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公开(公告)号：CN103311315A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310179865.4
申请日：2013-05-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/861 , H01L29/08
Abstract: 具有肖特基接触终端的快恢复二极管，属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统快恢复二极管的基础上，将等位环接触金属改为肖特基接触金属，减小了过渡区处的注入效率，优化了终端部分载流子分布，减小了关断损耗，提高了反向恢复过程中的可靠性。本发明适用于从小功率到大功率的半导体功率器件和功率集成电路领域。
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公开(公告)号：CN103258847A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310168350.4
申请日：2013-05-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 一种双面场截止带埋层的RB-IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明在常规RB-IGBT结构的基础上，通过在P型基区和N—漂移区之间，N—漂移区与P+集电区之间同时引入N型FS(Field Stop)场截止层，同时在正面场截止层下方和背面场截止层上方同时引入了P型埋层，在满足器件耐压要求的条件下，通过减薄器件厚度将器件的电场由三角形转变为梯形分布。漂移区载流子浓度分布的优化增强器件体内的电导调制，降低了器件的正向导通压降和关断损耗。
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公开(公告)号：CN119888228A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411968358.3
申请日：2024-12-30
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(衢州)
IPC: G06V10/26 , G06V10/774 , G06V20/10 , G06V20/54 , G06V10/82
Abstract: 本发明公开了一种基于去耦合的弱监督机场图像语义分割方法，通过构建一个弱监督语义分割模型，利用弱监督语义分割方法收集机场各个类别的实例图，将训练图像进行解耦操作，生成新的训练图像和机场伪标签，再训练基于机场的辅助学习任务以及监督训练图像分类主任务，生成效果更好的新的机场伪标签，最后训练弱监督语义分割模型，并对其进行完全监督，获得最终的分割结果。本发明的方法增强了系统在机场环境下的鲁棒性。在机场中，能够有效应对机场这一特殊环境，显著提升飞行器和地面设备的监控效率，在自动驾驶、无人机监管和智能交通等领域具有广阔的应用前景，为机场的智能化和自动化运营提供了重要支持。
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公开(公告)号：CN102969249A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210430641.1
申请日：2012-11-01
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/331
Abstract: 一种功率器件的制作方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明利用LOCOS（局部氧化）工艺来生长场氧化层来制作功率器件（尤其是终端结构），利用硅与氮化硅同氧气的反应速度的差异来局部生长场氧化层，在场氧边缘处会形成一个鸟嘴状的平缓台阶，这有利于后续薄膜的覆盖，利于提高器件（尤其是终端部分）的可靠性，制作过程中可以通过控制反应时间、反应温度和反应气体比例来控制氧化层的厚度及边缘鸟嘴区宽度，因此还有利于图形精度的提高。
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公开(公告)号：CN102842612A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210333215.6
申请日：2012-09-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 具有埋岛结构的绝缘栅双极型晶体管，属于功率半导体器件技术领域。本发明是在传统IGBT器件结构的基础上，在器件MOS结构表面下分别引入P型埋岛和N型载流子存储层结构。在正向阻断时，P型埋岛所引入的电荷及附加电场可以削弱MOS结构下的尖峰电场，从而提高器件的耐压。在正向导通时，高的N型载流子存储层的掺杂浓度或厚度，抬高了空穴的势垒，增强了发射极附近载流子的浓度，从而获得更好的载流子分布，降低器件的正向饱和压降并获得更好的正向导通压降和关断损耗的折中。所引入的P型埋岛和N型载流子存储层在P型基区形成之前通过离子注入和外延等工艺形成。本发明适用于从小功率到大功率的半导体功率器件和功率集成电路领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103794647B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201410070465.4
申请日：2014-02-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 一种双向IGBT器件及其制作方法，属于功率半导体器件技术领域。所述双向IGBT器件元胞结构包括两个对称设置于衬底漂移区正反两面的MOS结构，MOS结构的P型体区与衬底漂移区之间具有N型埋层，MOS结构的栅结构底部与衬底漂移区之间具有P型埋层。所述双向IGBT器件可采用两片硅片分别制作后键合而成，也可采用单片硅片双面加工而成。本发明使双向IGBT具有对称的正、反向特性，并在相同的器件耐压下具有更薄的漂移区厚度，更好的载流子浓度分布和电场分布，使器件获得了更好的正向导通特性以及正向导通特性与关断损耗特性的折中。
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公开(公告)号：CN103413824A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310300568.0
申请日：2013-07-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/08 , H01L21/331
Abstract: 一种RC-LIGBT器件及其制作方法，属于功率半导体器件及集成电路领域。本发明在传统RC-LIGBT结构的基础上，在器件集电极结构中引入了P型阱区，该P型阱区将集电极结构中的N+集电极短路区包围在里面，且通过连接金属与N型场截止区短接。本发明提供的RC-IGBT器件在正向导通过程中，能够屏蔽背部N型区对开启过程的影响，从而可以完全消除传统RC-LIGBT固有的负阻现象，从而提高了器件的稳定性和可靠性。本发明适用于功率半导体集成电路。
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公开(公告)号：CN103383958A
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201310300668.3
申请日：2013-07-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/331
Abstract: 一种RC-IGBT器件及其制作方法，属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统RC-IGBT器件结构的基础上，在N+集电极短路区11与N型电场阻止层8之间引入P型阱区12，并采用隔离介质13使得N型电场阻止层8与P型阱区12二者与金属集电极10之间相互绝缘。本发明在具备传统RC-IGBT器件特性的基础上，在正向导通时可以完全消除传统RC-IGBT固有的Snapback现象，并具有与传统RC-IGBT相似的损耗特性。本发明适用于从小功率到大功率的半导体功率器件和功率集成电路领域。
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公开(公告)号：CN102354707A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110328769.2
申请日：2011-10-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/10
Abstract: 一种抗闩锁效应的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)，属于功率半导体器件技术领域。本发明利用离子注入、沉积或热生长方法或直接使用部分SOI硅片，在P型基区和N-漂移区之间的界面处设置一层隔离介质层，阻断N-漂移区中的空穴电流经过P型基区流进N型源区的电流通路，可以有效防止IGBT结构中寄生NPN晶体管的开启，避免IGBT中NPNP结构所导致的闩锁效应，从而提高器件的电流承载能力，提供更大的安全工作区。本发明提供的绝缘栅双极型晶体管可适用于从小功率到大功率的半导体功率器件和功率集成电路领域。
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公开(公告)号：CN119559398A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411693233.4
申请日：2024-11-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06V10/26 , G06V20/70 , G06V10/30 , G06V10/72 , G06T7/30 , G06T3/06 , G06V10/40 , G06V10/80 , G06V10/82 , G06T5/77 , G06V20/10 , G06N3/0464 , G06N3/0455 , G06N3/0895
Abstract: 本发明公开了一种基于雷达数据和图像数据的目标语义分割方法，包括以下步骤：步骤1、雷达点云数据的预处理：通过雷达传感器获取雷达点云数据，对雷达点云数据进行预处理；步骤2、将预处理后的点云数据进行投影，转换为伪深度图形式；具体包括如下子步骤：步骤2‑1、确定投影平面；步骤2‑2、进行坐标转换；步骤2‑3、投影计算；步骤3、特征交互：将伪深度图形式的雷达数据和输入的图像数据进行特征交互；步骤4、将融合后的多模态特征输入解码器网络，生成语义分割结果。本发明通过结合雷达点云数据和图像数据的优点，提出一种在低光、强光、雨雾等恶劣环境下依然能够保持高精度的语义分割方法。
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