侧功率开关的输出级电路,属于功率集成电路技术领域。本发明利用功率管栅极驱动模块驱动控制高侧功率管,结合输出负压钳位模块的设计实现感性负载快速退磁和上升斜率控制,当感性负载退磁时,使得输出负压钳位模块中第十七二极管、第十八二极管、第十九二极管击穿,将第一PMOS管打开对高侧功率管栅极进行充电,从而快速打开高侧功率管,避免输出节点电压进一步下掉,实现输出节点的电压钳位,比传统感性负载快速退磁方案而言减小了版图面积和功耗;同时设计栅极保护模块和电流限制模块,使得本发明的输出级电路在正常驱动高侧功率管开关的同时,还可以限制高侧功率管的最大电流,避免高侧功率管被烧毁。

    一种自适应斜坡补偿的Buck变换器

    公开(公告)号:CN111262436A

    公开(公告)日:2020-06-09

    申请号:CN202010189507.1

    申请日:2020-03-18

    Abstract: 一种自适应斜坡补偿的Buck变换器,第一跨导放大器将反馈电压与基准电压求差,得到原始控制电流;第二跨导放大器将反馈电压与基准电压求差,并通过将差值电流与第二电流源的电流叠加送到第二电容上,通过D触发器的Q输出端输出的信号控制第二开关,形成可变斜率的斜坡电压,再通过第四跨导放大器产生可变斜率的斜坡电流;第三跨导放大器根据第一电压源和地之间的电压差形成包含输出电压信息的电流;电流乘法器将原始控制电流乘以可变斜率的斜坡电流除以带输出电压信息的电流,得到带控制信息的自适应斜坡电流,再利用第一电阻将自适应斜坡电流转化成自适应斜坡电压信号接入第一比较器的正向输入端,比较信号控制驱动模块。

    用于高功率密度降压型开关变换器的开关电流积分器

    公开(公告)号:CN113037262B

    公开(公告)日:2022-05-17

    申请号:CN202110267954.9

    申请日:2021-03-12

    Abstract: 本发明公开了一种用于高功率密度降压型开关变换器的开关电流积分器电路,包括四个电容,四个传输门,十四个NMOS管,十五个PMOS管和电流源。通过这些元件相互连接构成开关电流电路使传递函数等效成一个积分器,提高了低频增益,并引入了自适应零点来使得Buck环路在不同开关频率下保持稳定,减小芯片面积,解决了传统误差放大器需要引入片外补偿,Buck变换器带宽固定在高频时瞬态响应较差的问题。

    一种正温系数电流源和一种零温度系数电流源

    公开(公告)号:CN112256078B

    公开(公告)日:2021-12-31

    申请号:CN202011189541.5

    申请日:2020-10-30

    Abstract: 一种正温系数电流源和一种零温度系数电流源,利用第一双极型晶体管和第二双极型晶体管的基极和发射极压差之差的正温度系数性质,结合反馈环路的设计,使得流过第一双极型晶体管和第二双极型晶体管的集电极电流相等,设置第一双极型晶体管和第二双极型晶体管的发射区面积之比为1:n,则流过第二电阻的电流是正温度系数的电流,实现稳定的正温度系数电流源结构,并在反馈控制结点引入补偿电容使环路稳定;另外利用第三双极型晶体管的基极和发射极压差的负温度系数性质,将第三电阻并联在第三双极型晶体管的基极和发射极之间产生一股负温度系数电流,最后将正温度系数电流与负温度系数电流以一定的比例相叠加,得到了零温度系数电流。

    用于高功率密度降压型开关变换器的开关电流积分器

    公开(公告)号:CN113037262A

    公开(公告)日:2021-06-25

    申请号:CN202110267954.9

    申请日:2021-03-12

    Abstract: 本发明公开了一种用于高功率密度降压型开关变换器的开关电流积分器电路,包括四个电容,四个传输门,十四个NMOS管,十五个PMOS管和电流源。通过这些元件相互连接构成开关电流电路使传递函数等效成一个积分器,提高了低频增益,并引入了自适应零点来使得Buck环路在不同开关频率下保持稳定,减小芯片面积,解决了传统误差放大器需要引入片外补偿,Buck变换器带宽固定在高频时瞬态响应较差的问题。

    一种多光谱红外探测模拟器装置

    公开(公告)号:CN104036080A

    公开(公告)日:2014-09-10

    申请号:CN201410252461.8

    申请日:2014-06-09

    Abstract: 本发明提供了一种多光谱红外探测模拟器装置,包括控制台模块、图像播放模块、红外成像特性计算模块和红外成像特性模拟模块;各模块之间通过总线相连接;控制台模块管理系统工作过程,图像播放模块完成模拟器的图像数据发送的任务,红外成像特性计算模块负责计算模拟红外成像特性的参数,红外成像特性模拟模块完成成像效应在图像上的模拟,通过使用高速并行运算FPGA芯片的系统,将图像实时加载到红外成像系统中,以便对红外成像系统及图像处理机进行包括非均匀性校正等在内的全面的测试,增加了系统的实时性,而且采用多种方式输出,增加了系统的扩展性。

    一种具有自适应低电阻率欧姆接触的GaN HEMT器件

    公开(公告)号:CN115832043A

    公开(公告)日:2023-03-21

    申请号:CN202310030067.9

    申请日:2023-01-10

    Abstract: 本发明提出了一种具有自适应低电阻率欧姆接触的GaN HEMT器件,包括:采用干法刻蚀形成由多个平面构成的阶梯结构;在欧姆电极区域生长欧姆接触金属并将所形成的阶梯结构完全覆盖;通过快速热退火处理生成低阻导电通道进而形成欧姆接触。所制备欧姆接触的性能主要由接触电阻最小的平面决定。因此,本发明提出的欧姆接触制备方法具有对外延结构不同位置处以及反应条件无法精确控制的自适应性,可以使所制备的GaN HEMT欧姆接触具有较高的一致性和较低的电阻率。

    一种自适应斜坡补偿电路
    20.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112803770B

    公开(公告)日:2022-01-11

    申请号:CN202110287200.X

    申请日:2021-03-17

    Abstract: 一种自适应斜坡补偿电路,适用于电流控制模式的变换器中,通过采样并跟随变换器的电感电流实现自适应的斜坡补偿;通过引入成固定倍数的第一斜坡电压和第二斜坡电压,并且在电感电流检测期间,电感电流下降的两个时间点分别对第一斜坡电压和第二斜坡电压进行采样,然后通过测量两个采样电压值的大小关系来调控第一斜坡电压和第二斜坡电压的斜率,最终可以使得第一斜坡电压和第二斜坡电压的斜率与电感电流下降斜率的关系固定。另外实施例中通过在控制环路中引入延时模块,可以达到没有斜坡引入时的控制波形,从而避免了额外零极点的引入。

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